意法半導(dǎo)體（ST）最新元器件獲得全球等級最高的航天產(chǎn)品認(rèn)證

21ic訊 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、市場領(lǐng)先的高性能航天元器件供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)進一步擴大抗輻射產(chǎn)品組合，新推出一系列通過美國 300krad QML-V認(rèn)證[3]的LVDS[4]驅(qū)動器、接收器和多工器(multiplexers)。

意法半導(dǎo)體最新的抗輻射器件的性能優(yōu)于競爭品牌的解決方案，融合經(jīng)過市場檢驗的130納米制造技術(shù)與專用芯片架構(gòu)及布局規(guī)則，取得了優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性。該開發(fā)項目得到了法國國家太空研究中心(CNES，Centre National d'Etudes Spatiales)和歐洲航天局(ESA，European Space Agency)的資金技術(shù)支持，將用于商用和政府衛(wèi)星項目。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品還通過了QML-V認(rèn)證，全球航天局和承包商可在航天項目中使用該系列產(chǎn)品。

法國國家太空研究中心環(huán)境與元器件部主管Jean-Louis Venturin表示：“這些高性能元器件是意法半導(dǎo)體、歐洲航天局和法國國家太空研究中心多年合作研發(fā)抗輻射航天元器件的豐碩成果之一，我們迫切希望這些產(chǎn)品進入歐洲元器件優(yōu)選目錄。”

意法半導(dǎo)體航天與高可靠性事業(yè)部經(jīng)理Jean-Francois Vadrot表示： “我們的新LVDS器件配備整套的輻射測試報告和宏模型，包括生命周期終止和輻射終止，為全球航天市場提供最好的解決方案，同時進一步加強了我們的航天產(chǎn)品組合。”

意法半導(dǎo)體擁有35年的支持全世界政府和商用航天項目的經(jīng)驗，其已安裝的元器件創(chuàng)下了數(shù)百萬個小時的成功飛行記錄。意法半導(dǎo)體正在擴大航天應(yīng)用和高可靠性認(rèn)證產(chǎn)品的陣容，包括雙極晶體管和MOSFET、電壓基準(zhǔn)芯片、柵驅(qū)動器、線性IC和功率轉(zhuǎn)換器。意法半導(dǎo)體在130納米、65納米等節(jié)點擁有成熟的制造技術(shù)和設(shè)計能力，還擁有世界唯一的同時通過歐洲航天局(ESA)和國防后勤局(DLA，Defense Logistics Agency)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施。

LVDS系列技術(shù)說明:

新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驅(qū)動器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS雙接口收發(fā)器)和 RHFLVDS228A交叉點開關(guān)。在重離子和電離總劑量很大的輻照測試中，所有器件都有極強的穩(wěn)健性表現(xiàn)，LVDS31A/32A在高達(dá)135 MeV.cm²/mg時未見單一事件閉鎖效應(yīng)，并取得業(yè)內(nèi)最高的單一事件瞬變抵抗能力。在電離總劑量高達(dá)300krad(MIL-STD-883 TM1019)時，該系列產(chǎn)品的動靜態(tài)特性無太大變化。

此外，該系列產(chǎn)品輸入共模電壓范圍寬達(dá)-4V到 +5V，包括連接電壓較低的電源的情況，例如3.3V。寬壓可提高系統(tǒng)地電位公差，簡化接地設(shè)計。

與市面上同類器件相比，意法半導(dǎo)體的新LVDS器件縮短了傳播時間和通道間延遲差，因此通道間同步更快，芯片功耗更低，可支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。此外，電源電壓的最大絕對額定值(AMR)高達(dá)4.8V，確保器件符合太空局元器件降額設(shè)計規(guī)則，無需任何免責(zé)聲明。LVDS I/O引腳提供8kV (HBM) ESD保護功能，所有引腳都有冷備用緩沖器和失效保護功能。

[1]美國認(rèn)證制造商名錄(QML，United States’ Qualified Manufacturer)5級和歐洲航天元器件委員會(ESCC，European Space Components Coordination)均為公認(rèn)的等級最高的航天IC質(zhì)量認(rèn)證測試標(biāo)準(zhǔn)。

2 低壓差分信號(LVDS，Low-Voltage Differential Signaling)是差分串行通信協(xié)議電特性技術(shù)規(guī)范。