功率器件凸顯節(jié)能 主流廠商各具優(yōu)勢(shì)
時(shí)間：2007-11-20 11:11:00
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特 邀 嘉 賓
飛兆半導(dǎo)體公司技術(shù)及應(yīng)用支持中心亞太區(qū)副總裁 王瑞興
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)及電源管理產(chǎn)品部全球銷(xiāo)售及市場(chǎng)總監(jiān) 鄭兆雄
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體亞太區(qū)電源管理產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 吳志民
松下半導(dǎo)體銷(xiāo)售(中國(guó))公司中國(guó)系營(yíng)業(yè)部北方區(qū)代表 張 丹
功率器件的發(fā)展及應(yīng)用
●主流廠商引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展方向
●4C及工業(yè)控制是主要應(yīng)用領(lǐng)域
鄭兆雄 功率半導(dǎo)體器件就是在功率電子電路中用作開(kāi)關(guān)或整流的半導(dǎo)體器件，它主要包括三個(gè)方面，分別是：以雙極性器件為主的傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件(如功率二極管)，以MOSFET和IC為主的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件以及在前兩者基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的特大功率器件。
功率器件的發(fā)展大致分為三個(gè)階段。第一個(gè)階段是隨著晶閘管在1957年的出現(xiàn)，各種類(lèi)型的晶閘管和大功率達(dá)林頓二極管都有很大的發(fā)展。隨后在上世紀(jì)70年代末，隨著金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)技術(shù)的進(jìn)步，功率MOSFET開(kāi)始面市，并在80年代和90年代開(kāi)始廣泛地應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子等各類(lèi)應(yīng)用。第三個(gè)階段是從上世紀(jì)90年代末開(kāi)始，功率器件和集成電路的結(jié)合越來(lái)越緊密，這既體現(xiàn)在制造工藝技術(shù)和封裝技術(shù)方面，也體現(xiàn)在器件結(jié)構(gòu)方面，也就是功率器件開(kāi)始越來(lái)越多地與集成電路做在同一個(gè)芯片上或是同一個(gè)封裝中。
安森美半導(dǎo)體提供一系列的功率器件，如二極管、功率整流器、晶閘管、雙極晶體管和各種場(chǎng)效應(yīng)管(FET)等。對(duì)于安森美半導(dǎo)體而言，我們已經(jīng)從提供單個(gè)的器件轉(zhuǎn)向提供完整的解決方案，全方位地服務(wù)于客戶(hù)的應(yīng)用需求。
功率器件熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)ATX電源和液晶電視電源等，這兩大領(lǐng)域在今后將繼續(xù)擁有廣闊的發(fā)展前景。其中，對(duì)于ATX電源而言，越來(lái)越多的能效規(guī)范對(duì)它提出了越來(lái)越高的工作效率、待機(jī)能耗和功率因數(shù)要求。如能源之星要求計(jì)算機(jī)電源功率因數(shù)高于90%，并且在20%、50%和100%負(fù)載條件下的電源能效都高于80%；此外，計(jì)算產(chǎn)業(yè)氣候拯救行動(dòng)(CSCI)提出了新的節(jié)能要求，到2011年上述三種負(fù)載條件下的電源能效分別要達(dá)到87%、90%和87%。要滿(mǎn)足這些越來(lái)越高的要求就需要采用性能更高的功率器件。此外，液晶電視市場(chǎng)近年來(lái)發(fā)展迅速，且未來(lái)前景持續(xù)看好，業(yè)界對(duì)它的工作能效特別是待機(jī)功耗方面的關(guān)注有增無(wú)減，這也要求采用更多更好的功率器件。
王瑞興2007年是飛兆半導(dǎo)體值得紀(jì)念的一年。2007年是公司創(chuàng)建50周年的里程碑，飛兆半導(dǎo)體于1957年首次創(chuàng)立，一年之后，公司開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)集成電路(IC)。2007年也是飛兆半導(dǎo)體重新成為獨(dú)立公司并進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)的10周年，在過(guò)去10年中，飛兆半導(dǎo)體已經(jīng)成為一家面向應(yīng)用的、基于解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商，提供強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支持，并在全球建立了廣泛的客戶(hù)合作關(guān)系。隨著燃料供應(yīng)日益緊張，以及對(duì)越來(lái)越多應(yīng)用領(lǐng)域的能效做出強(qiáng)制性要求的新法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)相繼出臺(tái)，大大推動(dòng)了對(duì)于新興技術(shù)的需求。飛兆半導(dǎo)體認(rèn)識(shí)到這種需求，并集中力量開(kāi)發(fā)先進(jìn)的產(chǎn)品，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高能效解決方案和不斷縮短產(chǎn)品上市時(shí)間的要求。這一戰(zhàn)略使得飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域執(zhí)全球市場(chǎng)份額牛耳。
目前，功率半導(dǎo)體器件最熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域是電源、照明和消費(fèi)電子產(chǎn)品；而前景最佳的應(yīng)用是計(jì)算機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車(chē)應(yīng)用。
吳志民美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體創(chuàng)下功率器件發(fā)展史上的多個(gè)第一。我們率先開(kāi)發(fā)業(yè)界首款可調(diào)整電壓的單芯片穩(wěn)壓器LM117、業(yè)界首款低壓降穩(wěn)壓器LM2930以及業(yè)界首款穩(wěn)壓開(kāi)關(guān)電容轉(zhuǎn)換器LM3353。我們的SIMPLE SWITCHERTM系列開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器很易融入系統(tǒng)設(shè)計(jì)，因此大受市場(chǎng)歡迎。目前的SIMPLE SWITCHER芯片已屬于第四代的產(chǎn)品?；仡欉^(guò)去30年來(lái)，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體一直在電源管理芯片市場(chǎng)上居于領(lǐng)導(dǎo)地位。
目前功率器件熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)屬電源管理芯片。電源管理芯片市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)9%，其中有部分板塊的增長(zhǎng)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于這個(gè)平均增長(zhǎng)數(shù)字。LED燈光系統(tǒng)及以太網(wǎng)供電系統(tǒng)(PoE)便是最具代表性的例子。
