意法半導(dǎo)體在RF功率元件的量產(chǎn)產(chǎn)品中采用中空樹脂封裝

意法半導(dǎo)體開發(fā)出來(lái)的新封裝“STAC（ST Air Cavity）”(點(diǎn)擊放大)
意法合資的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）面向RF功率元件開發(fā)出了具有中空（Air Cavity）構(gòu)造的樹脂封裝，并已開始用于量產(chǎn)產(chǎn)品（英文發(fā)布資料）。新封裝主要面向無(wú)線通信裝置、廣播電視設(shè)備以及核磁共振成像設(shè)備（MRI）中使用的高輸出功率RF功率元件。與現(xiàn)有的陶瓷封裝相比，新封裝除了具有出色的散熱性和可靠性外，還可以降低重量和成本。

此次推出的封裝名為“STAC（ST Air Cavity）”，其元件接合與封裝之間的熱阻為0.28℃/W，比陶瓷封裝低20％。由于可以有效排出RF元件產(chǎn)生的熱量，所以可以提高元件的輸出功率和工作可靠性。在新封裝中，RF元件的平均故障間隔（MTTF：Mean Time To Failure)與陶瓷封裝相比可最大延長(zhǎng)至4倍。重量?jī)H為陶瓷封裝的1/4。備有適合焊錫粘結(jié)方式和螺栓粘結(jié)方式陶瓷封裝尺寸的兩種型號(hào)。

意法半導(dǎo)體已經(jīng)將此次開發(fā)的封裝導(dǎo)入了最大在250MHz頻率下工作的三種RF功率元件中。其中有在VHF頻段下工作、輸出電壓為100V的功率MOS FET “STAC3932B/F”，其線性增益為26dB，脈沖輸出功率的最大值高達(dá)900W。另外，還有兩款均封裝了輸出電壓為50V的功率MOS FET的“STAC2942B/F”與“STAC2932B/F”?！癝TAC2932B/F”的線性增益和額定連續(xù)輸出功率分別為20dB和400W，“STAC2942B/F”為21dB和450W。這些RF元件的工作效率為68～75％，高于采用陶瓷封裝時(shí)（約為55％）。

采用螺栓粘結(jié)方式樹脂封裝的產(chǎn)品已經(jīng)開始量產(chǎn)。采用焊錫接合方式樹脂封裝的產(chǎn)品正在樣品供貨，將從2010年4～6月開始量產(chǎn)。產(chǎn)品價(jià)格方面，購(gòu)買“STAC2932B/F”超過(guò)2萬(wàn)5000個(gè)時(shí)自48美元起。（記者：大下 淳一）