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[導(dǎo)讀]三星電子(SamsungElectronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」(HybridMemoryCube,HMC)協(xié)會(huì),以用來(lái)開(kāi)發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明,成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素,也

三星電子(SamsungElectronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」(HybridMemoryCube,HMC)協(xié)會(huì),以用來(lái)開(kāi)發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)放接口規(guī)格。

根據(jù)雙方的聲明,成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素,也是目前產(chǎn)業(yè)所面臨的主要挑戰(zhàn)之一,即為高效能計(jì)算機(jī)與新一代的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)內(nèi)存帶寬的需求已超出傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)的能力,此一現(xiàn)象稱(chēng)為「內(nèi)存墻」(memorywall),因此需要有一可強(qiáng)化密度與帶寬、同時(shí)能降低電力損耗的新架構(gòu)來(lái)突破此一困境。

所謂的混合內(nèi)存立方體是以堆棧內(nèi)存芯片組態(tài)構(gòu)成微型化的立方體,一個(gè)HMC的效能為DDR3模塊的15倍,每位所使用的電力只有DDR3的30%,由于HMC的密度增加,且外型變小,所使用的空間只有現(xiàn)今RegisteredDIMM內(nèi)存模塊的10%,使得每臺(tái)機(jī)器將可容納更多的內(nèi)存。

該協(xié)會(huì)指出,HMC的能力超越傳統(tǒng)的DRAM,并建立一個(gè)可跟上CPU與GPU進(jìn)展的新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),應(yīng)用范圍涵蓋高效能運(yùn)算至消費(fèi)者技術(shù)。

美光DRAM營(yíng)銷(xiāo)副總裁RobertFeurle表示,HMC把內(nèi)存能力提升到一個(gè)新境界,所帶來(lái)的效能與效率將重新定義內(nèi)存的未來(lái),該協(xié)會(huì)將盡其所能加速該技術(shù)的采用,以徹底改善運(yùn)算系統(tǒng)。

主導(dǎo)HMC開(kāi)發(fā)的除了三星與美光外,英特爾也曾于今年9月公布與美光合作的HMC概念性技術(shù)。HMC的最終規(guī)格將由該協(xié)會(huì)的成員共同擬定,目前已加入該協(xié)會(huì)的組織包括Altera、OpenSilicon及Xilinx等。HMC協(xié)會(huì)并建議業(yè)者從現(xiàn)有的DDR內(nèi)存架構(gòu)直接轉(zhuǎn)移至HMC。

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