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[導(dǎo)讀]剛剛過(guò)去的2012年對(duì)于TDD產(chǎn)業(yè)而言,可以說(shuō)是歷史性的拐點(diǎn)。在去年,TD-LTE-A正式成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),全球掀起部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的熱潮;同時(shí),在國(guó)家意志的強(qiáng)力推動(dòng)之下,我國(guó)D頻段采用全TDD劃分得以確定,以我國(guó)為主導(dǎo)的T

剛剛過(guò)去的2012年對(duì)于TDD產(chǎn)業(yè)而言,可以說(shuō)是歷史性的拐點(diǎn)。在去年,TD-LTE-A正式成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),全球掀起部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的熱潮;同時(shí),在國(guó)家意志的強(qiáng)力推動(dòng)之下,我國(guó)D頻段采用全TDD劃分得以確定,以我國(guó)為主導(dǎo)的TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈終于進(jìn)入了快車道。

其中,作為整個(gè)TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭企業(yè),中國(guó)移動(dòng)也在2012年中順利完成規(guī)模試驗(yàn)測(cè)試工作,并正式啟動(dòng)了10+5城市擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)絡(luò)建設(shè),并完成2萬(wàn)個(gè)基站的建設(shè),并將在今年啟動(dòng)100城市的設(shè)備采購(gòu)和網(wǎng)絡(luò)建設(shè)工作,預(yù)計(jì)基站規(guī)模超過(guò)20萬(wàn)個(gè)。

年末,中國(guó)移動(dòng)香港公司成功商用TD-LTELTEFDD雙模網(wǎng)絡(luò)無(wú)疑為TD產(chǎn)業(yè)鏈再次注入一股強(qiáng)心劑。但是,在看到曙光的同時(shí),TD-LTE能否成功大規(guī)模商用還存在諸多挑戰(zhàn)。

其中,TD-LTE終端芯片就是其發(fā)展的一大短板,業(yè)界需要開(kāi)發(fā)出支持多模、多業(yè)務(wù)、多頻段,同時(shí),價(jià)格便宜、耗電量低、具備高安全性能的智能終端芯片。為此,各芯片廠商都在不遺余力推出適合TD-LTE商用發(fā)展的終端芯片。與TD-SCDMA芯片主流供應(yīng)商以民族企業(yè)為主不同的是,在TD-LTE芯片市場(chǎng)上,玩家們的數(shù)量和體量也在逐步壯大,其中不乏高通、英特爾、Marvell這樣的國(guó)際大廠。

TD芯片歷經(jīng)“起承轉(zhuǎn)合”

談及TD芯片市場(chǎng)的發(fā)展,不得不從TD-SCDMA的發(fā)展開(kāi)始說(shuō)起。在3G商用以前,雖然,TD-SCDMA貴為全球第三代移動(dòng)通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),但外資芯片企業(yè)普遍不看好TD發(fā)展前景,芯片的滯后嚴(yán)重影響了TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2009年3G牌照發(fā)放后,在中國(guó)移動(dòng)的強(qiáng)力推動(dòng)下,經(jīng)過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)的共同攻堅(jiān),TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)和優(yōu)化基本完善,芯片這一制約TD-SCDMA發(fā)展的瓶頸問(wèn)題得到了根本解決。各芯片廠商都擁有了從低端功能機(jī)到高端智能機(jī)的芯片及解決方案。

由于中國(guó)移動(dòng)在3G時(shí)代落后,所以其率先投入LTE研究中,在其TD-LTE規(guī)模實(shí)驗(yàn)帶動(dòng)下,2011年中國(guó)TD-LTE終端芯片銷量較2010年有爆炸式增長(zhǎng),雖然TD-LTE終端芯片全體依然處于規(guī)模實(shí)驗(yàn)測(cè)試階段,但鑒于中國(guó)龐大的潛在市場(chǎng),外國(guó)芯片廠商陸續(xù)擇機(jī)進(jìn)入此市場(chǎng)。

