2014國內外IC行情窺測：展訊中芯助力國產(chǎn)IC跨越式發(fā)展
[導讀]2014年IC行情：半導體大廠走勢窺探！
轉眼間，一年又過去了，我們踏入一個新的年份，在半導體行業(yè)里，過去的一年依然是風起云涌，暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進行提升，同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場
2014年IC行情：半導體大廠走勢窺探！
轉眼間，一年又過去了，我們踏入一個新的年份，在半導體行業(yè)里，過去的一年依然是風起云涌，暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進行提升，同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場終端產(chǎn)品的影響，各種產(chǎn)品的供需都出現(xiàn)了不同的現(xiàn)象，下面我們來看全球知名半導體原廠在2013年的表現(xiàn)，并從中窺探2014的走勢：
1、NXP
NXP的邏輯器件以及二三極管，整體來說市場占比還是不錯。今年10月開始，nxp的邏輯以及一些二三極管，普遍上調價格10%~20%不等，對于這些信息月用量在以幾K或者幾十K計的終端工廠，大多都沒察覺，畢竟這物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感覺會大一些：在做COSTDOWN的時候發(fā)現(xiàn)供應商不會再下調。
NXP，BAT開頭系列的物料，大部分今年將停產(chǎn)。像BAT54S、BAT54W、BAT54C這些最通用的物料也將成為停產(chǎn)的對象。言語間不少NXP代理，14年都準備放棄該產(chǎn)品線，如東棉等。
2、MICROCHIP
2010年11月，Microchip收購SST不出貨，造成市場缺貨，F(xiàn)LASHSST39系列現(xiàn)貨市場翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂漲，MCU相繼也是大幅度的漲價(可參考國際電子商情相關報道)。曾經(jīng)的寵兒，現(xiàn)在成為microchip首當其沖的整治對象，13年渠道商信息透露，microchip已經(jīng)準備放棄SST產(chǎn)線，并且8位的中低端單片機如PIC18FXXXX等也在找買家準備出售。
3、TI德州儀器
13年爆發(fā)的TIDSPC2000系列缺貨潮，如果有涉及到的朋友們應該還記憶猶新。原因來源于TI13年初關閉了部分T0220F，T03P，T0247封裝廠，導致產(chǎn)能不足。用于大型家電或工業(yè)設備變頻的TMS32F2808PZA漲幅最明顯，從當時的50~52的市場價漲至100左右。用于類似變頻空調中的TMS320LF2406APAZ，價格也是一片看漲。在這兩個型號的帶動下，整個C2000系列漲聲一片，如28035、28335、2807、2812市場詢價漫天。C2000系列，一直作為TIDSP的開山元老，特別是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高，漸漸已經(jīng)被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型號代替，13年年初就已經(jīng)在EOL的名單上。TI的ARM經(jīng)典型號LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名單上，官網(wǎng)已經(jīng)單獨備注上“NRND：不建議用于新設計”。
4、samsung三星
samsung擴大NAND型Flash市場主控權，DRAM模塊制造商指出，當前全球NAND型Flash缺貨態(tài)勢已相當確立，多數(shù)NAND型Flash供貨商均指出這波缺貨潮將有機會持續(xù)到2004年上半，應不是太大問題，所有的消費性產(chǎn)品及其外圍設備對于NAND型Flash需求量是只增未減，也因此使得全球第一大NAND型Flash供貨商三星為能持續(xù)保有市場占率，以及可于未來幾個月賺取到別人所望塵莫及利潤，第一階段已將其晶圓廠生產(chǎn)線，大幅度由DRAM轉做生產(chǎn)NAND型Flash。
據(jù)了解，目前三星除了持續(xù)擴增原先采用8寸廠生產(chǎn)NAND型Flash，另一方面則持續(xù)將其12寸的產(chǎn)能轉做NAND型Flash，估計到2003年底前三星12寸廠旗下約有2.5萬片產(chǎn)能，當中便會有高達50%產(chǎn)能將用于生產(chǎn)NAND型Flash，且將會開始采用0.11微米制程技術生產(chǎn)高容量Flash商品，而三星這樣隨時彈性調整其晶圓廠產(chǎn)能，將會是其未來于全球內存產(chǎn)業(yè)中最大競爭優(yōu)勢。
此外，三星為進一步達到其永久保持其NAND型Flash與競爭對手差距，更開始將其研發(fā)策略做出重大改變。停掉1Gb以下NANDFlash官網(wǎng)K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列顯示已EOL，三星過去之所以得以于全球DRAM產(chǎn)業(yè)中，不斷維持其霸主地位，原因便在于不斷采用最新制程技術生產(chǎn)DRAM顆粒，如今同樣為持續(xù)保有過去DRAM產(chǎn)業(yè)光榮傳統(tǒng)，三星已確定將接下來所謂奈米級的0.09以及0.07微米制程技術，全數(shù)改由NAND型Flash產(chǎn)品優(yōu)先使用，以利三星持續(xù)享有最佳獲利空間。
