DRAM產(chǎn)業(yè)的好日子能過多久？
[導(dǎo)讀]目前的DRAM市場(chǎng)充滿不確定的訊號(hào)，有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了，也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始，而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。還有人說，景氣高峰期會(huì)持續(xù)，但將因?yàn)閮?nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制
目前的DRAM市場(chǎng)充滿不確定的訊號(hào)，有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了，也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始，而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。
還有人說，景氣高峰期會(huì)持續(xù)，但將因?yàn)?strong>內(nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制；據(jù)了解，ASML與Nikon等設(shè)備供貨商，無法應(yīng)付內(nèi)存廠客戶在先進(jìn)制程DRAM量產(chǎn)方面對(duì)193納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)(immersionlithographyscanner)的需求。
由于DRAM制造商在近年來的景氣循環(huán)中，都無法投資新的資本設(shè)備，再加上一些其它因素，使得整體DRAM位成長(zhǎng)率在2010年恐怕僅有低于預(yù)期的2~4%。為此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli已將2010年DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)率由49%調(diào)降為45%。
DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與前景究竟如何？有些人對(duì)短期趨勢(shì)抱持悲觀態(tài)度；VLSIResearch執(zhí)行長(zhǎng)G.DanHutcheson即表示，目前有三分之二的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃集中在內(nèi)存，而這個(gè)狀況又是由DRAM廠商所主導(dǎo)。
「在5月份時(shí)，每個(gè)人都認(rèn)為廠商之間的整并將限制產(chǎn)能過度擴(kuò)充問題；但不到一個(gè)季的時(shí)間，眼前的景象已經(jīng)從無止盡缺貨轉(zhuǎn)換為過剩?！笻utcheson認(rèn)為。
但也有人不認(rèn)同以上意見；「我們認(rèn)為DRAM景氣還能好上一陣子，原因是企業(yè)換機(jī)周期(將持續(xù)數(shù)年、不只是數(shù)季)、以及DRAM景氣循環(huán)速度處于停滯狀態(tài)(供應(yīng)量成長(zhǎng)狀況更可預(yù)期、平均銷售價(jià)格亦維持穩(wěn)定)，與1980、90年代那時(shí)不同?！筊aymondJames&Associates分析師HansMosesmann表示。
Mosesmann指出，DRAM廠商預(yù)期今年第三季位需求可較前一季成長(zhǎng)13~15%，第四季的狀況也差不多；部份廠商甚至預(yù)測(cè)2011年將出現(xiàn)100%以上的位成長(zhǎng)率。這不僅意味著整體位需求量的成長(zhǎng)，也顯示了企業(yè)應(yīng)用端(服務(wù)器)轉(zhuǎn)換至英特爾(Intel)Nehalem處理器架構(gòu)，也對(duì)DRAM有更多需求。
iSuppli的資深DRAM產(chǎn)業(yè)分析師MikeHoward則認(rèn)為，DRAM是對(duì)各種供需變化因素非常敏感的商品；預(yù)期在2010年，DRAM整體出貨將達(dá)1.59億Gbit約當(dāng)位量，較去年的1.07億成長(zhǎng)48.6%。
「今年度大多數(shù)的DRAM需求量，預(yù)測(cè)將在下半年產(chǎn)生；第三與第四季的DRAM位成長(zhǎng)率可望各達(dá)11%。」相較之下，第一與第二季的DRAM位成長(zhǎng)率都遠(yuǎn)低于10%；因此Howard指出，集中在短短半年時(shí)間內(nèi)的大量需求，會(huì)是對(duì)DRAM供貨商生產(chǎn)力的嚴(yán)苛考驗(yàn)。
兩個(gè)負(fù)面因素
然而iSuppli指出，有兩個(gè)因素可能對(duì)下半年的DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響；其一，是ASML目前無法為市場(chǎng)供應(yīng)足夠的193納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)，Nikon也即將面臨相同窘境：「雖然ASML今年可望交出額外的33套浸潤(rùn)式掃瞄設(shè)備，但這無法解決目前的供應(yīng)瓶頸。」
其二，沒有了193納米浸潤(rùn)式掃描機(jī)，DRAM制造商將在進(jìn)入50納米以下制程遭遇困難；包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)與美光(Micron)都是因?yàn)槿〉昧?93納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)與其它設(shè)備，才能升級(jí)到50納米以下制程。
但iSuppli指出，對(duì)資源有限或是那些正在協(xié)議轉(zhuǎn)手的廠商來說，所伴隨而來的許多困難，也可能減少其總產(chǎn)出，并對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)在該制程節(jié)點(diǎn)的位成長(zhǎng)率造成負(fù)面影響。例如正在從6x納米制程轉(zhuǎn)換至45納米制程的爾必達(dá)(Elpida)，就可能是造成該公司良率問題的原因。
總之一個(gè)最大的問題就是：DRAM制造商能在多快的時(shí)間內(nèi)升級(jí)產(chǎn)品？ConvergentSemiconductors分析師BobMerritt的答案是：“就看他們何時(shí)能籌到足夠的資金來做這件事；但現(xiàn)在要升級(jí)制程的代價(jià)越來越高昂，這會(huì)變成一個(gè)難以往上爬的陡坡。”
