面臨為需求若渴的移動設備市場提供新功能壓力的設計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術的優(yōu)勢，使用標準IC來構建領先于芯片組路線圖的新設計。
簡介：移動功能市場需求
移動電話滲透率在已開發(fā)市場達到了很高比例，而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據GSMA的信息，先進的歐洲國家的移動用戶滲透率已經超過90%。開發(fā)中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未來5年內刺激全球移動市場增長的最大因素。隨著世界各地市場增長，數(shù)以十億計的新用戶迎來移動連接帶來的個人及經濟機會，他們對額外功能及更物有所值的需求[!--empirenews.page--]將會只升不降。
移動趨勢及設計
當今的移動設備購買者渴求大熒幕體驗，同時還要求移動設備重量輕、超便攜及時尚。為了符合此需求，大尺寸的高分辨率觸控熒幕幾乎占據了智能手機、平板電腦及混合型“平板手機”設備的整個前面板區(qū)域。設計人員要提供購買者渴求的纖薄外形，必須密切注意外殼內電子元件的高度。此外，移動設備除了用于通話及發(fā)短信，還被大量地用于瀏覽網頁、照相、分享照片、游戲及聽音樂，故要求更大電池電量。使用當前電池技術的話，只能裝配較大的電池來滿足此需求，但這會給設備內的空間造成額外負擔。
與此同時，移動設備設計人員必須提供越來越多的功能來與市場上的其它產品競爭。吸引購買者的新功能有如更佳照相、要求更大內容容量的更好游戲、高速連接外部屏幕或驅動等外設以及內容相關性(context-sensitive)功能。理想情況下，這些需求應當透過轉向下一代芯片組來滿足。但是，消費市場需求往往超越IC發(fā)展步伐，在集成所要求之功能的新基帶芯片組上市之前，就必須提供新產品。
理想與可交付結果之比較
雖然集成型方案更受青睞，而且很明顯是空間利用率最高的途徑，但是，設計人員必須探尋出方法，使用當前市場上有的元件來[!--empirenews.page--]配合可接受的PCB面積，應用所要求的功能。毫無疑問，這要求使用多種標準IC。安森美半導體生產用于移動應用的多種標準IC，如單芯片D類放大器、LED背光控制器、專用音頻管理IC、濾波元件、端口共享、I/O保護及有源電磁干擾(EMI)管理。
設計人員要使用多個標準IC來完成設計，需要極微型的小信號MOSFET和芯片電阻等元件，用于負載開關、芯片外接口(見圖1)、電平轉換(見圖2)[!--empirenews.page--]及帶電平轉換的高邊負載開關(見圖3)等應用。為了獲得良好結果，這些元件應當占用極小的PCB面積和盡可能最低的安裝高度。
圖1. 接口開關電路中的小信號MOSFET
圖2. MOSFET用于電平轉換。
圖3. MOSFET用作帶電平轉換功能的高邊負載開關
就芯片電阻等無源元件而言，微型化已經造就了在單個元件中結合多個電阻的電阻陣列元件，以及采用極小的[!--empirenews.page--]0402、0201或01005 SMD封裝的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑戰(zhàn)；MOSFET的設計參照了幾項相互沖突的參數(shù)；在物理尺寸小、能進行快速高能效開關的元件中，難于實現(xiàn)低導通電阻及將開關應用的能耗降至最低。為了實現(xiàn)這些參數(shù)的高質量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。
移動設備用MOSFET的微型化
通常情況下，有多種設計手段可行。功率MOSFET設計人員傾向于使用超結(super junction)、深溝槽(deep trench)或其它先進的溝槽技術來提供低導通電阻及高壓能力和小裸片尺寸。在小信號MOSFET中，如那些用于在移動設備中采用2.5V或1.8 V[!--empirenews.page--]低電壓工作的負載開關及接口的小信號MOSFET，必須追尋其它技術來減小封裝尺寸和每個裸片尺寸的導通電阻。事實上，每個裸片尺寸的導通電阻是主導用于負載開關型應用的MOSFET的真正關鍵的評判標準。
最新世代小信號MOSFET被設計為提供低閾值電壓，規(guī)定的閘極驅動電壓低至1.5 V，使元件能夠提供極低導通電阻，用于采用鋰離子電池提供的低電壓工作的便攜應用。
為了將這些元件能夠提供的小裸片尺寸的優(yōu)勢提升至最多，它們提供寬廣超小型封裝選擇來供貨，涵蓋從尺寸為1.6 x 1.6 x 0.5 mm的SOT-563封裝到尺寸為1.0x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導體的N溝道NTNS3193NZ 及[!--empirenews.page--]P溝道NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導線架平面網格陣列(XLLGA)亞芯片級封裝技術的優(yōu)勢，進一步推進了小信號MOSFET的微型化。
亞芯片級封裝
XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(類似于DFN型封裝)，采用創(chuàng)新的內部設計，使整體封裝尺寸小于任何類似芯片級封裝。
圖3.LLGA 3 0.62 x 0.62 x 0.4mm亞芯片級無引線封裝。
安森美半導體的[!--empirenews.page--]NTNS3193NZ及NTNS3A91PZ使用最新XLLGA33導線亞芯片級封裝(見圖3)，尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm，是業(yè)界極其微型化的分立小信號MOSFET，總占位面積僅為0.38mm2。N溝道NTNS3193NZ的典型導通電阻為0.65 Ω @ ±4.5 V閘極至源極電壓，而NTNS3A91PZ P溝道元件的典型導通電阻為典型值1.1Ω@±4.5 V。它們是安森美半導體20V小信號[!--empirenews.page--]MOSFET系列中最小的元件；此系列元件還包括采用SOT563 (1.6x1.6x0.5 mm)、SOT723 (1.2 x 1.2 x 0.5 mm)、SOT963 (1.0 x 1.0 x 0.5 mm)及SOT883 (1.0 x 0.6 x 0.4 mm)封裝的元件。
結論
隨著全球人口中使用移動技術的比例不斷提升，不斷發(fā)展的市場對更高性能及功能的需求預計也將上升。產品設計人員要想在短時間內領先于競爭對手來滿足這些要求，必須依靠結合硅技術進步及封裝技術改進。雖然大規(guī)模集成電路(LSI)持續(xù)遵循摩爾定律，在連續(xù)多世代的移動芯片組中集成更多功能，毫無疑問，新元件只會在市場需求被確認一段時間后才上市。
為了確保透過使用多個標準IC開發(fā)成功的設計來盡早上市，設計人員必須充分利用充當關鍵功能區(qū)域“膠合劑”[!--empirenews.page--](glue)之小信號分立元件創(chuàng)新的優(yōu)勢。隨著每個新芯片組的上市，領先的設計已經應用多芯片，并推動亞芯片級分立MOSFET的進一步需求。
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