張 丹功率器件在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、照明、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域被大量采用。而節(jié)約能源，是功率半導(dǎo)體器件技術(shù)前進(jìn)的重要方向。在降低能耗、提高效率方面，功率器件扮演著越來(lái)越重要的角色。在產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)過(guò)程中，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、改進(jìn)封裝、重視環(huán)保、減低成本等呼聲已愈來(lái)愈高。這不僅僅體現(xiàn)在消費(fèi)電子類(lèi)，在耐壓性、工作電流以及可靠穩(wěn)定性等方面要求更高的工業(yè)控制，汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域更加凸顯了功率器件的重要性。
技術(shù)趨勢(shì)及相應(yīng)策略
●高功效、小體積是普遍要求
●緊貼應(yīng)用需求是必然選擇
王瑞興功率半導(dǎo)體器件競(jìng)爭(zhēng)和技術(shù)開(kāi)發(fā)的焦點(diǎn)是提高效率、增加功能性和減小體積。飛兆半導(dǎo)體能夠利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)，將功率模擬和功率分立功能集成于創(chuàng)新的封裝中，從而顯著改善客戶(hù)應(yīng)用的能效和成本/性能比。我們利用在功率領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，加上對(duì)客戶(hù)需求和市場(chǎng)趨勢(shì)的豐富知識(shí)以及強(qiáng)大的半導(dǎo)體技術(shù)力量，積極開(kāi)發(fā)能不斷實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品創(chuàng)新的高能效產(chǎn)品。飛兆半導(dǎo)體的高能效解決方案在改善環(huán)境狀況方面發(fā)揮著必不可少的重要作用。
飛兆半導(dǎo)體與客戶(hù)，即當(dāng)今領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商密切合作，了解未來(lái)產(chǎn)品的功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，再綜合不同的解決方案以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，從而最大限度地減少電力需求，最終為客戶(hù)帶來(lái)能滿(mǎn)足功效、噪聲或其他政府法規(guī)要求的好處。飛兆半導(dǎo)體的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，在于結(jié)合了強(qiáng)大的產(chǎn)品和技術(shù)知識(shí)，以及與全球客戶(hù)的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。
鄭兆雄功率器件面臨的挑戰(zhàn)主要在于提升電源在滿(mǎn)載工作條件下的能效，以及降低待機(jī)狀態(tài)下的能耗。在這方面，安森美半導(dǎo)體采取整體性的途徑來(lái)解決待機(jī)功耗、工作能效和功率因數(shù)方面的問(wèn)題，我們已經(jīng)從提供領(lǐng)先的產(chǎn)品過(guò)渡到提供領(lǐng)先的整體解決方案，覆蓋"從插口到插袋"的應(yīng)用。
就功率器件而言，如前所述，它的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)便是與集成電路的結(jié)合越來(lái)越緊密。舉例來(lái)說(shuō)，功率MOS型器件為了達(dá)到更好的性能，如要求更低的導(dǎo)通電阻，其工藝已從二十年前的幾微米的技術(shù)迅速向亞微米甚至深亞微米發(fā)展。這與集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展方向是一致的。其次，MOSFET器件的封裝技術(shù)也在向大規(guī)模集成電路的封裝靠近，如近年來(lái)，功率MOS器件也采用了諸如倒裝(Flip)、球柵陣列(BGA)和多芯片組件(MCM)等較新的集成電路封裝形式。
此外，對(duì)于功率器件而言，由于會(huì)有大量熱量產(chǎn)生，因此散熱就非常重要。例如，安森美半導(dǎo)體最近推出了高能效、低Vce(sat)雙極結(jié)(BJT)晶體管產(chǎn)品系列，為市場(chǎng)提供了最豐富的高性能BJT選擇。NSSxxx系列低Vce(sat)表面貼裝器件是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，專(zhuān)為對(duì)能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
對(duì)于安森美半導(dǎo)體而言，我們的技術(shù)發(fā)展策略就是深入理解終端產(chǎn)品的應(yīng)用需求以及客戶(hù)的應(yīng)用要求，以及針對(duì)集成度越來(lái)越高的趨勢(shì)提供更多的增值型新產(chǎn)品。
吳志民關(guān)于當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)，主要在于我們的客戶(hù)希望新一代的電源管理解決方案具備高能源效率、高集成度及封裝小巧等優(yōu)點(diǎn)。因此，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體一直致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的電源管理技術(shù)，其中包括可支持嶄新電路布局的集成電路、功率密度更高的全新工藝以及超小型的封裝。此外，我們也為微處理器及射頻功率放大器提供能源效率極高的電源管理系統(tǒng)解決方案。新方案的特點(diǎn)是采用閉環(huán)或開(kāi)環(huán)的反饋控制方法，因此可以確保電源管理芯片能按照系統(tǒng)的實(shí)際供電需要提供剛好滿(mǎn)足其要求的電壓及功率輸出。最后要提的一點(diǎn)也很重要，那就是我們不斷改善WEBENCH網(wǎng)上仿真測(cè)試工具，以便為客戶(hù)提供完善的設(shè)計(jì)技術(shù)支持，在這方面來(lái)說(shuō)，我們是市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。最近，我們?yōu)閃EBENCH設(shè)計(jì)工具添加多個(gè)新亮點(diǎn)。例如，新添加的"性能按鈕"可讓用戶(hù)輕易優(yōu)化其電源供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而且用戶(hù)選用設(shè)計(jì)方案時(shí)，可特別指定以效率還是以方案體積為決定性的考慮因素。此外，WEBENCH還添加了可支持LED設(shè)計(jì)的新工具?？蛻?hù)只要選定LED的配置，WEBENCH便可為客戶(hù)挑選最適用的LED驅(qū)動(dòng)器，讓客戶(hù)可以馬上進(jìn)行模擬測(cè)試。
