盛美12英寸單片清洗設(shè)備首發(fā)儀式在張江高科技園區(qū)舉行

十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備用于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨(dú)家具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)可使兆聲波能量在12英寸硅片上非常均勻地分布（非均勻度的一個(gè)均方差小于2%），本技術(shù)在不損傷硅片微結(jié)構(gòu)的條件下使顆粒去除效率達(dá)到99.2%。

隨著半導(dǎo)體芯片的體積越來越小，當(dāng)今半導(dǎo)體清洗技術(shù)的一大挑戰(zhàn)是對(duì)機(jī)械損傷和不良率的控制。65納米節(jié)點(diǎn)以下控制電極與電容結(jié)構(gòu)越來越脆弱。當(dāng)積成電路線寬越變?cè)叫?，可影響硅片良率的粒子也越來越小，而顆粒越小越難清洗。在芯片上如何避免微結(jié)構(gòu)損傷也是一個(gè)很具挑戰(zhàn)的難題，這就造成了芯片良率控制的窗口越來越小。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說：“雖然工業(yè)界一直期盼兆聲波清洗技術(shù)成為半導(dǎo)體關(guān)鍵性清洗難題的解決方案，然而還沒有任何一家公司可以均勻地控制兆聲波在硅片上的能量分布。盛美的UltraC單片清洗設(shè)備是第一臺(tái)能精確控制兆聲波能量均勻度的設(shè)備，使用超純凈水在不損傷微結(jié)構(gòu)的條件下顆粒去除效率（PRE）可達(dá)到98.3%；如果使用SC1化學(xué)清洗液顆粒去除效率（PRE）可高達(dá)99.2%”

盛美獨(dú)有的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)，“SAPS”可以控制兆聲波能量在硅片面內(nèi)以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設(shè)備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。

兆聲波能量之所以可以去除顆粒是因?yàn)檎茁暡〞?huì)產(chǎn)生氣泡，這些氣泡能推動(dòng)微顆粒離開硅片表面從而去除微顆粒。而關(guān)鍵點(diǎn)是在于如何控制兆聲波在硅片表面上的能量，必須要有足夠的能量產(chǎn)生氣泡，又不能產(chǎn)生過多能量而破壞硅片上的微結(jié)構(gòu)。

能有效產(chǎn)生氣泡而不產(chǎn)生破壞的能量區(qū)間很小，所以要達(dá)到高的微顆粒去除率而不造成微結(jié)構(gòu)損壞必須具有很好的兆聲波能量均勻度控制能力。如果兆聲波能量在硅片上分布不均勻，那么在硅片上高能量區(qū)產(chǎn)生的“熱點(diǎn)”將會(huì)引起氣泡內(nèi)爆。當(dāng)氣泡內(nèi)爆時(shí)，將產(chǎn)生相當(dāng)于1000大氣壓、4000攝氏度的微射流。這個(gè)高壓、高溫微射流很容易把硅片上的微結(jié)構(gòu)破壞掉。

盛美的SAPS兆聲波技術(shù)可以精確控制兆聲波的能量，讓氣泡來回放大收縮而不會(huì)內(nèi)爆。SAPS以非常均勻的能量分布（一個(gè)均方差小于2％）能夠確保有效的去除微顆粒而不會(huì)造成硅片微結(jié)構(gòu)的破壞。

盛美的ULTRAC單片清洗設(shè)備使用兆聲波與超潔凈水就可以達(dá)到98.3%的微顆粒去除率，UltraC還可以同時(shí)連接5種以上化學(xué)液體，并可以實(shí)現(xiàn)化學(xué)液體的分離以及循環(huán)使用。