臺積電年投資59億美元闊綽度僅次于三星

時間：2010-08-02 11:04:54

關(guān)鍵字：三星臺積電 FAB 晶圓廠

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[導讀]臺積電宣布，2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱，臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自

臺積電宣布，2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。

臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱，臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自己最核心的晶圓廠代工業(yè)務(wù)，其中79％用于65/40/28nm工藝的拓展、13％用于主流工藝、8％用于設(shè)備和研發(fā)支出，剩余1億美元則用于太陽能、LED等新興業(yè)務(wù)。

臺積電的第三座12英寸(300毫米)晶圓廠Fab15已于近期正式破土動工，F(xiàn)ab12第五階段和Fab14第四階段的擴建也即將完成。這些12寸廠將成為臺積電的主心骨。

張仲謀還說，臺積電預計半導體產(chǎn)業(yè)和代工業(yè)今年會分別增長30％、40％，高于此前估計的22％、36％。

根據(jù)最新財報，臺積電今年第二季度(截至2010.6.30)總收入1049.6億新臺幣(222.5億元人民幣)，凈利潤402.8億新臺幣(85.4億元人民幣)，攤薄每股收益1.55新臺幣(0.33元人民幣)，分別同比增長41.4％、64.8％，環(huán)比增長13.9％、19.7％，同時毛利率49.5％、運營利率38.6％、凈利率38.4％。

臺積電預計第三季度收入1090-1110億新臺幣，比此前預計的提高了4-6％，毛利率48-50％，運營利潤36-38％。

在臺積電的各種制造工藝中，150nm或更老工藝的比例仍有28％，相比上個季度只減少了一個百分點，130/110nm、90/80nm、65/55nm則都保持不不變，仍為13％、16％、27％，而最新的40nm工藝增速減緩，只提高了一個百分點達到16％，不過新工藝的收入?yún)s環(huán)比增加了30％，高于整體水平。

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	Q1 2009	Q2 2009	Q3 2009	Q4 2009	Q1 2010	Q2 2010
150nm+	35%	35%	33%	30%	29%	28%
130/110nm	16.66%	13%	14%	15%	13%	13%
90/80nm	25%	23%	18%	16%	17%	16%
65/55nm	23%	28%	31%	30%	27%	27%
40nm	0.33%	1%	4%	9%	14%	16%