張 丹 半導(dǎo)體功率器件種類(lèi)繁多，有絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，PFC控制器，智能電源芯片(IPD)，電源管理芯片(PM IC)等諸多產(chǎn)品。其中，絕緣柵雙極型晶體管兼?zhèn)鋱?chǎng)效應(yīng)晶體管的高速性能和雙極型功率晶體管的低電阻性能，使其成為大功率應(yīng)用領(lǐng)域的理想功率開(kāi)關(guān)器件。根據(jù)具體應(yīng)用，其特點(diǎn)及具體參數(shù)的要求也多有差別，不宜一概而論，以下僅以消費(fèi)電子領(lǐng)域里的等離子電視(PDP)的應(yīng)用為例敘述功率器件面臨的挑戰(zhàn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
等離子電視(PDP)的Y-SUS基板(Scan)和X-SUS基板(Sustain)上的能量恢復(fù)電路及維持電路需要大電流控制及高速開(kāi)關(guān)特性。與場(chǎng)效應(yīng)管比較，飽和電壓在170V以上時(shí)，IGBT的輸出電流將大大超過(guò)MOSFET，即Vce(sat)特性會(huì)更好。而另一重要指標(biāo)Tf(Turn off)雖不如MOSFET，但通過(guò)電子照射確實(shí)可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)高速化。因此，IGBT已替代MOSFET成為在PDP-SUS基板的最重要分立器件?，F(xiàn)在，為了使等離子電視(PDP)的顯示更具效果，IGBT還需一定程度地提高工作電壓來(lái)增大電流。同時(shí)，考慮到散熱及成本等因素，在封裝和制造工藝上也在尋求更進(jìn)一步的改進(jìn)。
功率器件產(chǎn)業(yè)在今后需要多個(gè)技術(shù)方面的突破，其中材料、工藝、封裝、設(shè)計(jì)與控制技術(shù)尤其重要。新材料的出現(xiàn)和應(yīng)用會(huì)帶來(lái)產(chǎn)業(yè)質(zhì)的飛躍，如SiC用于功率器件、GaN用于LED等等。而工藝和封裝的不斷改進(jìn)會(huì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程，如具有高低壓模塊的數(shù)?；旌蠁纹琁C將會(huì)出現(xiàn)，數(shù)字模擬混合的功率器件將會(huì)誕生。在性能改進(jìn)上，新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等的利用頗受矚目；而如何使器件性能被發(fā)揮至極致，軟件控制技術(shù)同樣將被視為又一重要環(huán)節(jié)?？偠灾?，高可靠性、高穩(wěn)定性、高性能、低功耗、小尺寸、低成本、重視環(huán)保(符合RoHS指令)是功率器件的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，也是業(yè)界共同努力的目標(biāo)。
業(yè)內(nèi)廠家專(zhuān)注領(lǐng)域
●賣(mài)產(chǎn)品更需賣(mài)服務(wù)
●節(jié)能降耗是永恒主題
王瑞興飛兆半導(dǎo)體是全球首屈一指的用于系統(tǒng)功率優(yōu)化的功率模擬和功率分立組件供應(yīng)商。我們的主要市場(chǎng)領(lǐng)域是面向應(yīng)用的、以解決方案為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，包括超便攜產(chǎn)品(手機(jī)和手持式電器)、消費(fèi)產(chǎn)品(電磁加熱器、電飯煲和白色家電)、通信(聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、計(jì)算機(jī)(筆記本電腦、臺(tái)式電腦、服務(wù)器具、外設(shè)和硬盤(pán))、工業(yè)應(yīng)用(測(cè)試設(shè)備和工廠自動(dòng)化應(yīng)用)以及汽車(chē)應(yīng)用(動(dòng)力傳動(dòng)、點(diǎn)火和HID照明)等。
飛兆半導(dǎo)體是第一家也是唯一一家面向AC/DC SMPS設(shè)計(jì)(1W-1500W)提供完整功率產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體供應(yīng)商。飛兆半導(dǎo)體的解決方案有助于滿(mǎn)足低待機(jī)功耗規(guī)范、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少EMI輻射和降低系統(tǒng)成本。飛兆半導(dǎo)體的模擬產(chǎn)品包括：功率MOSFET、IGBT、整流器、脈沖寬度調(diào)制(PWM)IC、功率因數(shù)校正(PFC)IC、PWM/PFC二合一、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、光耦合器、電壓參考、LDO。
在超便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體在功率、背光和信號(hào)調(diào)節(jié)方面的專(zhuān)業(yè)能力，使設(shè)計(jì)人員能夠解決便攜式設(shè)備所面臨的小型化、功能聚合及高功效等難題。面向這個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域的產(chǎn)品包括：IntelliMAX、μSerDes、LED驅(qū)動(dòng)器、功率調(diào)節(jié)器、MOSFET、電荷泵、電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品、模擬開(kāi)關(guān)、邏輯產(chǎn)品。
在計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體的解決方案能夠提高功率性能、系統(tǒng)效率、信號(hào)質(zhì)量，并縮小電路板空間。面向這一市場(chǎng)領(lǐng)域的產(chǎn)品包括：飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、MOSFET(高低功率)、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、DC/DC控制器、音頻放大器、二極管、晶體管、運(yùn)算放大器、背光照明逆變器、功率因數(shù)校正IC、電機(jī)控制器。
在消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體的產(chǎn)品能夠提高功率性能、系統(tǒng)效率和信號(hào)質(zhì)量。主要產(chǎn)品包括：功率調(diào)節(jié)器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、光耦合器、整流器、晶體管、二極管、HVIC。
在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體針對(duì)能效比要求苛刻的白色家電和其他變頻電機(jī)應(yīng)用的解決方案能夠滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更高效率、更強(qiáng)可靠性和更小系統(tǒng)尺寸的要求。產(chǎn)品包括：功率MOSFET、集成了模擬及分立技術(shù)的智能功率模塊(SPM)、可控硅、二極管、齊納二極管、光耦合器、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、HVIC。
在汽車(chē)市場(chǎng)上，機(jī)械控制方式正逐漸轉(zhuǎn)向電子控制方式，飛兆半導(dǎo)體的解決方案可提供高效率和高功率密度，同時(shí)降低這些應(yīng)用的功耗，以滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求。我們的產(chǎn)品包括：功率MOSFET、智能MOSFET、IGBT、點(diǎn)火IGBT、整流器、LED驅(qū)動(dòng)器、紅外傳感器。
