英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片

8月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費(fèi)存儲(chǔ)設(shè)備。

新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲(chǔ)存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公司設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，目標(biāo)產(chǎn)品是閃存卡、USB驅(qū)動(dòng)器和其它設(shè)備。

目前幾乎所有的閃存芯片都只能在每個(gè)單元中存儲(chǔ)1位或2位數(shù)據(jù)，而存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的技術(shù)則可起到提高容量和降低成本的作用。

NAND芯片通常用于閃存卡和U盤等存儲(chǔ)設(shè)備，存儲(chǔ)器的訪問方式類似于硬盤。英特爾上個(gè)月稱，該公司正在向更加先進(jìn)的34納米制造工藝轉(zhuǎn)型，來生產(chǎn)其基于NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，這種產(chǎn)品將可幫助PC和筆記本廠商降低成本。

英特爾副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經(jīng)理蘭迪·威爾海姆(Randy Wilhelm)表示，走向3比特技術(shù)，是英特爾和美光在34納米NAND開發(fā)過程中突破性進(jìn)展的又一個(gè)證明。