迎半導(dǎo)體制程演進(jìn) 宜特推芯片高溫環(huán)境測試平臺

時間：2013-01-08 17:35:00

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片測試平臺晶片

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[導(dǎo)讀]晶圓代工廠突破28奈米制程后，帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈往20奈米制程持續(xù)推進(jìn)，高階制程的整合式發(fā)展，也讓新型晶片在各種運作環(huán)境下衍生出新的可靠度問題。電子驗證服務(wù)商宜特(3289)對此推出高功率的IC模擬測試平臺，協(xié)助IC

晶圓代工廠突破28奈米制程后，帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈往20奈米制程持續(xù)推進(jìn)，高階制程的整合式發(fā)展，也讓新型晶片在各種運作環(huán)境下衍生出新的可靠度問題。電子驗證服務(wù)商宜特(3289)對此推出高功率的IC模擬測試平臺，協(xié)助IC供應(yīng)商測試晶片在高溫環(huán)境下的工作壽命，協(xié)助客戶以更低成本方式，對先進(jìn)制程IC執(zhí)行可靠度驗證。

宜特指出，云端整合技術(shù)正日趨成熟、行動通訊產(chǎn)品滲透率更是與日俱增，半導(dǎo)體元件在行動裝置發(fā)展趨勢推升之下不斷縮微，高階制程往28、20奈米遷移，封測大廠日月光(2311)、矽品(2325)也開始切入系統(tǒng)級封裝(SiP)、層塊堆疊封裝(PoP)、乃至矽鉆孔封裝(TSV)等先進(jìn)制程，足證半導(dǎo)體制程正演變得更加精密。

然而值得注意的是，將多個IC組裝在同一個封裝載體時，其整體效能與壽命卻會受到內(nèi)含元件的不同熱傳導(dǎo)干擾而下降；若多層堆疊、封裝的電晶體采用不同制程，其功率變異范圍更會隨之提升，產(chǎn)生的熱耗問題也變得更加復(fù)雜。

宜特指出，根據(jù)業(yè)界評估，晶片運作溫度每上升攝氏10度，晶片壽命就會縮減一半，而高階制程的IC更因內(nèi)部電晶體密度更高，產(chǎn)生的熱度比傳統(tǒng)IC還高上數(shù)倍，如何在高溫運作環(huán)境確保IC運作效能，已是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必須面對的關(guān)鍵問題；為了切入此一新興測試領(lǐng)域，宜特已建立高溫模擬實驗平臺，可協(xié)助客戶進(jìn)行高階晶片的測試。

宜特說明，近期引進(jìn)的IC高溫運作壽命解決方案，以獨立溫控系統(tǒng)取代傳統(tǒng)的室溫控制加溫方式，可有效協(xié)助IC設(shè)計公司降低實驗環(huán)境的不確定性，取得更精準(zhǔn)的實驗數(shù)據(jù)，并據(jù)以縮短產(chǎn)品驗證時間、并提升晶片的運作可靠度。