臺積電準(zhǔn)備明年初提供28nm全代工藝

臺積電研發(fā)副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布，28nm低功耗生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)研發(fā)成功，將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務(wù)，并可選高性能和低功耗兩種應(yīng)用類別。

臺積電表示，借助雙/三柵極氧化物技術(shù)，32nm工藝階段的硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料得以在28nm工藝上繼續(xù)使用。

28nm 64Mb SRAM晶圓也已經(jīng)獲得足夠好的良品率，每個單元的面積只有0.127平方微米，原始柵極密度已達(dá)每平方毫米390萬個。

臺積電稱，與45nm工藝相比，28nm工藝中使用的低待機(jī)、低運(yùn)行功耗氮硅氧化物能帶來最多25-40％的速度提升，同時(shí)功耗降低30-50％。

除了Intel打算直接進(jìn)軍22nm之外，業(yè)界諸多半導(dǎo)體巨頭都在28nm工藝上投入了大量精力，既有這里提到的臺積電，也有IBM、GlobalFoundries、特許半導(dǎo)體、英飛凌、三星電子、意法半導(dǎo)體組成的技術(shù)聯(lián)盟，還有東芝和NEC。