半導(dǎo)體市場景氣回溫，臺積電、聯(lián)電、特許等晶圓代工廠今年將投入數(shù)億美元資本支出，投入28奈米高介電金屬閘極（high-k/metalgate，HKMG）技術(shù)競賽。而在臺積電及聯(lián)電去年相繼宣布32及28奈米HKMG制程完成良率驗證后，以IBM為首的通用平臺（CommonPlatform）也宣布明年下旬提供28奈米HKMG制程量產(chǎn)服務(wù)。
許多芯片大廠在不景氣時期加速了制程微縮速度，包括高通（Qualcomm）、英偉達（NVIDIA）、超威、賽靈思（Xilinx）、阿爾特拉（Altera）等國際大廠，45及40奈米制程新訂單已于今年第二季下旬，陸續(xù)在臺積電、聯(lián)電、特許等晶圓代工廠投片量產(chǎn)。由于芯片廠通常會在新一世代制程投片量產(chǎn)時，開始與代工廠商合作下一世代的新制程研發(fā)，所以晶圓代工廠已經(jīng)正式進入了32及28奈米技術(shù)競賽。
以IBM為首的通用平臺，已經(jīng)與三星、特許、英飛凌、Globalfoundries、意法半導(dǎo)體等平臺成員共同合作，在去年底開發(fā)出32奈米HKMG制程后，昨日再宣布成功發(fā)開出28奈米HKMG技術(shù)。IBM方面表示，3月已開放客戶取得相關(guān)設(shè)計資源，希望明年下旬就可量產(chǎn)，客戶
可以在不更改32奈米設(shè)計的情況下，直接微縮導(dǎo)入28奈米世代。
聯(lián)電在去年10月底成功產(chǎn)出第一個全功能28奈米制程SRAM（靜態(tài)隨機存取內(nèi)存）芯片后，同時完成了28奈米SRAM工作芯片與HKMG制程實體驗證上的成功，聯(lián)電規(guī)劃2010年下旬推出32及28奈米HKMG技術(shù)。
至于龍頭大廠臺積電在32及28奈米的進度較快，去年第三季底時已宣布，將28奈米制程定位為全世代（fullnode）制程，同時提供HKMG及氮氧化硅（SiON）材料等兩種選擇。臺積電現(xiàn)在已經(jīng)提供客戶28奈米晶圓共乘服務(wù)（CyberShuttle），供客戶開始進行產(chǎn)品試制，正式量產(chǎn)時間約在2010年第一季。
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