不能再低調(diào)了！英特爾技壓晶圓代工廠3.5年

英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會議中表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過去10年的三個技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠至少3年以上時間。

英特爾上周召開2014年投資人會議(Investor Meeting 2014)，英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過去10年的三個技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠至少3年以上時間。

英特爾2013年5月進(jìn)行14納米制程生產(chǎn)，今年第1季良率進(jìn)入成熟穩(wěn)定階段。

William Holt在2014年投資人會議中表示，2003年以來，半導(dǎo)體市場經(jīng)歷3次重大的技術(shù)改變，英特爾的制程均遙遙領(lǐng)先臺積電、格羅方德、三星、IBM等晶圓代工廠。

William Holt表示，英特爾在2007年中開始導(dǎo)入高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，晶圓代工廠是2011年之后才開始跨入HKMG制程，晚了英特爾3.5年時間。再者，英特爾2011年末率先采用3D電晶體22納米Tri-Gate制程，但晶圓代工廠要等到2015年中之后，才可望量產(chǎn)同屬3D電晶體世代的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)，也就是說，在Tri-Gate或FinFET技術(shù)上，晶圓代工廠仍落后英特爾3.5年。

英特爾也公布了14納米電晶體尺寸細(xì)節(jié)，在電晶體閘極間距(gate pitch)達(dá)70納米、內(nèi)連結(jié)間距(interconnect pitch)僅52納米，是目前電晶體最小間距的技術(shù)。

William Holt表示，由閘極間距乘以金屬間距(metal pitch)邏輯晶片尺寸(logic area scaling)角度，晶圓代工廠的20納米及16/14納米屬于同一世代制程，但英特爾14納米的尺寸更小。以制程微縮的速度，晶圓代工廠要等到2017年進(jìn)入10納米世代后，尺寸大小才有機(jī)會贏過英特爾的14納米。