武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲(chǔ)器為特色
[導(dǎo)讀]武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。“目前已
武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營?！澳壳耙呀M建了完整的國際化團(tuán)隊(duì)，包括研發(fā)生產(chǎn)、市場(chǎng)銷售和IP管理等方面的專家，核心管理團(tuán)隊(duì)成員具有幾十年的國內(nèi)外知名公司從業(yè)經(jīng)驗(yàn)?！蔽錆h新芯董事長王繼增說。
IP體系建成
XMC自獨(dú)立運(yùn)營伊始，就在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面進(jìn)行布局，包括從IBM獲得了65nm、45nm的邏輯技術(shù)和65nm射頻技術(shù)的授權(quán);同時(shí)與由中科院微電子所為首的多家單位組成的產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)--¬¬國家集成電路先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心合作，在尖端技術(shù)上進(jìn)行布局，“我們希望和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的上下游在IP上進(jìn)行共同布局，同時(shí)繼續(xù)獲得一些專利技術(shù)授權(quán)，以盡快地建立起XMC自主完善的IP體系?！蓖趵^增說。
有別于華力和SMIC，XMC以存儲(chǔ)器為其發(fā)展特色。早在SMIC委托管理時(shí)期，XMC就開始為Spansion代工NOR閃存。目前NOR有兩大技術(shù)體系，一類是ETOX，是Floating-Gate(浮柵)技術(shù);另外是與Spansion合作的MirrorBit技術(shù)。XMC已經(jīng)成功的大規(guī)模量產(chǎn)了90、65和45nm的NORFlash產(chǎn)品，目前正在進(jìn)行32nm工藝技術(shù)的研發(fā)，預(yù)計(jì)2015年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
XMC擁有全球最領(lǐng)先的NORFlash制造技術(shù)和研發(fā)儲(chǔ)備。2010年，全球第一款基于65nm，4GbNORFlash芯片在XMC大規(guī)模量產(chǎn);2012年，XMC成為全球首家成功研發(fā)45nmNORFlash的公司;2013年，XMC全球首發(fā)45nm，8GbNORFlash產(chǎn)品;XMC是全球唯一一家正在研發(fā)32nmNORFlash的公司。
另外，XMC的另一特色是背照式圖像傳感器(BSI)制造技術(shù)，與全球圖像傳感器的領(lǐng)導(dǎo)廠商合作。
找尋特色
國內(nèi)目前只有3家公司具有12英寸晶圓制造能力。邏輯方面SMIC占到了國內(nèi)的主導(dǎo)地位，其技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)推進(jìn)到了28nm，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。華力微電子也是以邏輯代工為主業(yè)，據(jù)稱，其28nm將在2015年推出。
在這3家代工廠中，XMC應(yīng)該具備什么特色?
“我們分析NAND存儲(chǔ)器可能是一個(gè)方向，尤其是3DNAND。目前2DNANDFlash已經(jīng)進(jìn)入1Xnm時(shí)代，幾近于其物理極限，微縮的成本和工藝難度都急劇上升。據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，從2016年起，2DNAND將會(huì)被迅速取代，3DNAND快速增長。”王繼增預(yù)計(jì)。目前三星剛推出樣品，估計(jì)2014年量產(chǎn)，2015年年底大批量投產(chǎn)。“我們預(yù)計(jì)用兩年多時(shí)間做出來3D產(chǎn)品?！?BR>
存儲(chǔ)器市場(chǎng)很大，僅NAND閃存一項(xiàng)，其全球市場(chǎng)就接近400億美元規(guī)模，而國內(nèi)的用量超過全球總用量的50%，市場(chǎng)相當(dāng)可觀。但是，國內(nèi)目前沒有公司具備這種生產(chǎn)能力。
另外，3D是一個(gè)完全不同的技術(shù)方向，相對(duì)于2DNAND對(duì)微縮技術(shù)的要求，3DNAND的關(guān)鍵技術(shù)是極度復(fù)雜的刻蝕和薄膜工藝。不僅如此，美光和SK海力士也是剛剛開始研制該技術(shù)，大家站在同一起跑線上。
同時(shí)，XMC在商業(yè)模式上也在進(jìn)行摸索，提出了有別于國內(nèi)其它公司的商業(yè)模式——ISM(集成的次系統(tǒng)組件制造商)，主要是采用新的商業(yè)模式，推動(dòng)國內(nèi)3DNAND產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?？紤]到國內(nèi)的封裝測(cè)試業(yè)相對(duì)成熟，XMC的主要精力僅放在3DNAND產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造與次系統(tǒng)組件產(chǎn)品(SSD,eMMC，eMCP)應(yīng)用方面，不再投資封裝和測(cè)試領(lǐng)域。
XMC目前不打算做DRAM。王繼增解釋道，DRAM過去依靠PC來推動(dòng)其發(fā)展，但是，隨著移動(dòng)裝置的迅速發(fā)展，PC市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)了萎縮的苗頭。MobileDRAM是當(dāng)下的發(fā)展熱點(diǎn)。不同于NANDFlash目前正處于一個(gè)從2D向3D過渡的轉(zhuǎn)折時(shí)期，DRAM技術(shù)的發(fā)展依然靠傳統(tǒng)的微縮技術(shù)。在此方面，美光、三星和SK海力士等已經(jīng)占據(jù)了市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，形成了很高的技術(shù)和市場(chǎng)壁壘。所以，XMC目前不準(zhǔn)備切入DRAM市場(chǎng)。
分析：XMC能做出特色嗎?
