NAND閃存將呈現(xiàn)爆炸式增長
[導(dǎo)讀]隨著智能手機(jī)、平板電腦、超極本等移動互聯(lián)設(shè)備市場的井噴，存儲器NandFlash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢，Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場將增長18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆NandFlash應(yīng)用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限
隨著智能手機(jī)、平板電腦、超極本等移動互聯(lián)設(shè)備市場的井噴，存儲器NandFlash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢，Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場將增長18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆NandFlash應(yīng)用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時代已經(jīng)到來”，今年平板電腦的出貨量預(yù)計在1.5億臺左右，智能手機(jī)將突破6億部，加起來為7.5億部，將遠(yuǎn)超今年P(guān)C出貨量，帶動對顯示屏、主控芯片和存儲器關(guān)鍵部件的需求，Nand閃存將呈現(xiàn)爆炸式的增長。
制程提升對閃存控制器帶來挑戰(zhàn)
閃存技術(shù)發(fā)展的日新月異，對新技術(shù)、新工藝的追求和使用，相應(yīng)地對控制器也提出了新的要求。
今年以來，Nand閃存大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計劃，向20nm制程發(fā)力。英特爾已經(jīng)量產(chǎn)20nm工藝的128GBNand閃存產(chǎn)品，預(yù)計下半年即可出貨。三星更是在西安建廠沖擊10nmNand閃存，一場圍繞NandFlash應(yīng)用的存儲大變革正在進(jìn)行。
而20nm制程“照進(jìn)現(xiàn)實”，對Nand閃存廠商亦帶來全新挑戰(zhàn)。英特爾(中國)有限公司嵌入式營銷事業(yè)部銷售經(jīng)理潘鋒表示，一方面隨著制程的提升，產(chǎn)品對于性能、ECC的要求會越來越高;另一方面制程成本的降低，對于可靠性和穩(wěn)定性要求更高。制程的提升雖有助于成本的降低，但相應(yīng)地會損失性能。他舉例說，英特爾25nm的閃存可以做到3000次的可擦寫次數(shù)，但到20nm，產(chǎn)品表現(xiàn)要差一些。LSI中國區(qū)高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛也表示，閃存工藝提升帶來了低成本，但同時帶來壽命和可靠性的降低，因而下一步如何保證閃存的性能和穩(wěn)定性是非常重要的。
深圳市泰勝微(BIWIN)科技有限公司總裁孫日欣提到，新的Flash工藝技術(shù)的引進(jìn)帶來CPU、MCU等的變革，如果MCU等不能及時消化、吸收Nand閃存所帶來的技術(shù)變革，那么閃存的革新就失去了意義?！罢l的控制器能夠?qū)π轮瞥痰腘and閃存進(jìn)行有效的支持，誰就掌握了市場的先機(jī)?！睂O日欣進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)說。
慧榮科技股份有限公司(SMI)總經(jīng)理茍嘉章則用“脆弱”來形容隨著工藝技術(shù)飛速發(fā)展的閃存。他表示需要在設(shè)計機(jī)制上為今后的14nm制程做好準(zhǔn)備。他同時表示，由于Nand閃存需要進(jìn)一步降低成本，制程微縮，在極小的線寬和更高的電壓下頻繁地擦寫，這給控制器廠商提出了很大的挑戰(zhàn)，SMI針對這些特點在ECC糾錯、安全保護(hù)等方面進(jìn)行了優(yōu)化，確保了高級工藝閃存穩(wěn)定可靠地工作。
手機(jī)存儲向eMMC進(jìn)發(fā)
在智能手機(jī)存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。
而Nand閃存在手機(jī)中的應(yīng)用也經(jīng)歷了“從無到有、從低到高”的歷程。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽表示，手機(jī)從不需要Nand閃存，到功能手機(jī)出現(xiàn)時需要Nand閃存，到現(xiàn)在智能手機(jī)對Nand閃存有更高的要求，也就是eMMC，今后智能手機(jī)對Nand的需求將會更高。茍嘉章則指出，智能手機(jī)、平板電腦、超級本等已成為Nand閃存主要的成長動力，需求包括eMMC、eMCP、SSD等。
