第3季度DRAM展望

時間：2011-07-20 10:35:31

關(guān)鍵字： DRAM ELECTRONICS PID SAMSUNG

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[導讀]第2季DRAM報價下跌幅度相當大，主要是日本311地震后，下游客戶擔心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預期，導致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DR

第2季DRAM報價下跌幅度相當大，主要是日本311地震后，下游客戶擔心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預期，導致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DRAM市場持續(xù)陷入供過于求情況。

另一個讓DRAM市場陷入供過于求的原因，是PC市場需求相當疲弱，整個市場需求量低于預期，連平板電腦也是雷聲大雨點小，都成為DRAM市場殺手，第2季末DRAM現(xiàn)貨價已大幅下修，7月合約價也是一路修正。

展望第3季DRAM市場，市場認為DRAM市場脫離供過于求的機率不大，一方面是PC需求不振，另一方面是DRAM大廠本身就積極驅(qū)動制程微縮，即使整個產(chǎn)業(yè)沒有新建的晶圓廠產(chǎn)能，但產(chǎn)出仍是大增，加深DRAM市場供過于求的情況。

但以目前PCDRAM報價持續(xù)探底的情況，即使采用40納米或30納米制程來生產(chǎn)也未必能能獲利，因此國際DRAM廠如三星電子(SamsungElectronics)、爾必達(Elpida)等，都加速在2011年底轉(zhuǎn)進20納米制程，以抵御價格如自由落體般的滑落。

過去DRAM價格只要暴跌，就會讓系統(tǒng)廠愿意提升PC中的記憶體模組搭載率，但2011年眼見2GbDDR3已瀕臨變動成本邊緣，但系統(tǒng)廠并未如過去般提升記憶體模組搭載量，也是讓DRAM市場持續(xù)陷入供過于求然無法抽身的原因。