臺(tái)積電攜ARM奔向7nm

時(shí)間：2016-12-12 14:44:48

關(guān)鍵字： 7nm ARM 臺(tái)積電芯片

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[導(dǎo)讀]TSMC總裁兼聯(lián)合CEO Mark Liu 在日前的投資者大會(huì)上透露，已經(jīng)有20多家客戶與臺(tái)積電在洽談7nm代工事宜，預(yù)計(jì)2017年會(huì)有15家客戶完成流片工作。近日，ARM 宣布已將 Artisan 物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思(Xilinx)公司，制造制

TSMC總裁兼聯(lián)合CEO Mark Liu 在日前的投資者大會(huì)上透露，已經(jīng)有20多家客戶與臺(tái)積電在洽談7nm代工事宜，預(yù)計(jì)2017年會(huì)有15家客戶完成流片工作。

近日，ARM 宣布已將 Artisan 物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思(Xilinx)公司，制造制程就是TSMC公司的7nm。該晶片明年初流片，不過2018年才會(huì)正式上市。

那么7nm制程到底能帶來多大的提升?TSMC 最近公布了部分7nm制程細(xì)節(jié)，他們已經(jīng)使用7nm制程試產(chǎn)了 256MB 6T-SRAM 電路，cell單元面積只有0.027mm2，讀寫電壓0.5V，與16nm 相比，裸片尺寸可縮小至43%。包含布線在內(nèi)的柵極密度可提高至約3.3倍，而且速度能提高35～40%，或者削減65%以上的耗電量。并且，7nm工藝和10nm工藝共享95%的設(shè)備，7nm工藝節(jié)點(diǎn)也可以看做是10nm的升級(jí)版，但是晶體管密度可以增加超過60%，功耗則降低30-40%。

TSMC現(xiàn)在的工藝是16nm，并將在今年底投產(chǎn)10nm，而三星也會(huì)同步從14nm轉(zhuǎn)到10nm，高通的下代旗艦驍龍828/830就會(huì)使用三星10nm。

Mark Liu介紹說，TSMC的10nm工藝主要面向移動(dòng)設(shè)備，7nm則同時(shí)面向移動(dòng)和高性能計(jì)算應(yīng)用——這意味著很多手機(jī)處理器會(huì)上臺(tái)積電10nm，而桌面顯卡只能等7nm。

TSMC的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries也正計(jì)劃轉(zhuǎn)移到7納米工藝制程上，預(yù)計(jì)在2018年可以量產(chǎn)。三星目前暫時(shí)未公開談?wù)?納米工藝的計(jì)劃，但更早卻展示過5納米工藝。至于英特爾，之前曾表示7納米會(huì)將成一個(gè)發(fā)展線路圖上一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)，相信會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)公布相關(guān)計(jì)劃。