意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率封裝技術(shù)
[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體宣布推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個尺寸僅為8×8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
意法半導(dǎo)體宣布推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
在一個尺寸僅為8×8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小的裸片，并提供一個裸露的金屬漏極焊盤，有效排除內(nèi)部產(chǎn)生的熱量。
新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能，結(jié)合意法半導(dǎo)體MDmesh V技術(shù)的無與倫比的超低單位裸片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節(jié)省印刷電路板空間。
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