張 丹松下電器半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品種類(lèi)繁多，包括有以SoC為主的大規(guī)模集成電路，雙極型集成電路，圖像傳感器，模擬器件，分立器件，光器件，化合物半導(dǎo)體等等諸多行業(yè)。多達(dá)約20個(gè)事業(yè)領(lǐng)域中，重點(diǎn)戰(zhàn)略事業(yè)集中在數(shù)字電視，光存儲(chǔ)，汽車(chē)電子，圖像傳感等領(lǐng)域，并處于業(yè)界領(lǐng)先地位。在這些行業(yè)領(lǐng)域，松下電器半導(dǎo)體公司不僅僅為廣大用戶(hù)提供器件，同時(shí)也能夠提供參考設(shè)計(jì)方案或完整的系統(tǒng)解決方案，以求更好地支持我們的商務(wù)及技術(shù)伙伴。
鄭兆雄安森美半導(dǎo)體把重點(diǎn)放在三大類(lèi)戰(zhàn)略性電源管理解決方案上。
其一是GreenPointTM高能效電源解決方案系列。安森美半導(dǎo)體的GreenPointTM參考設(shè)計(jì)和電源解決方案，不但解決了電源的所有功能區(qū)塊應(yīng)用需求，并且符合國(guó)際低待機(jī)能耗的規(guī)范，確保提供"綠色"、高效的節(jié)能解決方案，滿(mǎn)足現(xiàn)在和未來(lái)對(duì)高效電源的需要，如針對(duì)計(jì)算機(jī)ATX 80 PLUS電源、CRT電視機(jī)電源和LCD液晶電視機(jī)電源、90%電源能效的適配器等。其中，就ATX 80 PLUS電源而言，安森美半導(dǎo)體將把能效提升到85%乃至更高的水平。
其二是計(jì)算機(jī)電源管理解決方案。為了更有效地推動(dòng)產(chǎn)品投放市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體的一個(gè)重點(diǎn)是計(jì)算機(jī)電源領(lǐng)域，包括Vcore控制器、系統(tǒng)DDR、系統(tǒng)控制器等。如用于筆記本業(yè)內(nèi)首個(gè)用于VR11的異步雙緣NCP5381 PWM降壓控制器等。
其三是數(shù)字消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品電源解決方案。安森美半導(dǎo)體在數(shù)字消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域投入很大力量，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)溝道和低Vce(sat) MOSFET，持續(xù)加強(qiáng)音頻和數(shù)據(jù)線濾波器和產(chǎn)品的性能和封裝，把更多的功能集成起來(lái)，以提高性能，降低尺寸。
對(duì)于功率器件的封裝而言，它的作用主要在于：將裸片連接至外部電路；提供散發(fā)器件所產(chǎn)生熱量的方式；保護(hù)裸片免受外部環(huán)境(濕氣、灰塵等)影響。功率器件的許多可靠性問(wèn)題都與由熱循環(huán)導(dǎo)致的溫度過(guò)高有關(guān)。因此，業(yè)界的努力重點(diǎn)在于：提高冷卻性能；通過(guò)密切匹配封裝與硅片的熱膨脹系數(shù)來(lái)增強(qiáng)對(duì)熱循環(huán)的抵抗力；增加封裝材料的最大工作溫度。此外，業(yè)界也在不斷改進(jìn)功率器件的結(jié)構(gòu)。
主流廠商優(yōu)勢(shì)明顯
●設(shè)計(jì)面向系統(tǒng)需求
●中國(guó)市場(chǎng)舉足輕重
王瑞興 飛兆半導(dǎo)體的器件經(jīng)專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)，幾乎任何想象得到的電子系統(tǒng)，我們的產(chǎn)品都能夠提高其功效，并解決最困難的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，無(wú)論是溫度感應(yīng)和功率管理、以至電池充電和電機(jī)控制的挑戰(zhàn)都能應(yīng)付裕如。我們?yōu)檫@個(gè)電能緊缺的世界提供所需的產(chǎn)品，用于各種應(yīng)用的系統(tǒng)功率優(yōu)化產(chǎn)品。
飛兆半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展強(qiáng)勁，推動(dòng)了全球市場(chǎng)占有率的增加。另外，我們也繼續(xù)保持在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率的第一位。我們專(zhuān)注于提供面向應(yīng)用的、以解決方案為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，以及強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支持和全面的客戶(hù)合作。
隨著新能量法規(guī)和技術(shù)進(jìn)步互相融合，為電子產(chǎn)品帶來(lái)了一種新的效率規(guī)范模式，半導(dǎo)體供應(yīng)商需要開(kāi)發(fā)具有更高功效的電源設(shè)計(jì)、功率管理和功率轉(zhuǎn)換解決方案。飛兆半導(dǎo)體一直專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)針對(duì)現(xiàn)今應(yīng)用所需的高能效解決方案。
吳志民美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)在于：全面顧及系統(tǒng)的整體需要，并確保同一設(shè)計(jì)適用于多種不同產(chǎn)品，使每一產(chǎn)品都有獨(dú)特個(gè)性，對(duì)便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)尤其有深入的認(rèn)識(shí)；30年開(kāi)發(fā)功率器件的經(jīng)驗(yàn)使我們擁有功率器件及電路設(shè)計(jì)方面的專(zhuān)門(mén)知識(shí)及創(chuàng)新技術(shù)，擁有的專(zhuān)利多達(dá)2700項(xiàng)；先進(jìn)的功率器件工藝及封裝技術(shù)；世界級(jí)的供應(yīng)鏈管理技術(shù)、生產(chǎn)能力及物流管理技術(shù)。
相關(guān)鏈接
MOSFET
MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是"金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管"。它是由金屬、氧化物及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。
VDMOS
VDMOS是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Vertical Double-diffused MOSFET)。VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極晶體管相比，它的開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，頻率特性好，跨導(dǎo)高度線性。它具有負(fù)的溫度系數(shù)，沒(méi)有雙極功率的二次擊穿問(wèn)題，安全工作區(qū)大。因此，不論是開(kāi)關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件。
IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
SOI
SOI(Silicon-on-insulator)技術(shù)是IBM公司在1998年研制成功，并于2000年正式應(yīng)用于其PowerPC RS64IV芯片上的半導(dǎo)體制造技術(shù)。SOI硅絕緣技術(shù)是指在半導(dǎo)體的絕緣層(如二氧化硅)上，通過(guò)特殊工藝，再附著非常薄的一層硅，在這層SOI層之上再制造電子設(shè)備。此工藝可以使晶體管的充放電速度大大加快，提高數(shù)字電路的開(kāi)關(guān)速度。