鑒于TD-SCDMA的發(fā)展經(jīng)驗(yàn),工業(yè)和信息化部電信研究院與中國(guó)移動(dòng)在TD-LTE發(fā)展伊始,就多次強(qiáng)調(diào)加快終端芯片發(fā)展的緊迫性。TD技術(shù)論壇秘書(shū)長(zhǎng)時(shí)光曾表示,導(dǎo)致TD-LTE終端芯片發(fā)展較慢的原因來(lái)自兩方面:一是商用進(jìn)度與頻譜劃分的不確定;二是用戶對(duì)終端芯片的高要求。

“在不確定因素方面,頻率分配直接影響芯片的設(shè)計(jì)。與系統(tǒng)設(shè)備改動(dòng)較小不同,如果頻率有改動(dòng),整個(gè)芯片甚至終端都要改動(dòng)。頻率的不確定,使得終端芯片的研發(fā)投入和技術(shù)方向都不確定?!睍r(shí)光如是說(shuō)。

另外,時(shí)光表示:“未來(lái)的網(wǎng)絡(luò)是多種制式共存的,芯片將面對(duì)從800MHz到2.6GHz的各種頻段,從GSM到TD-LTE的各種制式,從語(yǔ)音到視頻互動(dòng)等各種數(shù)據(jù)速率的業(yè)務(wù)。”

TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)楊驊也表示:“由于要承載從GSM到TD-SCDMA到TD-LTE,甚至兼容LTE-FDD等多種通信技術(shù),以及百兆級(jí)的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù),必須使芯片在同樣體積大小下,功能大幅提升,同時(shí)功耗更低。在復(fù)雜度增加的情況下,人們要求終端芯片的能耗要更低、集成度要更高,而同時(shí)又要求更低的價(jià)格?!?BR>
雖然TD-LTE終端芯片發(fā)展面臨很多挑戰(zhàn),但是相比TD-SCDMA取得了不小的進(jìn)步。在TD-LTE第一階段規(guī)模實(shí)驗(yàn)中,已經(jīng)有11家芯片廠商和多家終端廠商參與其中。而2012年,TD-LTE市場(chǎng)迎來(lái)轉(zhuǎn)折,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的地位確立與D頻譜的劃分,TD-LTE芯片市場(chǎng)也迎來(lái)春天。

多模多頻多核高唱主旋

從模擬到數(shù)字再到多媒體時(shí)代,全球3G已成熟商用,4G正規(guī)模部署并加快推進(jìn)LTE商用步伐,2012年,多模多頻多核的芯片成為L(zhǎng)TE時(shí)代發(fā)展下的主旋律。

中國(guó)移動(dòng)終端公司總經(jīng)理助理唐劍鋒曾表示,“目前TD-LTE發(fā)展仍存在五個(gè)問(wèn)題:平臺(tái)集成度還需提高;需要開(kāi)發(fā)三模芯片支持漫游;3G信號(hào)繼續(xù)優(yōu)化;需要更多支持TD的前置射頻方案;開(kāi)發(fā)更多垂直應(yīng)用。而中國(guó)移動(dòng)也將繼續(xù)推進(jìn)TDD、FDD的融合,繼而推動(dòng)多模多頻終端的發(fā)展?!?BR>
TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)楊驊也表示,“從數(shù)字通信的發(fā)展歷史來(lái)看,多模融合是必然的趨勢(shì),未來(lái)TD-SCDMA和TD-LTE是長(zhǎng)期融合發(fā)展的勢(shì)態(tài),TD-LTE必然會(huì)向TDD和FDD多模演進(jìn)。”

LTE將TDD和FDD技術(shù)統(tǒng)一起來(lái),基于同一核心網(wǎng)共享設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)管理,平衡網(wǎng)絡(luò)的覆蓋和容量,減輕互操作和漫游壓力,有效地利用頻譜和地域資源。而這對(duì)于當(dāng)前LTE通信處理器芯片技術(shù)水平而言,是一場(chǎng)前所未有的挑戰(zhàn)。

芯片的集成度將不斷提高,處理能力也需要大幅度提升,同時(shí),對(duì)多媒體需求的處理能力將會(huì)增強(qiáng)。手機(jī)芯片整個(gè)趨勢(shì)是向低成本、高集成度、高處理能力的方向發(fā)展。

