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[導讀]對大多數(shù)人而言,“ARM、特許半導體、IBM及三星聯(lián)手打造32nm和28nm片上系統(tǒng)”也許只是條新聞,而且是條過于晦澀的新聞。然而這對ARM的意義卻非同尋常,在一定程度上彌補了其與英特爾的斗爭中這半年來的一塊軟肋。

對大多數(shù)人而言,“ARM、特許半導體、IBM三星聯(lián)手打造32nm和28nm片上系統(tǒng)”也許只是條新聞,而且是條過于晦澀的新聞。然而這對ARM的意義卻非同尋常,在一定程度上彌補了其與英特爾的斗爭中這半年來的一塊軟肋。

就在2008年春季IDF上,英特爾正式發(fā)布了其凌動(Atom)處理器技術,這項英特爾歷史上體積最小、功耗最低的處理器標志著英特爾擺脫了自己的傳統(tǒng)領域,挾著自己廣泛的上下游產(chǎn)業(yè)鏈關系,公然入侵了ARM所主導的低功耗手持設備市場。

僅是一款產(chǎn)品的亮相并不足以讓在手持設備領域耕耘多年的ARM沉不住氣,但凌動處理器從2009年起將會正式啟用32nm制程,這可能就會讓ARM坐立不安了。業(yè)內(nèi)人士都明白,先進的制造工藝意味著低成本、低功耗。與擁有世界上最先進的制造廠的英特爾相比,以賣IP為生的ARM客戶眾多,也散落在各家Foundry中。

顯然ARM并沒有靜等,與特許、IBM和三星的合作可以讓其略微松口氣了。也許正因為如此,ARM中國區(qū)總裁譚軍面對電子工程世界時,先后幾次說“這非常重要”。

三家是否夠用?

眾所周知,對芯片而言,制造是非常重要的環(huán)節(jié)。但隨著工藝節(jié)點進入45nm或者更高級別,動輒數(shù)十億的研發(fā)成本已經(jīng)是家常便飯,而且由于器件尺寸不斷縮小,導致基本器件MOS中氧化層厚度相應減小,電子隧道穿透效應逐漸顯現(xiàn)出來,引起的棚極-溝道漏電流急劇增大,使得器件發(fā)熱量增加、性能下降甚至失效,這樣的厚度幾乎已經(jīng)達到了二氧化硅介質(zhì)層的極限。因此,32nm及更高工藝,廠商鮮有涉足。

但憑借著雄厚財力,英特爾是目前僅存的幾家IDM(垂直整合制造)廠商。因此,英特爾CEOPaulOtellini可以手捧著采用32nm制程的Wafer得意宣布,英特爾將會從2009年開始正式啟用32nm制程。而作為IP廠商的ARM,似乎量產(chǎn)的決定權更多地是在別人手中。

此次ARM與IBM、特許半導體以及三星的合作,恰恰表明了ARM自己動手鏟平通往32nm之路的障礙。在這一將歷時數(shù)年的合作中,ARM將為IBM、特許半導體和三星的CommonPlatform技術聯(lián)盟開發(fā)和授權一個包括邏輯、存儲和接口產(chǎn)品在內(nèi)的物理IP設計平臺,用于他們?yōu)榭蛻糁圃斓漠a(chǎn)品?!?009年下半年出樣片,2010年可以量產(chǎn),”這是ARM對業(yè)界的承諾,此舉對于ARM而言,可謂是其在32nm領域“零”的突破。

所謂的物理IP似乎很難懂,譚軍以“造房子”來解釋。最初大樓安裝的僅僅是一塊塊切割好的玻璃,很容易破碎;然后變成了四周有框架的玻璃,這樣就解決了易碎的問題;最后隨著需求的發(fā)展,構(gòu)成了一大片成形的玻璃板系統(tǒng),可以讓施工者直接拿來使用。集成電路也一樣,最初是晶體管,然后構(gòu)成了門電路,最終的物理IP就是由幾個門電路組成的系統(tǒng)。

如果要將芯片投入制造,廠商需要根據(jù)代工方的工藝提供相應的版圖,“版圖更類似于傳統(tǒng)相機的膠卷,”譚軍說。膠卷可以到任何一家沖印店沖洗,同樣,版圖使得芯片能夠到任何一家可以提供相應服務的代工廠商制造。物理IP就是這個可以將抽象設計變成真實芯片的橋梁。

擁有了ARM授權的物理IP,制造廠就能順利地使用32nm工藝制造基于ARM核的產(chǎn)品。不過相對于ARM引以為豪的廣泛客戶范圍,這個只有三家廠商的合作遠遠無法使得ARM就此高枕無憂。ARM的IP模式?jīng)Q定了其32nm及更高級別的物理IP,只有和盡可能多的代工廠商或者芯片廠商合作,才能實現(xiàn)其進軍移動互聯(lián)網(wǎng)的夢想。雖然囊括了特許半導體,但大型的代工廠商臺積電、中芯國際等還未涉足。對此,譚軍認為只是“時間問題”,但是在時間即金錢表現(xiàn)得尤為突出的半導體產(chǎn)業(yè),不知是否會影響其進軍更高級別工藝的夢想。

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