自2012年底獨(dú)立運(yùn)營開始，XMC建立了國際化的管理團(tuán)隊(duì)，也已經(jīng)在IP方面完成了戰(zhàn)略布局。XMC選擇了我國閃存制造業(yè)的空白進(jìn)行突破，思路巧妙。
實(shí)現(xiàn)3DNAND有許多關(guān)鍵性的技術(shù)，其中之一為SONOS結(jié)構(gòu)。XMC已經(jīng)在該項(xiàng)技術(shù)上積累了多年的制造和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。
盡管不走微縮工藝路線，3DNAND閃存制造仍然有眾多工藝難關(guān)需要攻克，面臨著一定的風(fēng)險(xiǎn)，需要人們的理解和支持?！拔覀儾皇前?。”王繼增在采訪中多次表示。相信XMC在不斷的努力下，以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游乃至社會(huì)各界的支持下，會(huì)在2015年圓夢(mèng)!
同時(shí)，市場(chǎng)風(fēng)云變幻，XMC也要積極開拓思路，緊緊圍繞客戶或一些風(fēng)生水起的產(chǎn)品開拓些新業(yè)務(wù)，盡早實(shí)現(xiàn)贏利。
IP體系建成
XMC自獨(dú)立運(yùn)營伊始，就在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面進(jìn)行布局，包括從IBM獲得了65nm、45nm的邏輯技術(shù)和65nm射頻技術(shù)的授權(quán);同時(shí)與由中科院微電子所為首的多家單位組成的產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)--¬¬國家集成電路先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心合作，在尖端技術(shù)上進(jìn)行布局，“我們希望和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的上下游在IP上進(jìn)行共同布局，同時(shí)繼續(xù)獲得一些專利技術(shù)授權(quán)，以盡快地建立起XMC自主完善的IP體系?！蓖趵^增說。
有別于華力和SMIC，XMC以存儲(chǔ)器為其發(fā)展特色。早在SMIC委托管理時(shí)期，XMC就開始為Spansion代工NOR閃存。目前NOR有兩大技術(shù)體系，一類是ETOX，是Floating-Gate(浮柵)技術(shù);另外是與Spansion合作的MirrorBit技術(shù)。XMC已經(jīng)成功的大規(guī)模量產(chǎn)了90、65和45nm的NORFlash產(chǎn)品，目前正在進(jìn)行32nm工藝技術(shù)的研發(fā)，預(yù)計(jì)2015年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
XMC擁有全球最領(lǐng)先的NORFlash制造技術(shù)和研發(fā)儲(chǔ)備。2010年，全球第一款基于65nm，4GbNORFlash芯片在XMC大規(guī)模量產(chǎn);2012年，XMC成為全球首家成功研發(fā)45nmNORFlash的公司;2013年，XMC全球首發(fā)45nm，8GbNORFlash產(chǎn)品;XMC是全球唯一一家正在研發(fā)32nmNORFlash的公司。
另外，XMC的另一特色是背照式圖像傳感器(BSI)制造技術(shù)，與全球圖像傳感器的領(lǐng)導(dǎo)廠商合作。
找尋特色
國內(nèi)目前只有3家公司具有12英寸晶圓制造能力。邏輯方面SMIC占到了國內(nèi)的主導(dǎo)地位，其技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)推進(jìn)到了28nm，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。華力微電子也是以邏輯代工為主業(yè)，據(jù)稱，其28nm將在2015年推出。
在這3家代工廠中，XMC應(yīng)該具備什么特色?
