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[導(dǎo)讀]三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn),爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程,美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程,將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程

三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn),爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程,美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程,將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程的廠房,為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出,雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復(fù)工生產(chǎn),但多是采用落后制程生產(chǎn),也很難募得新資金升級(jí)機(jī)器設(shè)備,因此不認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會(huì)因此惡化。

美光表示,2009、2010年對(duì)美光而言,最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程,大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅,且同時(shí)也需要龐大的資金挹注,才能完成整個(gè)轉(zhuǎn)換過程。

美光分析,在50納米制程上,預(yù)計(jì)每生產(chǎn)每1,000片晶圓,每1個(gè)月投資金額約1,200萬美元,但到了40納米制程6F2技術(shù)上,同樣生產(chǎn)1,000片晶圓,每1個(gè)月投資金額只需要400萬美元,而轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程4F2技術(shù)后,投資金額可再下降至200萬美元,由此可知,整個(gè)轉(zhuǎn)換制程的過程中,轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程最花錢,但只要完成此階段性任務(wù),未來40納米之后的投資額,相對(duì)輕松很多。

美光表示,最早由68納米轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程的是美國麻州Virginia廠,目前良率已大幅提升,估計(jì)此廠房到年底將有4分之1產(chǎn)能會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,華亞科則會(huì)再下半年開始進(jìn)入50納米制程,屆時(shí)美光的50納米制程將可大量生產(chǎn)。

2010年即將來臨的40納米大戰(zhàn),三星和海力士目前進(jìn)度最快,爾必達(dá)雖然目前制程仍停留在65納米制程,但也考慮跳過50納米制程,2010年直接轉(zhuǎn)進(jìn)40納米,以防技術(shù)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手太多;而美光今2009年雖然積極大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,但對(duì)于40納米制程的規(guī)畫,也著手布局。

美光指出,新加坡廠將在年底開始導(dǎo)入40納米制程,將是美光旗下第1家導(dǎo)入40納米制程的廠房,為2010年40納米世代來臨作準(zhǔn)備,整體而言,美光在2010年的主力制程是50納米,2011年制程技術(shù)以40納米的6F2技術(shù)為主,2012年則預(yù)計(jì)導(dǎo)入40納米制程4F2技術(shù)。

從70納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,估計(jì)成本可下降50%,從50納米轉(zhuǎn)進(jìn)40納米6F2制程,成本可再下降30%,而從40納米6F2技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)4F2技術(shù),估計(jì)成本可再下滑30%。

目前多家DRAM廠都紛紛宣布取消無薪假,開始復(fù)工生產(chǎn),市場(chǎng)擔(dān)心正努力朝供需平衡之路邁進(jìn)的DRAM產(chǎn)業(yè),會(huì)面臨阻礙,美光則表示,目前臺(tái)系DRAM廠都停留在落后制程,也很難募得更多資金,來升級(jí)機(jī)器設(shè)備,因此不認(rèn)為總體產(chǎn)能會(huì)增加太多。

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