GLOBALFOUNDRIES發(fā)豪語　2015年量產(chǎn)10奈米

先進(jìn)制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺(tái)積電1年，于2014年導(dǎo)入14奈米量產(chǎn)，并將發(fā)揮FinFET專利數(shù)量優(yōu)勢，于2015年搶先進(jìn)入10奈米世代，讓雙方競爭更趨白熱化。
格羅方德先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)副總裁SubramaniKengeri表示，格羅方德自尚未從超微(AMD)分割出來前，就已與IBM緊密合作開發(fā)FinFET制程、材料與設(shè)備技術(shù)，至今已累積超過10年豐富經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)也掌握全球現(xiàn)有70%專利，因此可望領(lǐng)先群倫在2014年推出14奈米FinFET晶圓前段閘極制程加20奈米后段金屬拉線制程的混搭方案。

因應(yīng)上述混搭方案發(fā)展，該公司亦將在今年下半年推出20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，一方面增強(qiáng)與臺(tái)積電在市場上競爭的實(shí)力，另一方面也能藉優(yōu)化20奈米產(chǎn)線的經(jīng)驗(yàn)，加速提升14/20奈米混搭制程良率。Kengeri指出，格羅方德幾乎與英特爾(Intel)在同一時(shí)間投入發(fā)展FinFET，加上后續(xù)又與IBM、三星(Samsung)組成策略聯(lián)盟并產(chǎn)出大量專利，所以能緊追英特爾之后，成為第一個(gè)克服FinFET商用量產(chǎn)桎梏的晶圓代工業(yè)者。

不僅如此，格羅方德亦正緊鑼密鼓研擬第二代FinFET電晶體架構(gòu)，以及10奈米制程所需的三重曝光(Triple-patterning)技術(shù)，從而在晶圓前后段制程均實(shí)現(xiàn)FinFET架構(gòu)，更進(jìn)一步增強(qiáng)產(chǎn)品效能并縮減尺寸及功耗，預(yù)計(jì)2015年即可進(jìn)入量產(chǎn)。

據(jù)悉，晶圓代工廠從傳統(tǒng)SiON/Poly，或目前28/20奈米主流HKMG制程轉(zhuǎn)換至FinFET，將面臨電晶體架構(gòu)驗(yàn)證、矽智財(cái)(IP)設(shè)計(jì)，以及蝕刻、曝光等設(shè)備開發(fā)問題，必須仰賴長久的研發(fā)投資與技術(shù)優(yōu)化，才能取得關(guān)鍵制程參數(shù)，并順利導(dǎo)入商用。

Kengeri強(qiáng)調(diào)，格羅方德目前已擁有不少28奈米投片案，在晶圓代工市場上坐二望一；同時(shí)因最早投入FinFET開發(fā)，經(jīng)年積累下來的Know-how，不是其他業(yè)者短期內(nèi)擴(kuò)增研發(fā)預(yù)算或設(shè)備投資就能迎頭趕上；因此，未來將可在市場上擴(kuò)大競爭優(yōu)勢。