晶圓代工/DRAM領(lǐng)軍　半導(dǎo)體產(chǎn)值今年強(qiáng)彈

時(shí)間：2013-04-11 14:25:12

關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體晶圓代工半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

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[導(dǎo)讀]2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強(qiáng)勁成長(zhǎng)4.5%，一掃去年下滑2.7%的陰霾。由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對(duì)去年穩(wěn)定，且行動(dòng)裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28、20奈米(nm)先進(jìn)制程的需求持續(xù)涌現(xiàn)，加上動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)市場(chǎng)供需趨于平衡等

2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強(qiáng)勁成長(zhǎng)4.5%，一掃去年下滑2.7%的陰霾。由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對(duì)去年穩(wěn)定，且行動(dòng)裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28、20奈米(nm)先進(jìn)制程的需求持續(xù)涌現(xiàn)，加上動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)市場(chǎng)供需趨于平衡等正面因素加持，2013年晶圓代工與記憶體產(chǎn)值皆將大幅成長(zhǎng)，成為帶動(dòng)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值回升的雙引擎。

顧能(Gartner)科技與服務(wù)廠商研究事業(yè)處副總裁王端表示，去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因大環(huán)境不佳，年產(chǎn)值跟著衰退2.7%；但是，今年初全球經(jīng)濟(jì)狀況已呈現(xiàn)逐漸復(fù)蘇跡象，且半導(dǎo)體業(yè)者的庫(kù)存去化動(dòng)作也將于第二季告一段落，可望重啟備貨計(jì)劃，將促進(jìn)晶圓代工產(chǎn)值于第三季爆發(fā)成長(zhǎng)，全年則將繳出7.6%年增率的亮麗成績(jī)單，進(jìn)一步帶動(dòng)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)到3,121億美元，較去年反彈成長(zhǎng)4.5%。

值此同時(shí)，一線晶圓廠正全力擴(kuò)產(chǎn)28奈米(nm)產(chǎn)能，并加緊研發(fā)20奈米以下鰭式電晶體(FinFET)先進(jìn)制程和18寸晶圓制造技術(shù)，也將刺激相關(guān)設(shè)備、材料需求高漲，足見今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將顯著回溫。

不僅如此，去年淪為“慘”業(yè)的DRAM，今年一開春價(jià)格便不斷走揚(yáng)，也將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)心針。王端分析，由于近2年來(lái)記憶體制造廠均不再擴(kuò)產(chǎn)，逐漸讓市場(chǎng)供需恢復(fù)平衡，因此DRAM合約價(jià)格也開始回穩(wěn)，讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)體質(zhì)更健康?，F(xiàn)階段，DRAM供應(yīng)量甚至有點(diǎn)趕不上市場(chǎng)需求，價(jià)格走勢(shì)持續(xù)微幅上漲，預(yù)估今年記憶體業(yè)將擺脫去年負(fù)成長(zhǎng)的窘?jīng)r，產(chǎn)值飆漲12.3%。

展望2014年，王端則強(qiáng)調(diào)，隨著20奈米以下的FinFET制程開始投產(chǎn)，帶動(dòng)晶圓廠新一波擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，以及IC設(shè)計(jì)業(yè)者的產(chǎn)品制程轉(zhuǎn)換潮，更將促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)值再飆升7.7%。其中，晶圓代工產(chǎn)業(yè)漲勢(shì)最強(qiáng)，將達(dá)到9.1%的成長(zhǎng)率，優(yōu)于整體表現(xiàn)。