臺(tái)積電28納米明年初放量

時(shí)間：2011-09-07 11:06:54

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 EUV 納米芯片紫外光

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅(jiān)昨（6）日參加臺(tái)灣半導(dǎo)體展（SEMICONTaiwan）展前記者會(huì)時(shí)指出，臺(tái)積電28納米今年底小量生產(chǎn)，明年初預(yù)估量會(huì)放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸潤(rùn)式（immersion）微影技術(shù)。臺(tái)積

臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅(jiān)昨（6）日參加臺(tái)灣半導(dǎo)體展（SEMICONTaiwan）展前記者會(huì)時(shí)指出，臺(tái)積電28納米今年底小量生產(chǎn)，明年初預(yù)估量會(huì)放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸潤(rùn)式（immersion）微影技術(shù)。臺(tái)積電正在進(jìn)行20納米研發(fā)，因次世代的極紫外光（EUV）及多重電子束（MEB）的生產(chǎn)準(zhǔn)備仍無(wú)法完成，所以20納米還會(huì)采用多重曝影技術(shù)，14納米時(shí)再試看看EUV或MEB等新技術(shù)。

林本堅(jiān)表示，先進(jìn)的微影技術(shù)正位于一個(gè)關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，光微影制程已突破至每個(gè)關(guān)鍵層上進(jìn)行多重曝光，以降低成本和提高設(shè)計(jì)彈性，但現(xiàn)在發(fā)展出的EUV及MEB等技術(shù)，都還未能進(jìn)入量產(chǎn)階段，設(shè)備成本也太高。以臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，即將量產(chǎn)的28納米及下一世代的20納米，仍將采用多重曝影的浸潤(rùn)式微影技術(shù)，未來(lái)14納米時(shí)還會(huì)再試看看導(dǎo)入EUV或MEB等新技術(shù)。

臺(tái)積電今年已經(jīng)向微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）采購(gòu)EUV設(shè)備，安裝在竹科12寸廠Fab12當(dāng)中，用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)，臺(tái)積電希望能成為全球第一個(gè)可在自有晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的晶圓代工廠。同時(shí)，臺(tái)積電及日本IDM廠客戶瑞薩電子（Renesas）等，日前也宣布加入由日本半導(dǎo)體業(yè)聯(lián)合出資成立的EUVL基盤開(kāi)發(fā)中心（EIDEC），與英特爾、三星、信越化學(xué)工業(yè)、旭硝子等國(guó)際級(jí)半導(dǎo)體廠合作，共同投入次世代極紫外光（EUV）微影技術(shù)研發(fā)。

至于臺(tái)積電28納米的進(jìn)度部份，林本堅(jiān)指出，28納米今年底會(huì)小量生產(chǎn)，明年初會(huì)正式放量。

據(jù)了解，包括超微（AMD）、輝達(dá)（NVIDIA）、高通（Qualcomm）等臺(tái)積電重量級(jí)客戶，28納米芯片均已完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），但因終端需求不振及市場(chǎng)庫(kù)存有待去化，所以原本應(yīng)在第3季量產(chǎn)的28納米芯片，已延后到第4季才會(huì)開(kāi)始提高投片量。