[導讀]臺灣半導體制造公司(TSMC)已經(jīng)重申，將興建其首座450毫米(18英寸)的中試生產(chǎn)線將在2016年到2017年為客戶提供10nm和7nm FinFET晶體管代工技術(shù)。臺積電也希望采用極端紫外線(EUV)光刻技術(shù)來生產(chǎn)10nm芯片，相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備
臺灣半導體制造公司(TSMC)已經(jīng)重申，將興建其首座450毫米(18英寸)的中試生產(chǎn)線將在2016年到2017年為客戶提供10nm和7nm FinFET晶體管代工技術(shù)。
臺積電也希望采用極端紫外線(EUV)光刻技術(shù)來生產(chǎn)10nm芯片，相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備將在2017年底進場。
臺積電300mm晶圓廠經(jīng)營副總裁表示，設(shè)備供應商之前對是否生產(chǎn)18英寸晶圓制造設(shè)備猶豫不決，不過，業(yè)內(nèi)人士現(xiàn)在意識到晶圓過渡到18英寸的必要性。目前，每一個主要的設(shè)備制造商，他們R&D資本支出當中，有15%撥給18英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備開發(fā)制造。
臺積電希望到2015年底，完成安裝18英寸晶圓制造所需大部分設(shè)備，并預計在2016年和2017年之間建造其第一個18英寸的中試線。臺積電的18英寸設(shè)備將主要代工生產(chǎn)出10nm和7nm芯片。
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