聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM

臺(tái)灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù)，試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此，實(shí)現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術(shù)的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了28nm工藝的SRAM，加上此次的成果，預(yù)計(jì)2010年能夠開發(fā)32/28nm工藝技術(shù)。

該公司試制的28nm工藝SRAM利用了低泄漏工藝技術(shù)。該技術(shù)采用了基于液浸光刻（Lithography）的兩次圖形曝光技術(shù)和應(yīng)變硅技術(shù)。UMC的32/28nm工藝按不同用途有兩種生產(chǎn)技術(shù)。一種是面向便攜設(shè)備等使用的IC，利用了原Si柵極/SiON柵極絕緣膜的低泄漏工藝；另一種是面向圖形處理器和應(yīng)用處理器等高性能元件的high-k/金屬柵極導(dǎo)入工藝。