而從OEM廠商和消費(fèi)者的需求上來(lái)看,千元智能手機(jī)以其高性價(jià)比,繼續(xù)領(lǐng)跑智能機(jī)市場(chǎng),智能終端芯片成為市場(chǎng)主流,雙核、四核CPU,強(qiáng)大的3D性能,高清攝像等多媒體能力成為市場(chǎng)關(guān)注重點(diǎn)。

對(duì)此,Marvell在2012年推出PXA1802多模LTE通信處理器,Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路表示,其能較好地解決TD-SCDMA和LTE共存和融合問(wèn)題,又兼顧FDD和TDD兩大陣營(yíng),實(shí)現(xiàn)通信系統(tǒng)3G/4G平滑交接演進(jìn),使未來(lái)網(wǎng)絡(luò)與移動(dòng)終端設(shè)備的無(wú)縫連接成為可能,為高帶寬需求的移動(dòng)應(yīng)用和多媒體設(shè)備提供所需的性能。

而聯(lián)芯科技也在2012年推出了LTE多模芯片LC1761和純LTE芯片LC1761L,LC1761目前已滿足中國(guó)移動(dòng)TD-SCDMA+TD-LTE全部頻段要求,之后聯(lián)芯科技還宣布今后會(huì)向全模的方向演進(jìn)。

“兩低一高”仍在加碼

在發(fā)展多模多頻多核芯片時(shí),功耗和成本又成為“老大難”問(wèn)題。如何降低成本和功耗,同時(shí)提升產(chǎn)品安全性依舊是芯片廠商在重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。

在3G時(shí)代早期時(shí)代,多模TD芯片廠商基本采用65納米甚至90納米工藝制程,成本功耗高居不下,一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展,但是隨著制程工藝技術(shù)的不斷提高,40納米甚至28納米TD芯片不斷出現(xiàn),TD-LTD芯片的發(fā)展必須汲取教訓(xùn)才能加速發(fā)展。

2012年2月,工業(yè)和信息化部發(fā)布了《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》,要求芯片制造業(yè)目標(biāo)是,大生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到12英寸、32納米的成套工藝,逐步導(dǎo)入28納米工藝。著力發(fā)展芯片設(shè)計(jì)業(yè),開(kāi)發(fā)高性能集成電路產(chǎn)品被列為“十二五”的發(fā)展重點(diǎn)。

據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示,采用28nm新工藝的芯片,多核通信處理器將比40nm產(chǎn)品快400%,同時(shí)功耗降低多達(dá)60%。為此,芯片廠商正通過(guò)提升28nm工藝技術(shù)的方式,加快LTE發(fā)展進(jìn)程。[!--empirenews.page--]

2012年,博通推出業(yè)界首款28nm多核通信芯片系列XLP200,高通公司也推出了支持TD-LTE和TD-SCDMA的驍龍S4PlusMSM8930,該處理器采用28nm工藝,而終端芯片廠商推進(jìn)28nm工藝產(chǎn)品量產(chǎn)的腳步正在加快,不過(guò)擁有成熟的技術(shù)和量產(chǎn)的能力,還需要芯片廠商解決眾多后續(xù)問(wèn)題。

目前,芯片領(lǐng)域主流產(chǎn)品依舊采用32nm和40nm的工藝技術(shù),Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路表示,Marvell在芯片高度集成和低功耗設(shè)計(jì)上已經(jīng)積累了很多技術(shù)經(jīng)驗(yàn),在此積累下,Marvell在PXA1802產(chǎn)品基礎(chǔ)上,將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),加速推出新一代TD-LTE單芯片產(chǎn)品。

對(duì)于安全方面,據(jù)張路介紹,無(wú)論從生產(chǎn)還是使用環(huán)節(jié),Marvell產(chǎn)品都有能實(shí)現(xiàn)防盜等安全保護(hù)功能。從第一代手機(jī)芯片產(chǎn)品開(kāi)始,Marvell就從硬件架構(gòu)上和最底層設(shè)計(jì)上,前瞻性地考慮到芯片安全功能。而在TD-LTE產(chǎn)品架構(gòu)上,Marvell更是將新安全架構(gòu)融入到硬件設(shè)計(jì)中,提供能夠支持多個(gè)安全需求的多模單芯片。

