新技術(shù)導(dǎo)入 封測(cè)角色更吃重

趁著DRAM價(jià)格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開(kāi)50奈米微縮大作戰(zhàn)，新制程與過(guò)去相較最大的不同，就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤(rùn)式微影（immersion lithography）及銅制程導(dǎo)線（copper interconnect）等兩大新技術(shù)。
由于技術(shù)世代交替，后段封測(cè)技術(shù)也跟著轉(zhuǎn)換，過(guò)去占DRAM成本低于10％的封測(cè)制程，在50奈米世代將提升到15％至20％，如力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）等封測(cè)廠角色將更為吃重。
高階邏輯芯片市場(chǎng)今年出現(xiàn)65/55奈米制程世代交替風(fēng)潮，封測(cè)制程同步轉(zhuǎn)換，帶動(dòng)了芯片尺寸覆晶基板（FCCSP）市場(chǎng)正式起飛，景 碩、欣興、全懋等基板廠業(yè)績(jī)大好，也因此讓封測(cè)成本占芯片總成本的比重，由過(guò)去的低于20％一下子大幅拉高到30％。而此一現(xiàn)象如今也發(fā)生在DRAM產(chǎn) 業(yè)，主要原因就是DRAM廠制程將改用全新技術(shù)，才有辦法走到50奈米以下。
50奈米之所以成為DRAM廠最大的挑戰(zhàn)，一是微影技術(shù)將改為浸潤(rùn)式制程，二是要將過(guò)去使用的鋁制程導(dǎo)線改成低介電（low-k）銅制程 導(dǎo)線，這些都是過(guò)去20年DRAM廠沒(méi)用過(guò)的新技術(shù)，也因此，現(xiàn)在12吋晶圓廠中幾乎有逾半設(shè)備都要進(jìn)行更換，除了需要大筆資金投入，也必需要求后段封測(cè) 廠配合。
過(guò)去幾年70奈米及60奈米DRAM制程十分成熟，單顆芯片封測(cè)成本約0.3美元左右，但改成50奈米銅制程后，新一世代DDR3芯片植 球數(shù)又增加至78球或96球，所以封測(cè)成本一下子就拉高到0.45至0.5美元。以50奈米投產(chǎn)1Gb DDR3的總成本約2美元來(lái)算，封測(cè)成本占DRAM成本比重，已由過(guò)去10％以下，一下子拉高到15％至20％。
封測(cè)成本拉高，也有機(jī)會(huì)推動(dòng)國(guó)際大廠擴(kuò)大委外代工。目前只有爾必達(dá)將封測(cè)業(yè)務(wù)全數(shù)委外代工，海力士則僅釋出部份代工訂單，三星及美光都是 在自有封測(cè)廠中完成制造，但因過(guò)去2年之中，三星及美光并沒(méi)有升級(jí)自有設(shè)備，所以未來(lái)委外代工機(jī)會(huì)大增，據(jù)業(yè)者推估，福懋科最有機(jī)會(huì)承接美光后段封測(cè)訂 單，力成則有機(jī)會(huì)成為三星后段代工廠。