超越英特爾臺(tái)積電調(diào)升資本支出至59億美元

時(shí)間：2010-08-02 11:04:54

關(guān)鍵字：臺(tái)積電英特爾 FAB 晶圓廠

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[導(dǎo)讀]看好半導(dǎo)體后市，晶圓代工廠臺(tái)積電加碼投資，在29日法說(shuō)會(huì)中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)的228.8億美元，董事長(zhǎng)

看好半導(dǎo)體后市，晶圓代工廠臺(tái)積電加碼投資，在29日法說(shuō)會(huì)中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)的228.8億美元，董事長(zhǎng)張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)估值上修至40%。

針對(duì)市場(chǎng)憂慮晶圓廠積極擴(kuò)充產(chǎn)能，將使得2011年有產(chǎn)能過(guò)剩的疑慮，張忠謀重申，臺(tái)積電向來(lái)是依客戶的需求擴(kuò)充產(chǎn)能，而非先擴(kuò)充產(chǎn)能才找客戶。張忠謀并指出，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望年增3成，維持先前預(yù)估不變，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)估值自原預(yù)估的36%，上修至40%。

張忠謀表示，在59億美元的資本支出，其中58億美元用于投資晶圓廠，另外1億美元將用來(lái)投資新事業(yè)。他進(jìn)一步指出，用于投資晶圓廠的58億美元中，79%用來(lái)擴(kuò)充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用來(lái)投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術(shù)，另外8%用于研發(fā)。

為加速擴(kuò)充產(chǎn)能，臺(tái)積電2010年擴(kuò)充竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠(Fab14)兩座超大型晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充，目前Fab12與Fab14合計(jì)月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過(guò)20萬(wàn)片約當(dāng)12寸晶圓，預(yù)計(jì)年底將擴(kuò)充至24萬(wàn)片。位于中科的12寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠(Fab15)也于7月中動(dòng)土，未來(lái)單月產(chǎn)能可望達(dá)到10逾萬(wàn)片。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅表示，臺(tái)積電第2季資本支出16.57億美元，累計(jì)上半年資本支出達(dá)31.01億美元。第2季總產(chǎn)能已擴(kuò)增至274.9萬(wàn)片8寸約當(dāng)晶圓，較第1季增加7.1%，下半年產(chǎn)能將持續(xù)擴(kuò)增，預(yù)期第3季總產(chǎn)能將較第2季增加7%，第4季產(chǎn)能將再增加3.5%。

何麗梅指出，在加速產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)畫(huà)后，2010年總產(chǎn)能將達(dá)1129.9萬(wàn)片8寸約當(dāng)晶圓規(guī)模，將較2010年增加14%，增加幅度將較原預(yù)估的13%高。其中，先進(jìn)制程產(chǎn)能將增加36%，也將較原預(yù)估的35%高。

在新事業(yè)方面，張忠謀指出，臺(tái)積電日前投資太陽(yáng)能電池廠茂迪，2010年也宣布投資美商Stion，取得銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能技術(shù)，他也透露，位在中科規(guī)劃的CIGS薄膜太陽(yáng)能電池廠，預(yù)計(jì)于8月或9月動(dòng)工。另外新竹的LED廠，則預(yù)計(jì)于年底前開(kāi)始將設(shè)備進(jìn)廠。

針對(duì)鴻海投資臺(tái)灣的相關(guān)議題，張忠謀并未回應(yīng)，不過(guò)他也強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣的投資環(huán)境絕對(duì)沒(méi)有變，而且臺(tái)積電在臺(tái)中、臺(tái)南、新竹都有投資計(jì)畫(huà)，另外還有LED廠與即將動(dòng)土的太陽(yáng)能廠。