毫無疑問，智能手機(jī)、平板電腦方案商都看中以eMMC和SSD為代表的新興存儲技術(shù)。在智能手機(jī)存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。eMMC是為了簡化手機(jī)內(nèi)存儲器的使用，將NAND閃存芯片和控制芯片設(shè)計成一顆MCP芯片。它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，接口不用再為不同閃存技術(shù)的每一次升級而改變，使得手機(jī)廠商能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其他部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。目前主流手機(jī)芯片均已支持eMMC。
這對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的Nand閃存供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽也表示，BIWIN目前在主推的自有品牌的五大嵌入式存儲芯片qNAND、qSD、cNAND、MCP和eSSD中，qNAND是eMMC產(chǎn)品，它的好處就是可以緩解CPU的壓力，同時具備不同的功能。隨著控制器的發(fā)展，BIWIN也計劃在今年下半年推出支持4.5標(biāo)準(zhǔn)的eMMC產(chǎn)品。
SSD重在質(zhì)量及供貨
用一個消費級別的閃存生產(chǎn)出一個企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標(biāo)。
而平板電腦對Nand閃存的需求更為復(fù)雜。劉陽指出，因為平板電腦有ARM架構(gòu)，還有X86架構(gòu)。X86架構(gòu)對Nand閃存的需求集中體現(xiàn)在SSD產(chǎn)品。目前SSD使用兩種形式的Nand閃存：單級單元(SLC)和多級單元(MLC)。“MLC將得到廣泛的應(yīng)用，目前主流平板電腦的標(biāo)配是8G/16G的MLC，某些低端產(chǎn)品會用到4G的MLC?！眲㈥柦榻B說。
開展SSD業(yè)務(wù)要在技術(shù)上不斷實現(xiàn)“超越”，潘鋒就提到，因為聯(lián)想、HP、戴爾等OEM要求非?？量?，一是產(chǎn)品質(zhì)量不能出問題，二是如果終端需求大量爆發(fā)，要能夠及時供貨。
用一個消費級別的閃存生產(chǎn)出一個企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標(biāo)。LSI中國區(qū)高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛表示，LSI在控制器的寫算法方面做了優(yōu)化，寫放大系數(shù)小于0.5，在實測環(huán)境里面能達(dá)到0.6、0.7，在業(yè)界領(lǐng)先，這一技術(shù)能提升固態(tài)硬盤的使用壽命。而BIWIN公司的eSSD產(chǎn)品就是一款芯片級別的固態(tài)硬盤，它有LGA和BGA兩種不同的封裝形式，采用SATA接口定義，BIWIN還計劃推出SATAIII接口的eSSD產(chǎn)品。
需要指出的是，固態(tài)硬盤不僅僅是智能終端市場崛起的“受益者”，Amlogic銷售總監(jiān)李明提到，云技術(shù)的到來會推動固態(tài)硬盤的發(fā)展。隨著云存儲服務(wù)的日益增多，消費者將更關(guān)注需要多大的存儲空間。
制程提升對閃存控制器帶來挑戰(zhàn)
閃存技術(shù)發(fā)展的日新月異，對新技術(shù)、新工藝的追求和使用，相應(yīng)地對控制器也提出了新的要求。
今年以來，Nand閃存大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計劃，向20nm制程發(fā)力。英特爾已經(jīng)量產(chǎn)20nm工藝的128GBNand閃存產(chǎn)品，預(yù)計下半年即可出貨。三星更是在西安建廠沖擊10nmNand閃存，一場圍繞NandFlash應(yīng)用的存儲大變革正在進(jìn)行。
而20nm制程“照進(jìn)現(xiàn)實”，對Nand閃存廠商亦帶來全新挑戰(zhàn)。英特爾(中國)有限公司嵌入式營銷事業(yè)部銷售經(jīng)理潘鋒表示，一方面隨著制程的提升，產(chǎn)品對于性能、ECC的要求會越來越高;另一方面制程成本的降低，對于可靠性和穩(wěn)定性要求更高。制程的提升雖有助于成本的降低，但相應(yīng)地會損失性能。他舉例說，英特爾25nm的閃存可以做到3000次的可擦寫次數(shù)，但到20nm，產(chǎn)品表現(xiàn)要差一些。LSI中國區(qū)高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛也表示，閃存工藝提升帶來了低成本，但同時帶來壽命和可靠性的降低，因而下一步如何保證閃存的性能和穩(wěn)定性是非常重要的。
深圳市泰勝微(BIWIN)科技有限公司總裁孫日欣提到，新的Flash工藝技術(shù)的引進(jìn)帶來CPU、MCU等的變革，如果MCU等不能及時消化、吸收Nand閃存所帶來的技術(shù)變革，那么閃存的革新就失去了意義?！罢l的控制器能夠?qū)π轮瞥痰腘and閃存進(jìn)行有效的支持，誰就掌握了市場的先機(jī)?！睂O日欣進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)說。
