金氧半場效電晶體(MOSFET)及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等功率半導體下半年恐現缺貨潮，IDM廠及IC設計廠均大動作爭搶晶圓代工產能，包括茂矽、漢磊、世界先進、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到年底，第三季已確定漲價，其中6吋晶圓代工價格大漲10～20%，8吋晶圓代工價格亦調漲5～10%。
受惠于MOSFET價格調漲，帶動功率半導體晶圓代工漲價效應，茂矽及漢磊股價昨(11)日攻上漲停，世界先進及新唐亦同步大漲。法人表示，MOSFET及IGBT需求強勁，6吋及8吋晶圓代工第三季漲價，將帶動業(yè)者下半年獲利表現。
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預計7月起依產品別調漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產品優(yōu)先投片，6月底未投產完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調漲后的晶圓代工價格。
據業(yè)界消息，茂矽通知至8月底前暫停工程實驗及新產品試產，未滿25片的非完整批暫緩投片，未滿150片的爐管最小片數亦暫時降低生產排貨等級，交期將延長。同時，茂矽亦要求客戶配合提供EPI硅晶圓且抵達廠內確定時間才開單。
漢磊昨日召開股東常會，董事長徐建華表示，人工智能、汽車電子及電動車、物聯網等都帶動功率半導體需求，漢磊旗下硅晶圓廠嘉晶產能滿到年底，旗下晶圓代工事業(yè)同樣接單滿到年底。漢磊將逐調整產品結構，擴大利基產品量產規(guī)模與提高寬能隙產品的比重，希望今年能達全年獲利的目標。
雖然徐建華不愿多談硅晶圓及晶圓代工是否漲價，僅強調漲價要考慮市場及客戶關系。但業(yè)界指出，EPI硅晶圓今年已確定逐季漲價，加上上游客戶積極爭取晶圓代工產能，在訂單滿到年底情況下，預期漢磊5吋及6吋晶圓代工價格下半年將同步漲價1成以上。
再者，新唐及世界先進亦傳出調漲第三季晶圓代工價格消息。在MOSFET訂單大舉涌入情況下，新唐6吋晶圓代工產能自去年滿載到現在，目前在手訂單也已經排單到年底，第三季價格傳出調漲1成消息。
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