就像NAND閃存產(chǎn)業(yè)的情況，DRAM廠商都希望能盡快添購(gòu)193納米浸潤(rùn)式微影；不過三星則積極在下一代DRAM生產(chǎn)上采用深紫外光微影(EUV)，EUV設(shè)備的成本每套可能超過1億美元，浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)的價(jià)格則是5,000萬美元起跳。
還有人說，景氣高峰期會(huì)持續(xù)，但將因?yàn)?strong>內(nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制；據(jù)了解，ASML與Nikon等設(shè)備供貨商，無法應(yīng)付內(nèi)存廠客戶在先進(jìn)制程DRAM量產(chǎn)方面對(duì)193納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)(immersionlithographyscanner)的需求。
由于DRAM制造商在近年來的景氣循環(huán)中，都無法投資新的資本設(shè)備，再加上一些其它因素，使得整體DRAM位成長(zhǎng)率在2010年恐怕僅有低于預(yù)期的2~4%。為此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli已將2010年DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)率由49%調(diào)降為45%。
DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與前景究竟如何？有些人對(duì)短期趨勢(shì)抱持悲觀態(tài)度；VLSIResearch執(zhí)行長(zhǎng)G.DanHutcheson即表示，目前有三分之二的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃集中在內(nèi)存，而這個(gè)狀況又是由DRAM廠商所主導(dǎo)。
「在5月份時(shí)，每個(gè)人都認(rèn)為廠商之間的整并將限制產(chǎn)能過度擴(kuò)充問題；但不到一個(gè)季的時(shí)間，眼前的景象已經(jīng)從無止盡缺貨轉(zhuǎn)換為過剩?！笻utcheson認(rèn)為。
但也有人不認(rèn)同以上意見；「我們認(rèn)為DRAM景氣還能好上一陣子，原因是企業(yè)換機(jī)周期(將持續(xù)數(shù)年、不只是數(shù)季)、以及DRAM景氣循環(huán)速度處于停滯狀態(tài)(供應(yīng)量成長(zhǎng)狀況更可預(yù)期、平均銷售價(jià)格亦維持穩(wěn)定)，與1980、90年代那時(shí)不同?！筊aymondJames&Associates分析師HansMosesmann表示。
Mosesmann指出，DRAM廠商預(yù)期今年第三季位需求可較前一季成長(zhǎng)13~15%，第四季的狀況也差不多；部份廠商甚至預(yù)測(cè)2011年將出現(xiàn)100%以上的位成長(zhǎng)率。這不僅意味著整體位需求量的成長(zhǎng)，也顯示了企業(yè)應(yīng)用端(服務(wù)器)轉(zhuǎn)換至英特爾(Intel)Nehalem處理器架構(gòu)，也對(duì)DRAM有更多需求。
iSuppli的資深DRAM產(chǎn)業(yè)分析師MikeHoward則認(rèn)為，DRAM是對(duì)各種供需變化因素非常敏感的商品；預(yù)期在2010年，DRAM整體出貨將達(dá)1.59億Gbit約當(dāng)位量，較去年的1.07億成長(zhǎng)48.6%。
「今年度大多數(shù)的DRAM需求量，預(yù)測(cè)將在下半年產(chǎn)生；第三與第四季的DRAM位成長(zhǎng)率可望各達(dá)11%。」相較之下，第一與第二季的DRAM位成長(zhǎng)率都遠(yuǎn)低于10%；因此Howard指出，集中在短短半年時(shí)間內(nèi)的大量需求，會(huì)是對(duì)DRAM供貨商生產(chǎn)力的嚴(yán)苛考驗(yàn)。
兩個(gè)負(fù)面因素
然而iSuppli指出，有兩個(gè)因素可能對(duì)下半年的DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響；其一，是ASML目前無法為市場(chǎng)供應(yīng)足夠的193納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)，Nikon也即將面臨相同窘境：「雖然ASML今年可望交出額外的33套浸潤(rùn)式掃瞄設(shè)備，但這無法解決目前的供應(yīng)瓶頸。」
其二，沒有了193納米浸潤(rùn)式掃描機(jī)，DRAM制造商將在進(jìn)入50納米以下制程遭遇困難；包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)與美光(Micron)都是因?yàn)槿〉昧?93納米浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)與其它設(shè)備，才能升級(jí)到50納米以下制程。
但iSuppli指出，對(duì)資源有限或是那些正在協(xié)議轉(zhuǎn)手的廠商來說，所伴隨而來的許多困難，也可能減少其總產(chǎn)出，并對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)在該制程節(jié)點(diǎn)的位成長(zhǎng)率造成負(fù)面影響。例如正在從6x納米制程轉(zhuǎn)換至45納米制程的爾必達(dá)(Elpida)，就可能是造成該公司良率問題的原因。
總之一個(gè)最大的問題就是：DRAM制造商能在多快的時(shí)間內(nèi)升級(jí)產(chǎn)品？ConvergentSemiconductors分析師BobMerritt的答案是：“就看他們何時(shí)能籌到足夠的資金來做這件事；但現(xiàn)在要升級(jí)制程的代價(jià)越來越高昂，這會(huì)變成一個(gè)難以往上爬的陡坡。”
就像NAND閃存產(chǎn)業(yè)的情況，DRAM廠商都希望能盡快添購(gòu)193納米浸潤(rùn)式微影；不過三星則積極在下一代DRAM生產(chǎn)上采用深紫外光微影(EUV)，EUV設(shè)備的成本每套可能超過1億美元，浸潤(rùn)式微影掃描機(jī)的價(jià)格則是5,000萬美元起跳。
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