飛兆半導(dǎo)體公司技術(shù)及應(yīng)用支持中心亞太區(qū)副總裁 王瑞興
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)及電源管理產(chǎn)品部全球銷(xiāo)售及市場(chǎng)總監(jiān) 鄭兆雄
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體亞太區(qū)電源管理產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 吳志民
松下半導(dǎo)體銷(xiāo)售(中國(guó))公司中國(guó)系營(yíng)業(yè)部北方區(qū)代表 張 丹
功率器件的發(fā)展及應(yīng)用
●主流廠商引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展方向
●4C及工業(yè)控制是主要應(yīng)用領(lǐng)域
鄭兆雄 功率半導(dǎo)體器件就是在功率電子電路中用作開(kāi)關(guān)或整流的半導(dǎo)體器件，它主要包括三個(gè)方面，分別是：以雙極性器件為主的傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件(如功率二極管)，以MOSFET和IC為主的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件以及在前兩者基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的特大功率器件。
功率器件的發(fā)展大致分為三個(gè)階段。第一個(gè)階段是隨著晶閘管在1957年的出現(xiàn)，各種類(lèi)型的晶閘管和大功率達(dá)林頓二極管都有很大的發(fā)展。隨后在上世紀(jì)70年代末，隨著金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)技術(shù)的進(jìn)步，功率MOSFET開(kāi)始面市，并在80年代和90年代開(kāi)始廣泛地應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子等各類(lèi)應(yīng)用。第三個(gè)階段是從上世紀(jì)90年代末開(kāi)始，功率器件和集成電路的結(jié)合越來(lái)越緊密，這既體現(xiàn)在制造工藝技術(shù)和封裝技術(shù)方面，也體現(xiàn)在器件結(jié)構(gòu)方面，也就是功率器件開(kāi)始越來(lái)越多地與集成電路做在同一個(gè)芯片上或是同一個(gè)封裝中。
安森美半導(dǎo)體提供一系列的功率器件，如二極管、功率整流器、晶閘管、雙極晶體管和各種場(chǎng)效應(yīng)管(FET)等。對(duì)于安森美半導(dǎo)體而言，我們已經(jīng)從提供單個(gè)的器件轉(zhuǎn)向提供完整的解決方案，全方位地服務(wù)于客戶(hù)的應(yīng)用需求。
功率器件熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)ATX電源和液晶電視電源等，這兩大領(lǐng)域在今后將繼續(xù)擁有廣闊的發(fā)展前景。其中，對(duì)于ATX電源而言，越來(lái)越多的能效規(guī)范對(duì)它提出了越來(lái)越高的工作效率、待機(jī)能耗和功率因數(shù)要求。如能源之星要求計(jì)算機(jī)電源功率因數(shù)高于90%，并且在20%、50%和100%負(fù)載條件下的電源能效都高于80%；此外，計(jì)算產(chǎn)業(yè)氣候拯救行動(dòng)(CSCI)提出了新的節(jié)能要求，到2011年上述三種負(fù)載條件下的電源能效分別要達(dá)到87%、90%和87%。要滿(mǎn)足這些越來(lái)越高的要求就需要采用性能更高的功率器件。此外，液晶電視市場(chǎng)近年來(lái)發(fā)展迅速，且未來(lái)前景持續(xù)看好，業(yè)界對(duì)它的工作能效特別是待機(jī)功耗方面的關(guān)注有增無(wú)減，這也要求采用更多更好的功率器件。
王瑞興2007年是飛兆半導(dǎo)體值得紀(jì)念的一年。2007年是公司創(chuàng)建50周年的里程碑，飛兆半導(dǎo)體于1957年首次創(chuàng)立，一年之后，公司開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)集成電路(IC)。2007年也是飛兆半導(dǎo)體重新成為獨(dú)立公司并進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)的10周年，在過(guò)去10年中，飛兆半導(dǎo)體已經(jīng)成為一家面向應(yīng)用的、基于解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商，提供強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支持，并在全球建立了廣泛的客戶(hù)合作關(guān)系。隨著燃料供應(yīng)日益緊張，以及對(duì)越來(lái)越多應(yīng)用領(lǐng)域的能效做出強(qiáng)制性要求的新法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)相繼出臺(tái)，大大推動(dòng)了對(duì)于新興技術(shù)的需求。飛兆半導(dǎo)體認(rèn)識(shí)到這種需求，并集中力量開(kāi)發(fā)先進(jìn)的產(chǎn)品，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高能效解決方案和不斷縮短產(chǎn)品上市時(shí)間的要求。這一戰(zhàn)略使得飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域執(zhí)全球市場(chǎng)份額牛耳。
目前，功率半導(dǎo)體器件最熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域是電源、照明和消費(fèi)電子產(chǎn)品；而前景最佳的應(yīng)用是計(jì)算機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車(chē)應(yīng)用。
吳志民美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體創(chuàng)下功率器件發(fā)展史上的多個(gè)第一。我們率先開(kāi)發(fā)業(yè)界首款可調(diào)整電壓的單芯片穩(wěn)壓器LM117、業(yè)界首款低壓降穩(wěn)壓器LM2930以及業(yè)界首款穩(wěn)壓開(kāi)關(guān)電容轉(zhuǎn)換器LM3353。我們的SIMPLE SWITCHERTM系列開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器很易融入系統(tǒng)設(shè)計(jì)，因此大受市場(chǎng)歡迎。目前的SIMPLE SWITCHER芯片已屬于第四代的產(chǎn)品?；仡欉^(guò)去30年來(lái)，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體一直在電源管理芯片市場(chǎng)上居于領(lǐng)導(dǎo)地位。
目前功率器件熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)屬電源管理芯片。電源管理芯片市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)9%，其中有部分板塊的增長(zhǎng)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于這個(gè)平均增長(zhǎng)數(shù)字。LED燈光系統(tǒng)及以太網(wǎng)供電系統(tǒng)(PoE)便是最具代表性的例子。
