SICAS認為全球半導體業(yè)已停止出售工廠

全球fab的產能利用率在2009年第三季度的平均值己從第二季度的77%,上升到86,5%。代工的產能利用率己從09 Q2的83,1%,上升到09 Q3達91,5%。其中300mm的硅片產能利用率已從Q2的91,9%上升到Q3的96,1%。

在80nm至60nm間的產能利用率達95,7%,以及60nm以下的產能利用率在09 Q3時高達93,5%。

一些老的工藝,如0,25微米至130nm間的產能利用率在85%左右及0,35微米以上為70%。

在先進制程間的產能利用率呈現(xiàn)差異可以解釋為制造業(yè)中存在變化。在今年Q2及Q3中無論IC或是分立器件的制造產能實際上都在下降,因而影響到總的全球半導體產能在Q3時下降1,1%（與Q2比)及與08年Q3相比下降13,2%。

顯然,推動先進制程的300mm制造產能與上個季度Q2相比上升6,7%,代工產能上升9,3%及其安裝產能與去年同期相比增加8,9%。

通常當產能利用率大于90%時會推動芯片制造商投資來擴大產能,但是需要9個月到1年時間才能真正到位投入使用。