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[導(dǎo)讀]力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時,也積極往NANDFlash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NANDFlash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷,同時也呼吁美光(Micron)趕快把NANDFlash技術(shù)技轉(zhuǎn)

力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時,也積極往NANDFlash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NANDFlash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷,同時也呼吁美光(Micron)趕快把NANDFlash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科,臺廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè),才有一起得救的機會;再者,他也暗示面板業(yè)資金借貸遠比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大,是政府和市場要重視之處。

力晶的NANDFlash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas),早期幫是做代工,后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶,力晶接手后自己銜接技術(shù)研發(fā),目前已量產(chǎn)40奈米制程,年底導(dǎo)入30奈米制程,且2012年還要轉(zhuǎn)進28奈米制程。黃崇仁相當自豪表示,雖然很多臺廠都說要做NANDFlash,包括很多NORFlash廠也說要跨足NANDFlash技術(shù),但力晶是臺灣第1家擁有NANDFlash自有技術(shù)和產(chǎn)品的公司,以后不要再說臺灣內(nèi)存完全沒有自有技術(shù)了!

黃崇仁分析,同樣一片晶圓,做NANDFlash比做標準型DRAM價格高出許多,NANDFlash產(chǎn)業(yè)受惠智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬盤(SSD)、輕薄型筆記本電腦Ultrabook等行動裝置應(yīng)用,NANDFlash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值也快追上標準型DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值,NANDFlash產(chǎn)業(yè)絕對是大勢所趨。

黃崇仁進一步分析,國際大廠通常不愿意把NANDFlash技術(shù)授權(quán)給臺廠,因為以臺廠的生產(chǎn)功力和產(chǎn)能規(guī)模,NANDFlash價格很快會被打爛,國際大廠刻意維持這種平衡的策略,目的也是保持自己的高利潤,而低毛利的標準型DRAM產(chǎn)品就留給臺廠生產(chǎn)。

因此,黃崇仁積極呼吁,美光應(yīng)該趕快把NANDFlash技術(shù)授權(quán)給南亞科和華亞科,這2家臺廠不應(yīng)該再把這么多產(chǎn)能都死守在標準型DRAM上,這樣不但不利于全球DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡,同時也不利于自己,臺塑集團與其花這么多錢去升級標準型DRAM制程,這如拿去投NANDFlash技術(shù)。

對于臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)未來會如何發(fā)展?是否還有整并機會?黃崇仁表示,就如上述所言,不是沒機會,是要趕快轉(zhuǎn)型,不能死守標準型DRAM,力晶已經(jīng)在朝此方向前進,再者,外界都把焦點放在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的財務(wù)壓力,其實面板產(chǎn)業(yè)借貸資金壓力更大,外界和政府應(yīng)該多多專注。

他也分析,過去DRAM產(chǎn)業(yè)生存的不二法門是制程微縮,過去是1、2年轉(zhuǎn)進1個世代,但現(xiàn)在因為DRAM廠要籌資蓋廠、擴產(chǎn)相當困難,因此在制程微縮上下足功夫,幾乎是1年前進2個世代,導(dǎo)致雖然很多DRAM廠都不生產(chǎn)標準型DRAM了,但全球DRAM產(chǎn)能仍是過剩,全是制程微縮惹的禍!

像是掌握全球60%市占率的韓系大廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix),三星也將標準型DRAM產(chǎn)能降至30%,海力士也一樣,但全球DRAM供需仍是嚴重供過于求,價格持續(xù)下滑。

以力晶為例,年初的制程是65奈米制程,年中進展到40奈米制程,2012年初會再轉(zhuǎn)進30奈米制程,這樣的制程微縮是非常可怕的,力晶和爾必達(Elpida)陣營的優(yōu)勢是40奈米轉(zhuǎn)進30奈米不會再投資錢,但其他廠不一樣,每一次制程轉(zhuǎn)換都是百億的投資金額。

黃崇仁指出,除了供給端因為制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能大增外,PC產(chǎn)業(yè)也面臨內(nèi)存搭載率提升不上來,像是平板計算機等對于標準型DRAM需求減少,都是產(chǎn)業(yè)積弱不振主因,既有臺系DRAM廠的解決之道光是轉(zhuǎn)進MobileRAM和服務(wù)器DRAM是不夠的,要像力晶一樣轉(zhuǎn)進NANDFlash才是可行之道。

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