“我們分析NAND存儲(chǔ)器可能是一個(gè)方向，尤其是3DNAND。目前2DNANDFlash已經(jīng)進(jìn)入1Xnm時(shí)代，幾近于其物理極限，微縮的成本和工藝難度都急劇上升。據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，從2016年起，2DNAND將會(huì)被迅速取代，3DNAND快速增長。”王繼增預(yù)計(jì)。目前三星剛推出樣品，估計(jì)2014年量產(chǎn)，2015年年底大批量投產(chǎn)。“我們預(yù)計(jì)用兩年多時(shí)間做出來3D產(chǎn)品?！?BR>
存儲(chǔ)器市場(chǎng)很大，僅NAND閃存一項(xiàng)，其全球市場(chǎng)就接近400億美元規(guī)模，而國內(nèi)的用量超過全球總用量的50%，市場(chǎng)相當(dāng)可觀。但是，國內(nèi)目前沒有公司具備這種生產(chǎn)能力。
另外，3D是一個(gè)完全不同的技術(shù)方向，相對(duì)于2DNAND對(duì)微縮技術(shù)的要求，3DNAND的關(guān)鍵技術(shù)是極度復(fù)雜的刻蝕和薄膜工藝。不僅如此，美光和SK海力士也是剛剛開始研制該技術(shù)，大家站在同一起跑線上。
同時(shí)，XMC在商業(yè)模式上也在進(jìn)行摸索，提出了有別于國內(nèi)其它公司的商業(yè)模式——ISM(集成的次系統(tǒng)組件制造商)，主要是采用新的商業(yè)模式，推動(dòng)國內(nèi)3DNAND產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?？紤]到國內(nèi)的封裝測(cè)試業(yè)相對(duì)成熟，XMC的主要精力僅放在3DNAND產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造與次系統(tǒng)組件產(chǎn)品(SSD,eMMC，eMCP)應(yīng)用方面，不再投資封裝和測(cè)試領(lǐng)域。
XMC目前不打算做DRAM。王繼增解釋道，DRAM過去依靠PC來推動(dòng)其發(fā)展，但是，隨著移動(dòng)裝置的迅速發(fā)展，PC市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)了萎縮的苗頭。MobileDRAM是當(dāng)下的發(fā)展熱點(diǎn)。不同于NANDFlash目前正處于一個(gè)從2D向3D過渡的轉(zhuǎn)折時(shí)期，DRAM技術(shù)的發(fā)展依然靠傳統(tǒng)的微縮技術(shù)。在此方面，美光、三星和SK海力士等已經(jīng)占據(jù)了市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，形成了很高的技術(shù)和市場(chǎng)壁壘。所以，XMC目前不準(zhǔn)備切入DRAM市場(chǎng)。
分析：XMC能做出特色嗎?
自2012年底獨(dú)立運(yùn)營開始，XMC建立了國際化的管理團(tuán)隊(duì)，也已經(jīng)在IP方面完成了戰(zhàn)略布局。XMC選擇了我國閃存制造業(yè)的空白進(jìn)行突破，思路巧妙。
實(shí)現(xiàn)3DNAND有許多關(guān)鍵性的技術(shù)，其中之一為SONOS結(jié)構(gòu)。XMC已經(jīng)在該項(xiàng)技術(shù)上積累了多年的制造和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。
盡管不走微縮工藝路線，3DNAND閃存制造仍然有眾多工藝難關(guān)需要攻克，面臨著一定的風(fēng)險(xiǎn)，需要人們的理解和支持?！拔覀儾皇前?。”王繼增在采訪中多次表示。相信XMC在不斷的努力下，以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游乃至社會(huì)各界的支持下，會(huì)在2015年圓夢(mèng)!
同時(shí)，市場(chǎng)風(fēng)云變幻，XMC也要積極開拓思路，緊緊圍繞客戶或一些風(fēng)生水起的產(chǎn)品開拓些新業(yè)務(wù)，盡早實(shí)現(xiàn)贏利。
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