第十五屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議于2008年11月30日在廣州召開。會議由中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會主辦，中山大學光電材料與技術國家重點實驗室和廣州市科協(xié)承辦。會議圍繞化合物半導體，特別是近年來迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導體在材料生長、器件與電路設計、制造工藝及其應用等方面的發(fā)展與最新成就進行研討，探討國際上化合物半導體、微波器件和光電器件以及固體薄膜的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。會議由大會邀請報告和分會專題報告組成。
在大會邀請報告中，王占國院士詳細介紹了激光顯示的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢，鄭有炓院士就Ⅲ族氮化物半導體發(fā)展中面臨的幾個科學技術問題與參會代表進行了深入探討。在這次會議中，與會代表一致認為化合物半導體在各種應用中的發(fā)展?jié)摿薮螅壳斑€只是其特性的很小應用，隨著研究的深入，未來將會有更加廣闊的應用前景。在對化合物半導體的研究中，氮化鎵由于在照明、通訊、電子等方面的應用前景成為近年來研究的重點。
在這次會議中，半導體照明成為研討的重點之一。會議特別邀請國家半導體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲女士做了題為《中國半導體照明發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢》的主題報告，國家半導體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)主席、中科院半導體所李晉閩所長做了《半導體照明技術的一些最新進展》主題報告。其中吳玲秘書長介紹了當前國際金融危機對我國半導體照明產(chǎn)業(yè)造成的影響，同時指出我國半導體照明產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展良好的趨勢沒有改變，在2010年將會迎來新的發(fā)展高峰。
此外，在三個分會場與會代表還圍繞化合物半導體材料的其他應用和發(fā)展前景，就具體的技術問題和產(chǎn)業(yè)熱點進行了研討交流。
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