張 丹功率器件在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、照明、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域被大量采用。而節(jié)約能源，是功率半導(dǎo)體器件技術(shù)前進(jìn)的重要方向。在降低能耗、提高效率方面，功率器件扮演著越來(lái)越重要的角色。在產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)過(guò)程中，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、改進(jìn)封裝、重視環(huán)保、減低成本等呼聲已愈來(lái)愈高。這不僅僅體現(xiàn)在消費(fèi)電子類(lèi)，在耐壓性、工作電流以及可靠穩(wěn)定性等方面要求更高的工業(yè)控制，汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域更加凸顯了功率器件的重要性。
技術(shù)趨勢(shì)及相應(yīng)策略
●高功效、小體積是普遍要求
●緊貼應(yīng)用需求是必然選擇
王瑞興功率半導(dǎo)體器件競(jìng)爭(zhēng)和技術(shù)開(kāi)發(fā)的焦點(diǎn)是提高效率、增加功能性和減小體積。飛兆半導(dǎo)體能夠利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)，將功率模擬和功率分立功能集成于創(chuàng)新的封裝中，從而顯著改善客戶(hù)應(yīng)用的能效和成本/性能比。我們利用在功率領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，加上對(duì)客戶(hù)需求和市場(chǎng)趨勢(shì)的豐富知識(shí)以及強(qiáng)大的半導(dǎo)體技術(shù)力量，積極開(kāi)發(fā)能不斷實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品創(chuàng)新的高能效產(chǎn)品。飛兆半導(dǎo)體的高能效解決方案在改善環(huán)境狀況方面發(fā)揮著必不可少的重要作用。
飛兆半導(dǎo)體與客戶(hù)，即當(dāng)今領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商密切合作，了解未來(lái)產(chǎn)品的功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，再綜合不同的解決方案以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，從而最大限度地減少電力需求，最終為客戶(hù)帶來(lái)能滿(mǎn)足功效、噪聲或其他政府法規(guī)要求的好處。飛兆半導(dǎo)體的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，在于結(jié)合了強(qiáng)大的產(chǎn)品和技術(shù)知識(shí)，以及與全球客戶(hù)的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。
鄭兆雄功率器件面臨的挑戰(zhàn)主要在于提升電源在滿(mǎn)載工作條件下的能效，以及降低待機(jī)狀態(tài)下的能耗。在這方面，安森美半導(dǎo)體采取整體性的途徑來(lái)解決待機(jī)功耗、工作能效和功率因數(shù)方面的問(wèn)題，我們已經(jīng)從提供領(lǐng)先的產(chǎn)品過(guò)渡到提供領(lǐng)先的整體解決方案，覆蓋"從插口到插袋"的應(yīng)用。
就功率器件而言，如前所述，它的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)便是與集成電路的結(jié)合越來(lái)越緊密。舉例來(lái)說(shuō)，功率MOS型器件為了達(dá)到更好的性能，如要求更低的導(dǎo)通電阻，其工藝已從二十年前的幾微米的技術(shù)迅速向亞微米甚至深亞微米發(fā)展。這與集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展方向是一致的。其次，MOSFET器件的封裝技術(shù)也在向大規(guī)模集成電路的封裝靠近，如近年來(lái)，功率MOS器件也采用了諸如倒裝(Flip)、球柵陣列(BGA)和多芯片組件(MCM)等較新的集成電路封裝形式。
此外，對(duì)于功率器件而言，由于會(huì)有大量熱量產(chǎn)生，因此散熱就非常重要。例如，安森美半導(dǎo)體最近推出了高能效、低Vce(sat)雙極結(jié)(BJT)晶體管產(chǎn)品系列，為市場(chǎng)提供了最豐富的高性能BJT選擇。NSSxxx系列低Vce(sat)表面貼裝器件是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品，專(zhuān)為對(duì)能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
對(duì)于安森美半導(dǎo)體而言，我們的技術(shù)發(fā)展策略就是深入理解終端產(chǎn)品的應(yīng)用需求以及客戶(hù)的應(yīng)用要求，以及針對(duì)集成度越來(lái)越高的趨勢(shì)提供更多的增值型新產(chǎn)品。
吳志民關(guān)于當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)，主要在于我們的客戶(hù)希望新一代的電源管理解決方案具備高能源效率、高集成度及封裝小巧等優(yōu)點(diǎn)。因此，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體一直致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的電源管理技術(shù)，其中包括可支持嶄新電路布局的集成電路、功率密度更高的全新工藝以及超小型的封裝。此外，我們也為微處理器及射頻功率放大器提供能源效率極高的電源管理系統(tǒng)解決方案。新方案的特點(diǎn)是采用閉環(huán)或開(kāi)環(huán)的反饋控制方法，因此可以確保電源管理芯片能按照系統(tǒng)的實(shí)際供電需要提供剛好滿(mǎn)足其要求的電壓及功率輸出。最后要提的一點(diǎn)也很重要，那就是我們不斷改善WEBENCH網(wǎng)上仿真測(cè)試工具，以便為客戶(hù)提供完善的設(shè)計(jì)技術(shù)支持，在這方面來(lái)說(shuō)，我們是市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。最近，我們?yōu)閃EBENCH設(shè)計(jì)工具添加多個(gè)新亮點(diǎn)。例如，新添加的"性能按鈕"可讓用戶(hù)輕易優(yōu)化其電源供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而且用戶(hù)選用設(shè)計(jì)方案時(shí)，可特別指定以效率還是以方案體積為決定性的考慮因素。此外，WEBENCH還添加了可支持LED設(shè)計(jì)的新工具?？蛻?hù)只要選定LED的配置，WEBENCH便可為客戶(hù)挑選最適用的LED驅(qū)動(dòng)器，讓客戶(hù)可以馬上進(jìn)行模擬測(cè)試。
張 丹 半導(dǎo)體功率器件種類(lèi)繁多，有絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，PFC控制器，智能電源芯片(IPD)，電源管理芯片(PM IC)等諸多產(chǎn)品。其中，絕緣柵雙極型晶體管兼?zhèn)鋱?chǎng)效應(yīng)晶體管的高速性能和雙極型功率晶體管的低電阻性能，使其成為大功率應(yīng)用領(lǐng)域的理想功率開(kāi)關(guān)器件。根據(jù)具體應(yīng)用，其特點(diǎn)及具體參數(shù)的要求也多有差別，不宜一概而論，以下僅以消費(fèi)電子領(lǐng)域里的等離子電視(PDP)的應(yīng)用為例敘述功率器件面臨的挑戰(zhàn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
