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[導(dǎo)讀]三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開始著手開發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開發(fā)團(tuán)隊(duì)和記憶體開發(fā)團(tuán)隊(duì)集中在一起,以實(shí)現(xiàn)包括新材料,元件

三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開始著手開發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開發(fā)團(tuán)隊(duì)和記憶體開發(fā)團(tuán)隊(duì)集中在一起,以實(shí)現(xiàn)包括新材料,元件結(jié)構(gòu)等各個(gè)領(lǐng)域的協(xié)同作用,并共享尖端的先進(jìn)制程設(shè)備。此舉可為三星的晶圓代工客戶提供更有領(lǐng)先優(yōu)勢的技術(shù)方案,進(jìn)而在性能、功耗和面積方面為客戶的產(chǎn)品獲取最佳的競爭力。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)是三星電子重要的成長引擎之一,提供先進(jìn)的邏輯制程,竭力服務(wù)半導(dǎo)體業(yè)界諸多優(yōu)秀的fabless公司和IDM公司。目前 45nm已在量產(chǎn)中,并且三星持續(xù)參與IBM制程技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟,共同準(zhǔn)備32nm 及 28nm邏輯制程,以及共同開發(fā)更先進(jìn)的邏輯晶圓代工制程。

三星電子系統(tǒng)LSI部門總經(jīng)理禹南星博士 (Dr. Stephen Woo)說到:“三星今年在晶圓代工業(yè)務(wù)方面取得了重大進(jìn)展,獲得了許多新的合約客戶,并在最先進(jìn)幾代的制程中取得了良好的技術(shù)成果。我們的新半導(dǎo)體研發(fā)中心將巨幅增加以邏輯晶圓代工制程為核心的資源,并與我們廠區(qū)的邏輯制程整合團(tuán)隊(duì)攜手開發(fā)最先進(jìn)的邏輯制程。我們的宗旨是滿足我們晶圓代工客戶需求,也同時(shí)深度利用我們領(lǐng)先于世界的記憶體尖端技術(shù)。”

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心專注于開發(fā)下一代記憶體和邏輯的半導(dǎo)體制程,包括28nm制程的開發(fā)。在這些先進(jìn)的制程上,三星將沿用其記憶體先進(jìn)技術(shù)成果來加速其邏輯制程的開發(fā),亦相輔相成。預(yù)期的協(xié)同效應(yīng)將有利于一系列的尖端半導(dǎo)體技術(shù),其中包括了high-k,,3D transistor,及先進(jìn)的顯影技術(shù);譬如Extreme UV(EUV) 技術(shù),三星在此領(lǐng)域具有領(lǐng)導(dǎo)地位。此外,三星半導(dǎo)體研發(fā)中心正在開發(fā)更具創(chuàng)意的interconnect和封裝技術(shù)方案,專門針對(duì)深次微米世代所面臨的應(yīng)用挑戰(zhàn)。有如Through Silicon Via (TSV) 技術(shù),兩顆chips能直接垂直疊接,此方案可提升產(chǎn)品的速度和性能。

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心的總經(jīng)理金奇南博士(Dr. Kinam Kim)說到:“高性能和低功耗當(dāng)有和諧共存之處。這是研發(fā)中心最關(guān)鍵,也是必竭力完成的研發(fā)工作。我們希望讓IC設(shè)計(jì)專家在下一代的mobile及 high performance SoC的產(chǎn)品上,能有更多樣化的元件選擇,可以盡情發(fā)揮創(chuàng)意,成就優(yōu)越性能和低耗電量。三星正在此方向努力邁進(jìn),并同時(shí)加強(qiáng)滿足客戶們對(duì)其它邏輯制程衍生的應(yīng)用要求。當(dāng)然,我們也會(huì)充分運(yùn)用在記憶體領(lǐng)域已取得的成果,將其注入我們在邏輯制程上的研發(fā)工作?!?/p>

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心的研究成果,可以與其它研討會(huì),及共同研發(fā)計(jì)劃相輔相成。三星不光參與IBM的制程技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟,也積極參與IMEC 和Sematech。

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