[導讀]2013年2月25日，德國紐必堡訊—英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）已在生產基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產線走下來的英飛凌CoolMOS
2013年2月25日，德國紐必堡訊—英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）已在生產基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產線走下來的英飛凌CoolMOS™家族產品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項新技術的生產工藝業(yè)已完成徹底的質量檢驗，并獲得了客戶認可。
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官ReinhardPloss表示：“從一開始，英飛凌就對這項生產工藝充滿信心，哪怕在低迷的經濟形勢下仍然堅持不懈地投資于這項技術。我們富于遠見的思想和行動結出了豐碩的果實：我們的整條300毫米工藝生產線的質量水平，都大大超前于競爭對手。得益于300毫米薄晶圓功率半導體生產能力以及相應的市場需求，我們必定能把握這大好商機?！?BR>
英飛凌是全球第一家同時也是唯一一家采用300毫米薄晶圓生產出功率半導體的企業(yè)。較之于標準200毫米晶圓，300毫米薄晶圓的直徑更大，因而，利用每一片300毫米薄晶圓所能生產出的芯片數(shù)量可增加至2.5倍。這項新技術帶來了隨時可得的更高產能和更高生產率，這將令客戶獲益匪淺。英飛凌出品的功率半導體素以低能耗和緊湊式設計而聞名。拜薄晶圓技術所賜，盡管薄如紙片，該芯片的正面和背面均實現(xiàn)了電活性結構。
目前，這項CoolMOS產品生產工藝已經完成了全面的質量檢驗，并在費拉赫前端工廠得到應用，所生產出的薄芯片則在馬來西亞馬六甲的后端工廠進行裝配。下一步是將這項技術推廣到德累斯頓的前端工廠。其側重點是在一條全自動300毫米生產線上實現(xiàn)大批量生產。在德累斯頓開展的研究項目現(xiàn)在正在開發(fā)這項工藝的基礎以及有關生產技術。德累斯頓工廠也在有條不紊地按計劃進行技術轉移，首批CoolMOS產品的質量檢驗將于今年3月完成。很快，費拉赫工廠的300毫米生產線上將實現(xiàn)更多功率半導體生產技術并投產。新一代功率半導體生產技術的開發(fā)將側重于300毫米工藝，而不是200毫米工藝。
ReinhardPloss博士說：“我們的創(chuàng)新能力是我們取得成功的堅實基礎——允許我們將好的創(chuàng)意轉化為現(xiàn)實。奧地利工廠和薩克森工廠都具備實現(xiàn)這一點的必要條件：深厚的技術專長，受過良好教育、富有上進心的專家以及政府在政策上給予的鼎力支持?！?BR>
去年，獨立市場調查機構IMSResearch（HIS旗下公司）連續(xù)第九次證實了英飛凌在功率半導體領域的市場領先地位。這些功率半導體主要用于必須高效地控制、傳輸或轉換能源等的應用中，如用于服務器、臺式機和筆記本電腦，用于娛樂電子裝置和移動電話基礎設施，用于照明系統(tǒng)以及風力發(fā)電系統(tǒng)和光伏系統(tǒng)等。以具有競爭力的價格提供杰出的性能和可靠性是在這些復雜的應用領域取得成功的關鍵。作為一站式供應商，英飛凌深刻理解該等系統(tǒng)，提供了定制半導體解決方案。這些解決方案有助于客戶縮短開發(fā)時間，更加快速地向市場推出性能更加強大的新產品。300毫米薄晶圓技術確保了未來英飛凌將一如既往地以富有競爭力的成本生產出數(shù)量充足的產品。
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官ReinhardPloss表示：“從一開始，英飛凌就對這項生產工藝充滿信心，哪怕在低迷的經濟形勢下仍然堅持不懈地投資于這項技術。我們富于遠見的思想和行動結出了豐碩的果實：我們的整條300毫米工藝生產線的質量水平，都大大超前于競爭對手。得益于300毫米薄晶圓功率半導體生產能力以及相應的市場需求，我們必定能把握這大好商機?！?BR>
英飛凌是全球第一家同時也是唯一一家采用300毫米薄晶圓生產出功率半導體的企業(yè)。較之于標準200毫米晶圓，300毫米薄晶圓的直徑更大，因而，利用每一片300毫米薄晶圓所能生產出的芯片數(shù)量可增加至2.5倍。這項新技術帶來了隨時可得的更高產能和更高生產率，這將令客戶獲益匪淺。英飛凌出品的功率半導體素以低能耗和緊湊式設計而聞名。拜薄晶圓技術所賜，盡管薄如紙片，該芯片的正面和背面均實現(xiàn)了電活性結構。
目前，這項CoolMOS產品生產工藝已經完成了全面的質量檢驗，并在費拉赫前端工廠得到應用，所生產出的薄芯片則在馬來西亞馬六甲的后端工廠進行裝配。下一步是將這項技術推廣到德累斯頓的前端工廠。其側重點是在一條全自動300毫米生產線上實現(xiàn)大批量生產。在德累斯頓開展的研究項目現(xiàn)在正在開發(fā)這項工藝的基礎以及有關生產技術。德累斯頓工廠也在有條不紊地按計劃進行技術轉移，首批CoolMOS產品的質量檢驗將于今年3月完成。很快，費拉赫工廠的300毫米生產線上將實現(xiàn)更多功率半導體生產技術并投產。新一代功率半導體生產技術的開發(fā)將側重于300毫米工藝，而不是200毫米工藝。
ReinhardPloss博士說：“我們的創(chuàng)新能力是我們取得成功的堅實基礎——允許我們將好的創(chuàng)意轉化為現(xiàn)實。奧地利工廠和薩克森工廠都具備實現(xiàn)這一點的必要條件：深厚的技術專長，受過良好教育、富有上進心的專家以及政府在政策上給予的鼎力支持?！?BR>
去年，獨立市場調查機構IMSResearch（HIS旗下公司）連續(xù)第九次證實了英飛凌在功率半導體領域的市場領先地位。這些功率半導體主要用于必須高效地控制、傳輸或轉換能源等的應用中，如用于服務器、臺式機和筆記本電腦，用于娛樂電子裝置和移動電話基礎設施，用于照明系統(tǒng)以及風力發(fā)電系統(tǒng)和光伏系統(tǒng)等。以具有競爭力的價格提供杰出的性能和可靠性是在這些復雜的應用領域取得成功的關鍵。作為一站式供應商，英飛凌深刻理解該等系統(tǒng)，提供了定制半導體解決方案。這些解決方案有助于客戶縮短開發(fā)時間，更加快速地向市場推出性能更加強大的新產品。300毫米薄晶圓技術確保了未來英飛凌將一如既往地以富有競爭力的成本生產出數(shù)量充足的產品。
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