臺(tái)灣日月光集團(tuán)在主題演講中展示三維LSI的可行性

時(shí)間：2010-06-09 06:15:00

關(guān)鍵字： LSI 芯片 SE GROUP

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[導(dǎo)讀]電子電路國際展會(huì)“JPCA Show 2010”于2010年6月2日在東京有明國際會(huì)展中心開幕。會(huì)期截至6月4日。此次的參展廠商有454家（上次為440家），展位數(shù)量為1483標(biāo)間（上次為1475標(biāo)間），預(yù)計(jì)與會(huì)人數(shù)在三天內(nèi)將超過10萬人

電子電路國際展會(huì)“JPCA Show 2010”于2010年6月2日在東京有明國際會(huì)展中心開幕。會(huì)期截至6月4日。此次的參展廠商有454家（上次為440家），展位數(shù)量為1483標(biāo)間（上次為1475標(biāo)間），預(yù)計(jì)與會(huì)人數(shù)在三天內(nèi)將超過10萬人（上次有9萬4324人）。

在展會(huì)現(xiàn)場的Premium Stage舉行的“制造Festa 2010”主題演講中，臺(tái)灣日月光集團(tuán)（ASE Group）集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理兼首席研發(fā)官唐和明介紹了三維LSI的可行性。

唐和明表示，有必要在今后5～10年內(nèi)將智能手機(jī)等的數(shù)據(jù)處理性能提高至10～1000倍，僅通過SoC的微細(xì)化來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)是比較困難的。唐和明表示，由于成本負(fù)擔(dān)激增，微細(xì)化進(jìn)程“將有可能結(jié)束于從2012年前后開始生產(chǎn)的20nm左右工藝”。

作為其對(duì)策，企業(yè)正在推進(jìn)探討高遷移率的通道技術(shù)等，不過在時(shí)間上應(yīng)該來不及了，因此唐和明認(rèn)為“三維LSI將有可能成為有前景的解決方案”。另外，唐和明所說的三維LSI主要是指通過TSV（硅貫通孔）來積層連接芯片之間的技術(shù)，對(duì)于芯片間的無線連接技術(shù)也寄予厚望。

使用三維LSI的話，將可以比從20nm工藝細(xì)微化至16nm工藝更好地改善性價(jià)比，因此唐和明認(rèn)為今后應(yīng)該轉(zhuǎn)為投資三維LSI。另外，他還指出，三維LSI不僅是制造技術(shù)，系統(tǒng)架構(gòu)也很重要，因此LSI業(yè)界和制造設(shè)備業(yè)界的協(xié)調(diào)不可缺少。

作為二維LSI和三維LSI的中間定位，還提出了2.5維LSI這一觀點(diǎn)。這主要是指通過帶有TSV的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer），來積層連接芯片之間的技術(shù)。此時(shí)，雖然無法期望具備如同三維LSI般的性能，但是可以利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，因此有望作為面向三維LSI的過渡技術(shù)。