慧榮科技股份有限公司(SMI)總經(jīng)理茍嘉章則用“脆弱”來形容隨著工藝技術(shù)飛速發(fā)展的閃存。他表示需要在設(shè)計機(jī)制上為今后的14nm制程做好準(zhǔn)備。他同時表示，由于Nand閃存需要進(jìn)一步降低成本，制程微縮，在極小的線寬和更高的電壓下頻繁地擦寫，這給控制器廠商提出了很大的挑戰(zhàn)，SMI針對這些特點在ECC糾錯、安全保護(hù)等方面進(jìn)行了優(yōu)化，確保了高級工藝閃存穩(wěn)定可靠地工作。
手機(jī)存儲向eMMC進(jìn)發(fā)
在智能手機(jī)存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。
而Nand閃存在手機(jī)中的應(yīng)用也經(jīng)歷了“從無到有、從低到高”的歷程。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽表示，手機(jī)從不需要Nand閃存，到功能手機(jī)出現(xiàn)時需要Nand閃存，到現(xiàn)在智能手機(jī)對Nand閃存有更高的要求，也就是eMMC，今后智能手機(jī)對Nand的需求將會更高。茍嘉章則指出，智能手機(jī)、平板電腦、超級本等已成為Nand閃存主要的成長動力，需求包括eMMC、eMCP、SSD等。
毫無疑問，智能手機(jī)、平板電腦方案商都看中以eMMC和SSD為代表的新興存儲技術(shù)。在智能手機(jī)存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。eMMC是為了簡化手機(jī)內(nèi)存儲器的使用，將NAND閃存芯片和控制芯片設(shè)計成一顆MCP芯片。它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，接口不用再為不同閃存技術(shù)的每一次升級而改變，使得手機(jī)廠商能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其他部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。目前主流手機(jī)芯片均已支持eMMC。
這對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的Nand閃存供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽也表示，BIWIN目前在主推的自有品牌的五大嵌入式存儲芯片qNAND、qSD、cNAND、MCP和eSSD中，qNAND是eMMC產(chǎn)品，它的好處就是可以緩解CPU的壓力，同時具備不同的功能。隨著控制器的發(fā)展，BIWIN也計劃在今年下半年推出支持4.5標(biāo)準(zhǔn)的eMMC產(chǎn)品。
SSD重在質(zhì)量及供貨
用一個消費級別的閃存生產(chǎn)出一個企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標(biāo)。
而平板電腦對Nand閃存的需求更為復(fù)雜。劉陽指出，因為平板電腦有ARM架構(gòu)，還有X86架構(gòu)。X86架構(gòu)對Nand閃存的需求集中體現(xiàn)在SSD產(chǎn)品。目前SSD使用兩種形式的Nand閃存：單級單元(SLC)和多級單元(MLC)。“MLC將得到廣泛的應(yīng)用，目前主流平板電腦的標(biāo)配是8G/16G的MLC，某些低端產(chǎn)品會用到4G的MLC?！眲㈥柦榻B說。
開展SSD業(yè)務(wù)要在技術(shù)上不斷實現(xiàn)“超越”，潘鋒就提到，因為聯(lián)想、HP、戴爾等OEM要求非?？量?，一是產(chǎn)品質(zhì)量不能出問題，二是如果終端需求大量爆發(fā)，要能夠及時供貨。
用一個消費級別的閃存生產(chǎn)出一個企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標(biāo)。LSI中國區(qū)高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛表示，LSI在控制器的寫算法方面做了優(yōu)化，寫放大系數(shù)小于0.5，在實測環(huán)境里面能達(dá)到0.6、0.7，在業(yè)界領(lǐng)先，這一技術(shù)能提升固態(tài)硬盤的使用壽命。而BIWIN公司的eSSD產(chǎn)品就是一款芯片級別的固態(tài)硬盤，它有LGA和BGA兩種不同的封裝形式，采用SATA接口定義，BIWIN還計劃推出SATAIII接口的eSSD產(chǎn)品。
需要指出的是，固態(tài)硬盤不僅僅是智能終端市場崛起的“受益者”，Amlogic銷售總監(jiān)李明提到，云技術(shù)的到來會推動固態(tài)硬盤的發(fā)展。隨著云存儲服務(wù)的日益增多，消費者將更關(guān)注需要多大的存儲空間。
下載文檔