等離子電視(PDP)的Y-SUS基板(Scan)和X-SUS基板(Sustain)上的能量恢復(fù)電路及維持電路需要大電流控制及高速開(kāi)關(guān)特性。與場(chǎng)效應(yīng)管比較，飽和電壓在170V以上時(shí)，IGBT的輸出電流將大大超過(guò)MOSFET，即Vce(sat)特性會(huì)更好。而另一重要指標(biāo)Tf(Turn off)雖不如MOSFET，但通過(guò)電子照射確實(shí)可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)高速化。因此，IGBT已替代MOSFET成為在PDP-SUS基板的最重要分立器件?，F(xiàn)在，為了使等離子電視(PDP)的顯示更具效果，IGBT還需一定程度地提高工作電壓來(lái)增大電流。同時(shí)，考慮到散熱及成本等因素，在封裝和制造工藝上也在尋求更進(jìn)一步的改進(jìn)。
功率器件產(chǎn)業(yè)在今后需要多個(gè)技術(shù)方面的突破，其中材料、工藝、封裝、設(shè)計(jì)與控制技術(shù)尤其重要。新材料的出現(xiàn)和應(yīng)用會(huì)帶來(lái)產(chǎn)業(yè)質(zhì)的飛躍，如SiC用于功率器件、GaN用于LED等等。而工藝和封裝的不斷改進(jìn)會(huì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程，如具有高低壓模塊的數(shù)?；旌蠁纹琁C將會(huì)出現(xiàn)，數(shù)字模擬混合的功率器件將會(huì)誕生。在性能改進(jìn)上，新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等的利用頗受矚目；而如何使器件性能被發(fā)揮至極致，軟件控制技術(shù)同樣將被視為又一重要環(huán)節(jié)?？偠灾?，高可靠性、高穩(wěn)定性、高性能、低功耗、小尺寸、低成本、重視環(huán)保(符合RoHS指令)是功率器件的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，也是業(yè)界共同努力的目標(biāo)。
業(yè)內(nèi)廠家專(zhuān)注領(lǐng)域
●賣(mài)產(chǎn)品更需賣(mài)服務(wù)
●節(jié)能降耗是永恒主題
王瑞興飛兆半導(dǎo)體是全球首屈一指的用于系統(tǒng)功率優(yōu)化的功率模擬和功率分立組件供應(yīng)商。我們的主要市場(chǎng)領(lǐng)域是面向應(yīng)用的、以解決方案為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，包括超便攜產(chǎn)品(手機(jī)和手持式電器)、消費(fèi)產(chǎn)品(電磁加熱器、電飯煲和白色家電)、通信(聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、計(jì)算機(jī)(筆記本電腦、臺(tái)式電腦、服務(wù)器具、外設(shè)和硬盤(pán))、工業(yè)應(yīng)用(測(cè)試設(shè)備和工廠自動(dòng)化應(yīng)用)以及汽車(chē)應(yīng)用(動(dòng)力傳動(dòng)、點(diǎn)火和HID照明)等。
飛兆半導(dǎo)體是第一家也是唯一一家面向AC/DC SMPS設(shè)計(jì)(1W-1500W)提供完整功率產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體供應(yīng)商。飛兆半導(dǎo)體的解決方案有助于滿(mǎn)足低待機(jī)功耗規(guī)范、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少EMI輻射和降低系統(tǒng)成本。飛兆半導(dǎo)體的模擬產(chǎn)品包括：功率MOSFET、IGBT、整流器、脈沖寬度調(diào)制(PWM)IC、功率因數(shù)校正(PFC)IC、PWM/PFC二合一、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、光耦合器、電壓參考、LDO。
在超便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體在功率、背光和信號(hào)調(diào)節(jié)方面的專(zhuān)業(yè)能力，使設(shè)計(jì)人員能夠解決便攜式設(shè)備所面臨的小型化、功能聚合及高功效等難題。面向這個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域的產(chǎn)品包括：IntelliMAX、μSerDes、LED驅(qū)動(dòng)器、功率調(diào)節(jié)器、MOSFET、電荷泵、電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品、模擬開(kāi)關(guān)、邏輯產(chǎn)品。
在計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體的解決方案能夠提高功率性能、系統(tǒng)效率、信號(hào)質(zhì)量，并縮小電路板空間。面向這一市場(chǎng)領(lǐng)域的產(chǎn)品包括：飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、MOSFET(高低功率)、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、DC/DC控制器、音頻放大器、二極管、晶體管、運(yùn)算放大器、背光照明逆變器、功率因數(shù)校正IC、電機(jī)控制器。
在消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體的產(chǎn)品能夠提高功率性能、系統(tǒng)效率和信號(hào)質(zhì)量。主要產(chǎn)品包括：功率調(diào)節(jié)器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、光耦合器、整流器、晶體管、二極管、HVIC。
在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，飛兆半導(dǎo)體針對(duì)能效比要求苛刻的白色家電和其他變頻電機(jī)應(yīng)用的解決方案能夠滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更高效率、更強(qiáng)可靠性和更小系統(tǒng)尺寸的要求。產(chǎn)品包括：功率MOSFET、集成了模擬及分立技術(shù)的智能功率模塊(SPM)、可控硅、二極管、齊納二極管、光耦合器、飛兆功率開(kāi)關(guān)(FPS)、HVIC。
在汽車(chē)市場(chǎng)上，機(jī)械控制方式正逐漸轉(zhuǎn)向電子控制方式，飛兆半導(dǎo)體的解決方案可提供高效率和高功率密度，同時(shí)降低這些應(yīng)用的功耗，以滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求。我們的產(chǎn)品包括：功率MOSFET、智能MOSFET、IGBT、點(diǎn)火IGBT、整流器、LED驅(qū)動(dòng)器、紅外傳感器。
張 丹松下電器半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品種類(lèi)繁多，包括有以SoC為主的大規(guī)模集成電路，雙極型集成電路，圖像傳感器，模擬器件，分立器件，光器件，化合物半導(dǎo)體等等諸多行業(yè)。多達(dá)約20個(gè)事業(yè)領(lǐng)域中，重點(diǎn)戰(zhàn)略事業(yè)集中在數(shù)字電視，光存儲(chǔ)，汽車(chē)電子，圖像傳感等領(lǐng)域，并處于業(yè)界領(lǐng)先地位。在這些行業(yè)領(lǐng)域，松下電器半導(dǎo)體公司不僅僅為廣大用戶(hù)提供器件，同時(shí)也能夠提供參考設(shè)計(jì)方案或完整的系統(tǒng)解決方案，以求更好地支持我們的商務(wù)及技術(shù)伙伴。
