[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(ST)與研究機構(gòu)展開合作，攜手開發(fā)下一代微機電系統(tǒng)(MEMS)元件的試產(chǎn)生產(chǎn)線(Pilot Line)。下一代MEMS元件將采用壓電(Piezoelectric)或磁性材料和3D封裝等先進技術(shù)以強化MEMS產(chǎn)品的功能性。該專案由奈米電子
意法半導(dǎo)體(ST)與研究機構(gòu)展開合作，攜手開發(fā)下一代微機電系統(tǒng)(MEMS)元件的試產(chǎn)生產(chǎn)線(Pilot Line)。下一代MEMS元件將采用壓電(Piezoelectric)或磁性材料和3D封裝等先進技術(shù)以強化MEMS產(chǎn)品的功能性。該專案由奈米電子產(chǎn)業(yè)公私合營組織歐洲奈米科技方案諮詢委員會(European Nanoelectronics Initiative Advisory Council, ENIAC)合作組織(Joint Undertaking, JU)發(fā)起。
為了這個耗資2,800萬歐元、為期30個月的Lab4MEMS專案，意法半導(dǎo)體與橫跨九個歐洲國家的大學(xué)、研究機構(gòu)和技術(shù)授權(quán)組織進行合作。該專案運用意法半導(dǎo)體在法國、義大利和馬爾他的MEMS設(shè)施建立一整套集研發(fā)、測試及封裝于一體的下一代MEMS制造中心。
該專案還將開發(fā)先進封裝技術(shù)和晶片垂直互連技術(shù)，采用覆晶技術(shù)、矽穿孔技術(shù)、封裝通孔技術(shù)實現(xiàn)3D整合元件，滿足人體局部感測器和遠(yuǎn)端健康監(jiān)護應(yīng)用的需求。完善適合量產(chǎn)的壓電復(fù)合膜制程，并將其整合至復(fù)雜的MEMS制程，在系統(tǒng)單晶片上實現(xiàn)創(chuàng)新的致動器和感測器，是該專案的主要目標(biāo)之一。
為了這個耗資2,800萬歐元、為期30個月的Lab4MEMS專案，意法半導(dǎo)體與橫跨九個歐洲國家的大學(xué)、研究機構(gòu)和技術(shù)授權(quán)組織進行合作。該專案運用意法半導(dǎo)體在法國、義大利和馬爾他的MEMS設(shè)施建立一整套集研發(fā)、測試及封裝于一體的下一代MEMS制造中心。
該專案還將開發(fā)先進封裝技術(shù)和晶片垂直互連技術(shù)，采用覆晶技術(shù)、矽穿孔技術(shù)、封裝通孔技術(shù)實現(xiàn)3D整合元件，滿足人體局部感測器和遠(yuǎn)端健康監(jiān)護應(yīng)用的需求。完善適合量產(chǎn)的壓電復(fù)合膜制程，并將其整合至復(fù)雜的MEMS制程，在系統(tǒng)單晶片上實現(xiàn)創(chuàng)新的致動器和感測器，是該專案的主要目標(biāo)之一。
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