閃存盤即將步入G時代 朗科優(yōu)芯II號引人注目

中新網9月5日電朗科公司日前發(fā)布了其最新技術研究成果--"優(yōu)芯II號"，與此同時，隨著讀寫速度與存儲安全性的雙雙提升，閃存盤主流市場在512M以上容量的突破方面所遭遇的速度與安全性瓶頸也將不復存在。這也預示著閃存盤行業(yè)將從此步入以G為單位的新時代。

據悉，該控制芯片將閃存盤的讀寫速度從USB1.1標準下的理論速度1.2MB/S、1MB/S提高到了20MB/S、16MB/S以上，顯著提高了20倍；同時，考慮到數據存儲的安全性，它還采用了朗科獨創(chuàng)的超穩(wěn)定技術與加密技術，前者通過固化在閃存盤控制芯片中的數據智能備份與恢復軟件，有效避免了閃存盤正在進行數據寫操作時被非法拔插或突然掉電后，有可能造成閃存盤內已存數據丟失、甚至損壞閃存盤的弊病，該技術將閃存盤的存儲安全性提高到了前所未有的高度。

自1999年朗科公司研發(fā)出世界第一款閃存盤以來，閃存盤市場僅用了三年時間就走完了8M、16M、32M、64M、128M共五個發(fā)展階段。但進入2003年以后，閃存盤市場主流容量就一直徘徊于128M與256M之間，至今市場主流容量也未能突破512M。造成這一現象的主要原因有兩個，一是讀寫速度，另外一個是存儲的安全性。

據了解，目前市場上使用的閃存盤90%是基于USB1.1標準，其實際數據傳輸速度只有500KB/S~1MB/S左右，少數采用USB2.0標準的閃存盤的讀寫速度也不超過10MB/S。這意味著要存儲1G容量的文件，通常需要花費半小時甚至更長的時間。

與此同時，隨著容量的大幅度提升，用戶對數據安全性也提出了新的要求。以往不少閃存盤正在進行數據寫操作時，被非法拔插或突然掉電后，有可能造成閃存盤內已存數據丟失、甚至損壞閃存盤。對于小文件傳輸，這一點似乎不足為患，因為小文件通常很容易備份，但在閃存盤步入G時代之后，存儲的數據資料比以往成倍增加，備份的麻煩顯而易見，這也成了閃存盤步入G時代的另一個障礙。