DRAM市場人士認為，由于接下來市場對于NAND型Flash容量要求是愈來愈高，因此對于最先進制程技術需求更是迫在眉睫，三星此次將旗下2大內存產(chǎn)品采用最新制程順位對調，絕對有其必要性存在，否則待其余半導體廠陸續(xù)加入后，三星如未能及時采用最新制程技術，來保有制造成本優(yōu)勢，恐將淪落與其余競爭對手僅是靠殺價來維持占有率的競爭局面。[1][2][3][4][5]下一頁
轉眼間，一年又過去了，我們踏入一個新的年份，在半導體行業(yè)里，過去的一年依然是風起云涌，暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進行提升，同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場終端產(chǎn)品的影響，各種產(chǎn)品的供需都出現(xiàn)了不同的現(xiàn)象，下面我們來看全球知名半導體原廠在2013年的表現(xiàn)，并從中窺探2014的走勢：
1、NXP
NXP的邏輯器件以及二三極管，整體來說市場占比還是不錯。今年10月開始，nxp的邏輯以及一些二三極管，普遍上調價格10%~20%不等，對于這些信息月用量在以幾K或者幾十K計的終端工廠，大多都沒察覺，畢竟這物料在BOM中的占比太少，但是到了年底感覺會大一些：在做COSTDOWN的時候發(fā)現(xiàn)供應商不會再下調。
NXP，BAT開頭系列的物料，大部分今年將停產(chǎn)。像BAT54S、BAT54W、BAT54C這些最通用的物料也將成為停產(chǎn)的對象。言語間不少NXP代理，14年都準備放棄該產(chǎn)品線，如東棉等。
2、MICROCHIP
2010年11月，Microchip收購SST不出貨，造成市場缺貨，F(xiàn)LASHSST39系列現(xiàn)貨市場翻3~4倍，SST25系列也是2~3倍的狂漲，MCU相繼也是大幅度的漲價(可參考國際電子商情相關報道)。曾經(jīng)的寵兒，現(xiàn)在成為microchip首當其沖的整治對象，13年渠道商信息透露，microchip已經(jīng)準備放棄SST產(chǎn)線，并且8位的中低端單片機如PIC18FXXXX等也在找買家準備出售。
3、TI德州儀器
13年爆發(fā)的TIDSPC2000系列缺貨潮，如果有涉及到的朋友們應該還記憶猶新。原因來源于TI13年初關閉了部分T0220F，T03P，T0247封裝廠，導致產(chǎn)能不足。用于大型家電或工業(yè)設備變頻的TMS32F2808PZA漲幅最明顯，從當時的50~52的市場價漲至100左右。用于類似變頻空調中的TMS320LF2406APAZ，價格也是一片看漲。在這兩個型號的帶動下，整個C2000系列漲聲一片，如28035、28335、2807、2812市場詢價漫天。C2000系列，一直作為TIDSP的開山元老，特別是一些如2406、2407、2808、2810、2812等成本高，漸漸已經(jīng)被新一代的TMS320F28034PNT/TMS320F28035/TMS320F28335PGFA等型號代替，13年年初就已經(jīng)在EOL的名單上。TI的ARM經(jīng)典型號LM3S9B92-IQC80-C5/LM3S9B90-IQC80-C5等一直也在EOL的名單上，官網(wǎng)已經(jīng)單獨備注上“NRND：不建議用于新設計”。
4、samsung三星
samsung擴大NAND型Flash市場主控權，DRAM模塊制造商指出，當前全球NAND型Flash缺貨態(tài)勢已相當確立，多數(shù)NAND型Flash供貨商均指出這波缺貨潮將有機會持續(xù)到2004年上半，應不是太大問題，所有的消費性產(chǎn)品及其外圍設備對于NAND型Flash需求量是只增未減，也因此使得全球第一大NAND型Flash供貨商三星為能持續(xù)保有市場占率，以及可于未來幾個月賺取到別人所望塵莫及利潤，第一階段已將其晶圓廠生產(chǎn)線，大幅度由DRAM轉做生產(chǎn)NAND型Flash。
據(jù)了解，目前三星除了持續(xù)擴增原先采用8寸廠生產(chǎn)NAND型Flash，另一方面則持續(xù)將其12寸的產(chǎn)能轉做NAND型Flash，估計到2003年底前三星12寸廠旗下約有2.5萬片產(chǎn)能，當中便會有高達50%產(chǎn)能將用于生產(chǎn)NAND型Flash，且將會開始采用0.11微米制程技術生產(chǎn)高容量Flash商品，而三星這樣隨時彈性調整其晶圓廠產(chǎn)能，將會是其未來于全球內存產(chǎn)業(yè)中最大競爭優(yōu)勢。
此外，三星為進一步達到其永久保持其NAND型Flash與競爭對手差距，更開始將其研發(fā)策略做出重大改變。停掉1Gb以下NANDFlash官網(wǎng)K9F5608UOX/K9F1208UOX/K9F1G08UOX系列顯示已EOL，三星過去之所以得以于全球DRAM產(chǎn)業(yè)中，不斷維持其霸主地位，原因便在于不斷采用最新制程技術生產(chǎn)DRAM顆粒，如今同樣為持續(xù)保有過去DRAM產(chǎn)業(yè)光榮傳統(tǒng)，三星已確定將接下來所謂奈米級的0.09以及0.07微米制程技術，全數(shù)改由NAND型Flash產(chǎn)品優(yōu)先使用，以利三星持續(xù)享有最佳獲利空間。
DRAM市場人士認為，由于接下來市場對于NAND型Flash容量要求是愈來愈高，因此對于最先進制程技術需求更是迫在眉睫，三星此次將旗下2大內存產(chǎn)品采用最新制程順位對調，絕對有其必要性存在，否則待其余半導體廠陸續(xù)加入后，三星如未能及時采用最新制程技術，來保有制造成本優(yōu)勢，恐將淪落與其余競爭對手僅是靠殺價來維持占有率的競爭局面。[1][2][3][4][5]下一頁
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