內(nèi)存芯片似已觸底 預示半導體產(chǎn)業(yè)復蘇

內(nèi)存芯片的景氣循環(huán)似乎已觸底。對空前衰退的半導體產(chǎn)業(yè)而言，堪稱景氣回春的關(guān)鍵訊號。

內(nèi)存芯片僅占全球半導體業(yè) 2600 億美元產(chǎn)值的 14%，卻是產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)的領(lǐng)先指標，主因其應用范圍廣泛，且難以區(qū)隔差異。2007 年初揭幕的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)寒冬，即預示了去年半導體業(yè)的大麻煩；金融海嘯引發(fā)全球經(jīng)濟衰退，則進一步惡化半導體危機。

好消息是，全球二家最大記憶芯片制造廠－－Samsung Electronics Co. (三星電子) 與 Hynix Corp. 上周五同時公布首季財報，芯片相關(guān)損失均比前一季低。

市研機構(gòu) iSuppli 分析師 Nam Hyung Kim 說，從第 1 季狀況來看，有足夠的理由相信記憶芯片市場已至谷底。他強調(diào)，從現(xiàn)在開始將進入復蘇階段，當前的問題是，制造業(yè)者還要一段長時間才能復原。

2002-2007 年為記憶芯片業(yè)最長的一段榮景。超高的獲利激勵業(yè)者擴張產(chǎn)能，卻開始于 2007 年初大幅壓縮價格與獲利，PC 等數(shù)字產(chǎn)品的需求成長也逐步放緩。

自 2008 年初起，小型記憶芯片業(yè)者轉(zhuǎn)盈為虧。但了年底，強如 Samsung 等產(chǎn)業(yè)標竿也無利可圖。

另一個景氣回春的訊號是，過去 6 周 DRAM 的現(xiàn)貨價格大幅飆升。根據(jù)集邦科技報價，上周五 (24日) 主流 1Gb DRAM 芯片價格來到 1.21 美元，較 3 月 11 日低點的 0.75 美分上漲 61%。

但部份業(yè)界人士示警，在需求水平尚未確立的前提下，價格上揚可能促使業(yè)者重啟閑置產(chǎn)能，進而再度引發(fā)公司失衡，導致價格回落。

為了持續(xù)平衡市場供需面，DRAM 業(yè)者大多準備刪減資本支出。分析師預估，今年 DRAM 相關(guān)資本支出將下滑至 40 億美元左右，遠低于去年與前年的 110 億美元、220 億美元；NAND 支出則估計為 30 億美元，相較于去年與前年的 80 億美元、110 億美元。

Hynix 上周五即表示，將至少擱置訂購設備計劃至 6 月；Hynix 則說，還沒決定今年的資本支出金額。

Hynix 第 1 季凈損 1.18 兆韓元，金額雖較去年第 4季縮小，但遠高于去年同期的 6750 億韓元。Samsung 首季芯片部門的營業(yè)虧損縮小至 6700 億韓元，但營業(yè)虧損率因營收下滑而擴大。