Diodes 封裝MOSFET有助實(shí)現(xiàn)低溫操作
[導(dǎo)讀]DFN1212-3封裝零件可輕易替換同類SOT723封裝MOSFET
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130oC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、R
DFN1212-3封裝零件可輕易替換同類SOT723封裝MOSFET
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130oC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthj-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱力效能則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的訊號(hào)及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，用于包括數(shù)碼相機(jī)、平板電腦及智能手機(jī)在內(nèi)的高便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品。
Diodes公司首次推出的這對(duì)MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導(dǎo)通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有效大幅減少傳導(dǎo)損耗及功率耗散。
Diodes稍后亦會(huì)推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件，以及一系列雙極型器件。
Diodes簡介
Diodes Incorporated為標(biāo)普小型股600指數(shù) (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數(shù)公司，活躍于全球分立、邏輯及模擬半導(dǎo)體市場，致力制造及供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的特殊應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，服務(wù)消費(fèi)性電子、電腦、通訊、工業(yè)及汽車等不同市場。Diodes的產(chǎn)品包括二極管、整流器、電晶體、MOSFET、保護(hù)設(shè)備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效及溫度應(yīng)傳感器，以及涵蓋LED驅(qū)動(dòng)器、直流-直流切換和線性穩(wěn)壓器、電壓參考的功率管理器件，以至USB電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)、電壓監(jiān)控程式及馬達(dá)控制器等特殊功能器件。
Diodes公司總部、物流辦事處及美國銷售辦事處位于美國德州普萊諾市，在普萊諾、圣荷西、臺(tái)北、英國和德國設(shè)有設(shè)計(jì)、市務(wù)及工程中心；在密蘇里州坎薩斯城及英格蘭曼切斯特設(shè)有晶圓制造廠；在上海設(shè)有兩所制造廠、在德國諾伊豪斯設(shè)有一所，另于成都設(shè)有合資廠房；在臺(tái)北、香港及曼徹斯特設(shè)有工程、銷售、倉庫及物流辦事處；并在世界各地設(shè)有銷售與支援辦事處。
有關(guān)進(jìn)一步的詳盡資訊，包括美國證監(jiān)會(huì)存檔，可瀏覽該公司網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.diodes.com。
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130oC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthj-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱力效能則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的訊號(hào)及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，用于包括數(shù)碼相機(jī)、平板電腦及智能手機(jī)在內(nèi)的高便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品。
Diodes公司首次推出的這對(duì)MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導(dǎo)通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有效大幅減少傳導(dǎo)損耗及功率耗散。
Diodes稍后亦會(huì)推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件，以及一系列雙極型器件。
Diodes簡介
Diodes Incorporated為標(biāo)普小型股600指數(shù) (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數(shù)公司，活躍于全球分立、邏輯及模擬半導(dǎo)體市場，致力制造及供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的特殊應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，服務(wù)消費(fèi)性電子、電腦、通訊、工業(yè)及汽車等不同市場。Diodes的產(chǎn)品包括二極管、整流器、電晶體、MOSFET、保護(hù)設(shè)備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效及溫度應(yīng)傳感器，以及涵蓋LED驅(qū)動(dòng)器、直流-直流切換和線性穩(wěn)壓器、電壓參考的功率管理器件，以至USB電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)、電壓監(jiān)控程式及馬達(dá)控制器等特殊功能器件。
Diodes公司總部、物流辦事處及美國銷售辦事處位于美國德州普萊諾市，在普萊諾、圣荷西、臺(tái)北、英國和德國設(shè)有設(shè)計(jì)、市務(wù)及工程中心；在密蘇里州坎薩斯城及英格蘭曼切斯特設(shè)有晶圓制造廠；在上海設(shè)有兩所制造廠、在德國諾伊豪斯設(shè)有一所，另于成都設(shè)有合資廠房；在臺(tái)北、香港及曼徹斯特設(shè)有工程、銷售、倉庫及物流辦事處；并在世界各地設(shè)有銷售與支援辦事處。
有關(guān)進(jìn)一步的詳盡資訊，包括美國證監(jiān)會(huì)存檔，可瀏覽該公司網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.diodes.com。
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