迎戰(zhàn)臺積電 聯(lián)電展示28nm制程

臺灣代工廠商聯(lián)電（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，為推出28nm制程奠定基礎(chǔ)。該技術(shù)既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。

UMC在300mm晶圓廠中進行28nm制程的研發(fā)，晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺上，UMC也同樣接受定制的32nm代工業(yè)務(wù)。目前28nm/32nm制程時間表尚未公布。

此前，UMC的競爭對手臺積電（TSMC）也發(fā)布了28nm制程，IBM也已推出了22nm SRAM。

UMC的28nm制程基于其低漏電流工藝技術(shù)，采用雙版沉浸式光刻及應(yīng)變硅技術(shù)，6管SRAM單元面積約為0.122平方微米。

和TSMC一樣，UMC支持兩種柵技術(shù)，支持面向便攜式產(chǎn)品的傳統(tǒng)硅柵/硅氧氮柵技術(shù)以及支持面向圖形芯片、高速通訊IC的高k金屬柵技術(shù)。