而聯(lián)芯科技相關(guān)負(fù)責(zé)人也表示,成本、功耗和安全正是聯(lián)芯科技的芯片產(chǎn)品關(guān)注的重點(diǎn)?!奥?lián)芯科技的TD-SCDMA基帶芯片LC1713,是業(yè)界體積和功耗最小的基帶方案,被應(yīng)用在最近上市的MotoMT788、酷派四核8730以及中興四核手機(jī)U985上?!?BR>
據(jù)他介紹,在切入智能手機(jī)市場(chǎng)之初,聯(lián)芯科技就注重提高集成度,采用SOC技術(shù)將AP和基帶整合,在滿足性能要求的同時(shí),以加強(qiáng)對(duì)成本和功耗的貢獻(xiàn)。而在LTE方面,LC1760產(chǎn)品憑借其此方面優(yōu)勢(shì),在今年中移動(dòng)幾次的招標(biāo)中均有所獲,目前,正在加緊研發(fā)測(cè)試的LC1761,在成本、功耗和安全將更有所突破。

成熟與否還需等待時(shí)機(jī)

雖然,芯片廠商為滿足TD-LTE發(fā)展需求,不斷開(kāi)發(fā)和完善TD-LTE芯片,但是從今年爆出的TD-LTE芯片測(cè)試結(jié)果顯示,TD-LTE的芯片能力尚未完全達(dá)到商用要求,甚至逾半數(shù)參測(cè)企業(yè)的芯片產(chǎn)品通過(guò)率低于50%。

由此可見(jiàn),中國(guó)移動(dòng)汲取在3G時(shí)代TD-SCDMA發(fā)展問(wèn)題的經(jīng)驗(yàn),更加注重TD-LTE的發(fā)展,對(duì)TD-LTE商用要求越來(lái)越高,測(cè)試也越來(lái)越嚴(yán)格。目前,對(duì)于TD-LTE芯片的重點(diǎn)測(cè)試已進(jìn)行兩輪。

在去年10至12月第一輪芯片方案一致性測(cè)試過(guò)程中,Altair、海思、創(chuàng)毅、重郵、中興微電子、Sequans、聯(lián)芯等參與了協(xié)議和射頻方面的測(cè)試。中興微電子、聯(lián)芯科技、創(chuàng)毅視訊三廠商率先入圍,參與第二階段規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)。而在今年4至6月進(jìn)行的第二輪測(cè)試中,增加了展訊和Marvell等廠商,測(cè)試內(nèi)容增加了RRM和機(jī)卡等內(nèi)容。

從工信部公布的測(cè)試結(jié)果來(lái)看,在參測(cè)9家企業(yè)中,只有1家企業(yè)的產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)100%通過(guò)測(cè)試;3家企業(yè)的產(chǎn)品表現(xiàn)良好,指標(biāo)通過(guò)率達(dá)80%;而其他5家則不太理想,通過(guò)率低于50%。

為此,Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路表示,各種技術(shù)的成熟都需要一個(gè)過(guò)程,同時(shí),還與LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)過(guò)程中的穩(wěn)定性、干擾程度等因素有關(guān)系。另外,測(cè)試環(huán)境本身也具有很大的復(fù)雜性,極不穩(wěn)定,測(cè)試不理想并不一定是芯片問(wèn)題,可能是網(wǎng)絡(luò)問(wèn)題,現(xiàn)下定論可謂為時(shí)尚早。

而聯(lián)芯科技相關(guān)負(fù)責(zé)人也表示贊同,“一款芯片從推出到成熟商用,一般都要經(jīng)歷1到2年時(shí)間;由于設(shè)計(jì)復(fù)雜度的提升,花費(fèi)的時(shí)間可能更長(zhǎng)。規(guī)模試驗(yàn)初期發(fā)現(xiàn)一些測(cè)試問(wèn)題,是每一個(gè)系統(tǒng)工程都要經(jīng)歷的階段?!?BR>
相對(duì)于TD-SCDMA,TD-LTE有著非常明顯的進(jìn)步,尤其在中國(guó)移動(dòng)帶頭推動(dòng)下,發(fā)展速度極快。因此目前,芯片廠家都在非常努力改進(jìn)芯片多方面的功能和性能問(wèn)題,以期在運(yùn)營(yíng)商正式商用前提供成熟度滿足要求的芯片產(chǎn)品。

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