深度對(duì)談－日月光2.5D IC 最快2年內(nèi)可量產(chǎn)

封測(cè)大廠日月光（2311）提早競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手2-3年時(shí)間布局銅導(dǎo)線封裝技術(shù)，隨著國(guó)際黃金價(jià)格在近期飆上每盎司1,350-1,400美元的歷史新高，日月光受惠于銅導(dǎo)線封裝技術(shù)領(lǐng)先，成為最大受惠者，IDM廠并擴(kuò)大委外代工。不過，日月光對(duì)于新技術(shù)的研發(fā)仍積極進(jìn)行，日月光總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明表示，3D IC將成為未來主流，日月光提前先卡位2.5D IC有成，最快2年內(nèi)就能開始量產(chǎn)。以下是唐和明訪談紀(jì)要。

問：封裝市場(chǎng)走向3D IC的趨勢(shì)為何？

答：系統(tǒng)與芯片間的連結(jié)以封裝技術(shù)做為整合是最適當(dāng)?shù)姆绞剑?D IC技術(shù)將在未來扮演連結(jié)單芯片（SoC）與系統(tǒng)需求的重要角色，不過技術(shù)難度仍相當(dāng)高，然對(duì)半導(dǎo)體業(yè)者來說，要不斷地從現(xiàn)有產(chǎn)品中發(fā)展新技術(shù)或找出新應(yīng)用市場(chǎng)，要繼續(xù)達(dá)到摩爾定律，封測(cè)所扮演的角色愈來愈重要，3D IC更將是關(guān)鍵技術(shù)。

3D IC是未來半導(dǎo)體發(fā)展的主流趨勢(shì)，日月光在3D IC技術(shù)開發(fā)，區(qū)分為多封裝堆疊（PoP）、內(nèi)埋元件基板及整合元件技術(shù)、直通矽晶穿孔（TSV）矽基板及TSV 3D微間距芯片堆疊封裝等3部份。

目前3D IC距離量產(chǎn)時(shí)間仍有3到5年的時(shí)間，主要還是需要克服成本、設(shè)計(jì)、測(cè)試等挑戰(zhàn)，使用矽基板的2.5D IC封裝技術(shù)，將會(huì)成為短期內(nèi)成為過渡到3D IC的主流封裝技術(shù)。

問：日月光在2.5D IC市場(chǎng)的布局為何？

答：日月光早在2007年就開始投入資源研究3D IC的封裝技術(shù)，已是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先者，但距離量產(chǎn)時(shí)間仍有近3至5年時(shí)間，相對(duì)上2.5D IC供應(yīng)鏈已大致完備，預(yù)期將能幫助半導(dǎo)體廠更順利導(dǎo)入40納米以下先進(jìn)制程，日月光已經(jīng)開始準(zhǔn)備量產(chǎn)，預(yù)定2年內(nèi)就能達(dá)到量產(chǎn)階段。

使用矽基板的2.5D IC封裝技術(shù)供應(yīng)鏈已大致完備，2.5D IC的導(dǎo)入將會(huì)協(xié)助半導(dǎo)體技術(shù)的微縮，為了因應(yīng)手持行動(dòng)裝置走向輕薄短小，未來芯片制程持續(xù)推進(jìn)到40納米以下，將會(huì)面臨極大瓶頸，利用2.5D IC封裝技術(shù)做整合是最適當(dāng)?shù)慕鉀Q方式。

問：日月光在先進(jìn)TSV技術(shù)研發(fā)上有何成果？

答：TSV技術(shù)是3D IC技術(shù)之一，TSV技術(shù)能縮短電器傳遞的距離，同時(shí)堆疊晶粒的數(shù)目不受限制，讓尺寸更小的手持電子產(chǎn)品，在速度上及功能上都能有所改善。TSV封裝技術(shù)是未來主流，日月光的優(yōu)勢(shì)在于可在基板、封裝、測(cè)試、系統(tǒng)、模塊等完整的集團(tuán)網(wǎng)絡(luò)下，整合技術(shù)人才與資源，以現(xiàn)有機(jī)臺(tái)為基礎(chǔ)，添購(gòu)部分新機(jī)后就可以將技術(shù)直接進(jìn)行升級(jí)，降低新技術(shù)及產(chǎn)能的投資成本。