2010年1月，SEMI公布了關于銅引線鍵合的調查結果。調查結果顯示，有41％的半導體廠商使用銅引線鍵合。封裝技術相關展會“NEPCON JAPAN 2010”，也指出了以銅引線鍵合為首的低成本封裝技術的重要性。
走在此類低成本封裝技術前列的，是日本國外的后工藝專業(yè)廠商。例如，在銅引線鍵合的購買比例中，臺灣占到全球的39％，菲律賓占到全球的18％，日本僅占3％。先行者臺灣日月光集團（ASE Group）表示，“采用銅引線鍵合的封裝供貨量截至2010年9月累計達到了10億個，實現(xiàn)了不亞于金線的質量”。另外，臺灣日月光集團預計2010年底的累計供貨量將達到20億個，年底之前將購買4000臺銅引線鍵合裝置。
日本也在推進銅引線鍵合的開發(fā)工作。例如，富士通半導體已經開始量產銅線產品，今后還準備擴大生產規(guī)模。不過，難以實現(xiàn)如同金線產品那樣的穩(wěn)定生產，因此富士通半導體表示“估計銅線產品的比例在2012年也只有幾十個百分比的水平”。
TSV及三維技術也取得進展
另外，關于采用TSV的三維積層等前瞻技術，其技術開發(fā)工作也正在穩(wěn)步推進中。例如，爾必達存儲器為了量產采用TSV的新一代DRAM，正加速進行技術開發(fā)（參閱本站報道3）。爾必達存儲器有兩大目的。一個是通過積層多個DRAM內核來實現(xiàn)“超大容量DRAM”，另一個是實現(xiàn)以高帶寬連接邏輯LSI和DRAM的“超寬I/O”。
關于后者，爾必達存儲器已宣布將與臺灣力成科技（Powertech Technology，PTI）和臺灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）合作（參閱本站報道4）。此外，TSV開發(fā)方面的相關合作動向也引人注目，例如住友精密和法國CEA-Leti將就新一代TSV的技術開發(fā)合作等。
使用無線方式而非TSV連接積層間芯片的技術也廣受關注。日本慶應義塾大學教授黑田忠廣等人的研究小組，開發(fā)出了可以三維積層129個半導體芯片的磁場耦合技術。將該項技術用于內存卡的研究也正在進行之中。
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