鄭兆雄安森美半導(dǎo)體把重點(diǎn)放在三大類(lèi)戰(zhàn)略性電源管理解決方案上。
其一是GreenPointTM高能效電源解決方案系列。安森美半導(dǎo)體的GreenPointTM參考設(shè)計(jì)和電源解決方案，不但解決了電源的所有功能區(qū)塊應(yīng)用需求，并且符合國(guó)際低待機(jī)能耗的規(guī)范，確保提供"綠色"、高效的節(jié)能解決方案，滿(mǎn)足現(xiàn)在和未來(lái)對(duì)高效電源的需要，如針對(duì)計(jì)算機(jī)ATX 80 PLUS電源、CRT電視機(jī)電源和LCD液晶電視機(jī)電源、90%電源能效的適配器等。其中，就ATX 80 PLUS電源而言，安森美半導(dǎo)體將把能效提升到85%乃至更高的水平。
其二是計(jì)算機(jī)電源管理解決方案。為了更有效地推動(dòng)產(chǎn)品投放市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體的一個(gè)重點(diǎn)是計(jì)算機(jī)電源領(lǐng)域，包括Vcore控制器、系統(tǒng)DDR、系統(tǒng)控制器等。如用于筆記本業(yè)內(nèi)首個(gè)用于VR11的異步雙緣NCP5381 PWM降壓控制器等。
其三是數(shù)字消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品電源解決方案。安森美半導(dǎo)體在數(shù)字消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域投入很大力量，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)溝道和低Vce(sat) MOSFET，持續(xù)加強(qiáng)音頻和數(shù)據(jù)線濾波器和產(chǎn)品的性能和封裝，把更多的功能集成起來(lái)，以提高性能，降低尺寸。
對(duì)于功率器件的封裝而言，它的作用主要在于：將裸片連接至外部電路；提供散發(fā)器件所產(chǎn)生熱量的方式；保護(hù)裸片免受外部環(huán)境(濕氣、灰塵等)影響。功率器件的許多可靠性問(wèn)題都與由熱循環(huán)導(dǎo)致的溫度過(guò)高有關(guān)。因此，業(yè)界的努力重點(diǎn)在于：提高冷卻性能；通過(guò)密切匹配封裝與硅片的熱膨脹系數(shù)來(lái)增強(qiáng)對(duì)熱循環(huán)的抵抗力；增加封裝材料的最大工作溫度。此外，業(yè)界也在不斷改進(jìn)功率器件的結(jié)構(gòu)。
主流廠商優(yōu)勢(shì)明顯
●設(shè)計(jì)面向系統(tǒng)需求
●中國(guó)市場(chǎng)舉足輕重
王瑞興 飛兆半導(dǎo)體的器件經(jīng)專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)，幾乎任何想象得到的電子系統(tǒng)，我們的產(chǎn)品都能夠提高其功效，并解決最困難的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，無(wú)論是溫度感應(yīng)和功率管理、以至電池充電和電機(jī)控制的挑戰(zhàn)都能應(yīng)付裕如。我們?yōu)檫@個(gè)電能緊缺的世界提供所需的產(chǎn)品，用于各種應(yīng)用的系統(tǒng)功率優(yōu)化產(chǎn)品。
飛兆半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展強(qiáng)勁，推動(dòng)了全球市場(chǎng)占有率的增加。另外，我們也繼續(xù)保持在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率的第一位。我們專(zhuān)注于提供面向應(yīng)用的、以解決方案為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，以及強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支持和全面的客戶(hù)合作。
隨著新能量法規(guī)和技術(shù)進(jìn)步互相融合，為電子產(chǎn)品帶來(lái)了一種新的效率規(guī)范模式，半導(dǎo)體供應(yīng)商需要開(kāi)發(fā)具有更高功效的電源設(shè)計(jì)、功率管理和功率轉(zhuǎn)換解決方案。飛兆半導(dǎo)體一直專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)針對(duì)現(xiàn)今應(yīng)用所需的高能效解決方案。
吳志民美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)在于：全面顧及系統(tǒng)的整體需要，并確保同一設(shè)計(jì)適用于多種不同產(chǎn)品，使每一產(chǎn)品都有獨(dú)特個(gè)性，對(duì)便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)尤其有深入的認(rèn)識(shí)；30年開(kāi)發(fā)功率器件的經(jīng)驗(yàn)使我們擁有功率器件及電路設(shè)計(jì)方面的專(zhuān)門(mén)知識(shí)及創(chuàng)新技術(shù)，擁有的專(zhuān)利多達(dá)2700項(xiàng)；先進(jìn)的功率器件工藝及封裝技術(shù)；世界級(jí)的供應(yīng)鏈管理技術(shù)、生產(chǎn)能力及物流管理技術(shù)。
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MOSFET
MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是"金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管"。它是由金屬、氧化物及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。
VDMOS
VDMOS是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Vertical Double-diffused MOSFET)。VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極晶體管相比，它的開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，頻率特性好，跨導(dǎo)高度線性。它具有負(fù)的溫度系數(shù)，沒(méi)有雙極功率的二次擊穿問(wèn)題，安全工作區(qū)大。因此，不論是開(kāi)關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件。
IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
SOI
SOI(Silicon-on-insulator)技術(shù)是IBM公司在1998年研制成功，并于2000年正式應(yīng)用于其PowerPC RS64IV芯片上的半導(dǎo)體制造技術(shù)。SOI硅絕緣技術(shù)是指在半導(dǎo)體的絕緣層(如二氧化硅)上，通過(guò)特殊工藝，再附著非常薄的一層硅，在這層SOI層之上再制造電子設(shè)備。此工藝可以使晶體管的充放電速度大大加快，提高數(shù)字電路的開(kāi)關(guān)速度。
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