三星：Q2服務(wù)器DRAM夯，格羅方德14奈米合作案看俏

時(shí)間：2014-04-30 14:44:30

關(guān)鍵字： DRAM 三星格羅方德 NANDFLASH

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[導(dǎo)讀]三星電子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布，2014年第1季(1-3月)半導(dǎo)體部門(mén)合并營(yíng)收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜；合并營(yíng)益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出，1-3月記憶體營(yíng)收年增23%(季減3%)至6.29兆韓圜

三星電子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布，2014年第1季(1-3月)半導(dǎo)體部門(mén)合并營(yíng)收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜；合并營(yíng)益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出，1-3月記憶體營(yíng)收年增23%(季減3%)至6.29兆韓圜。

三星指出，1-3月雖是行動(dòng)裝置傳統(tǒng)淡季，但伺服器、游戲機(jī)繪圖解決方案對(duì)記憶體的需求仍強(qiáng)勁，該公司也擴(kuò)大高階的20奈米DRAM制程產(chǎn)能，進(jìn)一步改善獲利率。另外，NAND型快閃記憶體(NANDFlash)事業(yè)雖然面臨均價(jià)下滑的困境，但在該公司積極因應(yīng)高容量記憶卡的需求、以及高附加價(jià)值的3位元NANDFlash銷量攀升的帶動(dòng)下，整個(gè)部門(mén)的獲利仍得以維持。

在系統(tǒng)LSI部門(mén)方面，行動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)需求受到淡季效應(yīng)影響，使得營(yíng)收呈現(xiàn)季減。不過(guò)，CMOS影像感測(cè)器(CIS)的營(yíng)收卻在次世代影像感測(cè)器技術(shù)「ISOCELL」發(fā)表后逐漸攀升。

展望本季(Q2)，三星預(yù)估伺服器、繪圖相關(guān)DRAM需求將保持強(qiáng)勁，而PC、行動(dòng)裝置的DRAM需求也會(huì)逐漸增溫。三星將繼續(xù)轉(zhuǎn)移至20奈米制程技術(shù)、增加高附加價(jià)值且具有差異性的產(chǎn)品，藉此提升或利率。另外，資料中心的伺服器DRAM、固態(tài)硬碟(SSD)需求應(yīng)該會(huì)持續(xù)上升。

展望2014年，三星預(yù)估DRAM供需將保持平衡，而資料中心、PC用SSD對(duì)NANDFlash則會(huì)上升。

另外，三星還表示，透過(guò)與專業(yè)晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundriesInc.)對(duì)14奈米制程技術(shù)的合作，中期成長(zhǎng)前景將更佳。barrons.com部落格4月21日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Susquehanna金融集團(tuán)分析師MehdiHosseini指出，三星電子將最先進(jìn)的14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)生產(chǎn)技術(shù)授權(quán)給格羅方德，臺(tái)積電(2330)未來(lái)的產(chǎn)品均價(jià)恐將因而走低。

全球第2大記憶體制造商SKHynixInc.甫于日前宣布，在DRAM需求改善、之前因失火而停擺的無(wú)錫廠房恢復(fù)量產(chǎn)的帶動(dòng)下，第1季(1-3月)凈利飆升逾4倍。

韓國(guó)聯(lián)合通訊社(Yonhap)、路透社報(bào)導(dǎo)，SKHynix4月24日公布的第1季(1-3月)財(cái)報(bào)顯示：凈利由去年同期的1,787億韓圜狂升348.9%至8,022億韓圜(7.717億美元)；營(yíng)收年增34.6%至3.74兆韓圜；營(yíng)益從去年同期的3,169億韓圜大增至1.05兆韓圜，為自2013年第3季以來(lái)首度站上1兆韓圜大關(guān)。根據(jù)ThomsonReutersI/B/E/S調(diào)查，分析師原本預(yù)期該公司Q1營(yíng)益將達(dá)9,710億韓圜。