緊咬臺(tái)積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
時(shí)間：2012-10-10 14:23:48
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FINFET
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[導(dǎo)讀]格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開始投片，后年則可望大
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen指出，3DFinFET架構(gòu)具有低功耗優(yōu)勢(shì)，將成為下一波半導(dǎo)體制造的主流技術(shù)。
GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen表示，隨著行動(dòng)裝置功能日益豐富，消費(fèi)者對(duì)于電池使用壽命的要求亦日趨嚴(yán)苛，促使半導(dǎo)體制程技術(shù)須持續(xù)向上精進(jìn)，以利優(yōu)化系統(tǒng)單晶片(SoC)的效能。為實(shí)現(xiàn)此一愿景，在新一代14nm制程技術(shù)中采用3DFinFET架構(gòu)，可將電流泄漏減到最低，延長(zhǎng)電池使用壽命。
Noonen進(jìn)一步指出，相較于現(xiàn)今2D平面式電晶體，3DFinFET藉由將導(dǎo)電通路設(shè)計(jì)于兩側(cè)，形成可控制電流流動(dòng)的閘極環(huán)繞的3D鰭狀架構(gòu)，可為行動(dòng)裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm制程技術(shù)的助力，即可輕松解決行動(dòng)裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰(zhàn)。
有鑒于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術(shù)--14nm-XM即采用3DFinFET架構(gòu)，并可運(yùn)用該公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM制程技術(shù)的矽智財(cái)(IP)，讓想利用FinFETSoC優(yōu)勢(shì)的IC設(shè)計(jì)商能以最快的速度從20nm無(wú)縫轉(zhuǎn)移至14nm。
據(jù)了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術(shù)研發(fā)工作，除開始提供制程設(shè)計(jì)套件(PDK)外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進(jìn)行測(cè)試中，明年將可進(jìn)行投片試產(chǎn)，后年則進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為??各大晶圓代工廠中，率先于14nm量產(chǎn)時(shí)程競(jìng)賽中達(dá)陣的業(yè)者。
不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術(shù)中采用3DFinFET，臺(tái)積電因應(yīng)未來市場(chǎng)需求，亦于日前變動(dòng)技術(shù)藍(lán)圖，將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也將首度導(dǎo)入3DFinFET電晶體制程，預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間為2015年。
另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產(chǎn)品線的業(yè)務(wù)拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國(guó)際IC設(shè)計(jì)大廠的訂單，且28nm產(chǎn)能利用率正快速攀升中，現(xiàn)階段月產(chǎn)量可達(dá)六～八萬(wàn)片，連同32nm在內(nèi)，每月總共可提供近三十萬(wàn)片產(chǎn)量，足以滿足客戶的需求。
盡管GLOBALFOUNDRIES在先進(jìn)制程的量產(chǎn)腳步不斷加快，但相較于臺(tái)積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手紛紛入股艾司摩爾(ASML)，以布局未來18寸晶圓商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對(duì)此指出，18寸晶圓是否符合未來半導(dǎo)體制造成本仍是未定之?dāng)?shù)，GLOBALFOUNDRIES會(huì)藉由尋求合作機(jī)會(huì)進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估，并且持續(xù)密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)與市場(chǎng)需求。
GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen指出，3DFinFET架構(gòu)具有低功耗優(yōu)勢(shì)，將成為下一波半導(dǎo)體制造的主流技術(shù)。
GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen表示，隨著行動(dòng)裝置功能日益豐富，消費(fèi)者對(duì)于電池使用壽命的要求亦日趨嚴(yán)苛，促使半導(dǎo)體制程技術(shù)須持續(xù)向上精進(jìn)，以利優(yōu)化系統(tǒng)單晶片(SoC)的效能。為實(shí)現(xiàn)此一愿景，在新一代14nm制程技術(shù)中采用3DFinFET架構(gòu)，可將電流泄漏減到最低，延長(zhǎng)電池使用壽命。
Noonen進(jìn)一步指出，相較于現(xiàn)今2D平面式電晶體，3DFinFET藉由將導(dǎo)電通路設(shè)計(jì)于兩側(cè)，形成可控制電流流動(dòng)的閘極環(huán)繞的3D鰭狀架構(gòu)，可為行動(dòng)裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm制程技術(shù)的助力，即可輕松解決行動(dòng)裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰(zhàn)。
有鑒于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術(shù)--14nm-XM即采用3DFinFET架構(gòu)，并可運(yùn)用該公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM制程技術(shù)的矽智財(cái)(IP)，讓想利用FinFETSoC優(yōu)勢(shì)的IC設(shè)計(jì)商能以最快的速度從20nm無(wú)縫轉(zhuǎn)移至14nm。
據(jù)了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術(shù)研發(fā)工作，除開始提供制程設(shè)計(jì)套件(PDK)外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進(jìn)行測(cè)試中，明年將可進(jìn)行投片試產(chǎn)，后年則進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為??各大晶圓代工廠中，率先于14nm量產(chǎn)時(shí)程競(jìng)賽中達(dá)陣的業(yè)者。
不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術(shù)中采用3DFinFET，臺(tái)積電因應(yīng)未來市場(chǎng)需求，亦于日前變動(dòng)技術(shù)藍(lán)圖，將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也將首度導(dǎo)入3DFinFET電晶體制程，預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間為2015年。
另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產(chǎn)品線的業(yè)務(wù)拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國(guó)際IC設(shè)計(jì)大廠的訂單，且28nm產(chǎn)能利用率正快速攀升中，現(xiàn)階段月產(chǎn)量可達(dá)六～八萬(wàn)片，連同32nm在內(nèi)，每月總共可提供近三十萬(wàn)片產(chǎn)量，足以滿足客戶的需求。
盡管GLOBALFOUNDRIES在先進(jìn)制程的量產(chǎn)腳步不斷加快，但相較于臺(tái)積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手紛紛入股艾司摩爾(ASML)，以布局未來18寸晶圓商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對(duì)此指出，18寸晶圓是否符合未來半導(dǎo)體制造成本仍是未定之?dāng)?shù)，GLOBALFOUNDRIES會(huì)藉由尋求合作機(jī)會(huì)進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估，并且持續(xù)密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)與市場(chǎng)需求。
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