光電是硅材料市場熱點

半導體材料問世以來始終保持高速發(fā)展，這充分說明它在國民經(jīng)濟中的重要性，它的發(fā)展水平代表一個國家的經(jīng)濟實力和科技水平。因而國外大企業(yè)每年投入銷售額的3%-5%作為開發(fā)新品費用，力爭站在發(fā)展的前沿，確保企業(yè)總有新品滿足市場的需要。

企業(yè)是技術創(chuàng)新主體

半導體材料行業(yè)是屬于高精尖的行業(yè)，企業(yè)不僅是經(jīng)濟活動的主體，也是技術創(chuàng)新的主體。萬向硅峰電子股份有限公司總經(jīng)理周青云表示，企業(yè)技術創(chuàng)新的內(nèi)容包括產(chǎn)品創(chuàng)新、工藝創(chuàng)新、開辟新市場、利用和開發(fā)新資源等。從新產(chǎn)品或新工藝的最初設想到研制、開發(fā)，再到規(guī)模化的生產(chǎn)，直至通過市場推廣應用而產(chǎn)生經(jīng)濟效益，在這種科研與生產(chǎn)直接結(jié)合的技術創(chuàng)新體制下，科研直接為生產(chǎn)服務，企業(yè)為技術創(chuàng)新提供強大的經(jīng)濟支持，提高了企業(yè)的競爭力，促進了經(jīng)濟的發(fā)展。
企業(yè)要進行技術創(chuàng)新，離不開人力資源的開發(fā)。知識經(jīng)濟時代，人力資本是經(jīng)濟發(fā)展的根本動力和決定因素，人力資源是經(jīng)濟發(fā)展中一切資源中最寶貴、最重要的資源。
目前，我國半導體材料業(yè)的發(fā)展很不平衡，與國際高科技產(chǎn)品相比還存在一些差距。天津環(huán)歐半導體材料技術有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說，為縮短上述差距，國內(nèi)半導體材料企業(yè)應該不斷提高工藝水平，加強技術創(chuàng)新力度，讓產(chǎn)品上檔次，滿足高端市場的需求。這樣才不會憂慮國外廠商大舉進入帶來的激烈競爭，更不用擔心國外先進技術帶來的巨大沖擊，反而可以吸引更多的大型廠商進入國內(nèi)市場，形成一種良好的競爭機制與環(huán)境，促進半導體材料市場的健康發(fā)展以及國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的技術進步與產(chǎn)業(yè)升級。
他強調(diào)說，由于電子信息技術本身發(fā)展速度越來越快，沒有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術和產(chǎn)品，將根本無法參與到激烈的全球競爭中去。因此企業(yè)必須堅持自主創(chuàng)新，提高自行開發(fā)和自行設計起點，增強自主創(chuàng)新能力，形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品和特色，增強未來市場的競爭能力。開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅基材料技術并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，無疑對促進硅基材料制造業(yè)的整體發(fā)展，掌握核心知識產(chǎn)權(quán)，根本改變產(chǎn)業(yè)的競爭格局有著積極的意義。
上海合晶硅材料有限公司高工葉祖超在接受《中國電子報》記者采訪時表示，企業(yè)要保持創(chuàng)新能力，應該做到以下幾點：保證資金的投入；尊重人才，重視培養(yǎng)人才，人才要配套：有人能準確把握目標，有人能腳踏實地實現(xiàn)目標；不能急功近利，要允許失??；建立一套合理的獎勵制度，改革目前完全依靠幾位專家評審成果的做法，要用創(chuàng)新產(chǎn)品生命力作為評定主要依據(jù)。

硅材料熱點集中在光電方面

業(yè)內(nèi)人士表示，信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，將進一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎材料需求量的不斷增長。業(yè)內(nèi)專家表示，雖然國際市場對4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國的生產(chǎn)還會持續(xù)多年，預計未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，同時8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量也將有所提升。這意味著中國的半導體材料生產(chǎn)企業(yè)有著廣闊的市場前景。
周青云表示，半導體集成電路和半導體分立器件的主要原材料是硅單晶片，而生產(chǎn)硅單晶片的主要原材料是多晶硅，近幾年多晶硅出現(xiàn)了供不應求的緊張局勢，影響了單晶硅片生產(chǎn)企業(yè)的發(fā)展，同時也影響了集成電路和分立器件生產(chǎn)企業(yè)的發(fā)展勢頭。為此我國需要開發(fā)先進的多晶硅生產(chǎn)工藝，提高多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。
目前半導體材料對硅而言，其熱點是在光電方面。其一是光伏太陽能電池用硅晶體和化合物半導體材料；其二是LED發(fā)光管用藍寶石襯底外延GaN(氮化鎵)等。葉祖超告訴記者，太陽能電池用單晶重點解決大直徑高壽命N型中阻單晶，壽命達毫秒量級，直徑8英寸；現(xiàn)普遍采用的P型(100)單晶，要解決B-O絡合物對電池轉(zhuǎn)換效率衰退的原理，單晶要解決大直徑低氧工藝；明確原料中三、五族雜質(zhì)補償度對太陽能電池質(zhì)量的影響定量關系。在LED領域首要解決晶體生長工藝和量產(chǎn)及外延工藝。