IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達(dá)和電動(dòng)工具、工業(yè)用電池及電源應(yīng)用。

附圖 : 新型邏輯電平溝道MOSFET

最新的基準(zhǔn)MOSFET系列採用了IR最新的溝道技術(shù)，在4.5V Vgs下?lián)碛邢喈?dāng)?shù)偷腞DS（on），溫度效率顯著得到改善。此外，新元件更高的電流額定值，從多餘的瞬變提供更多防護(hù)頻帶，並減少並行類拓樸的元件數(shù)目。這類拓樸由幾個(gè)MOSFET共用高電流。藉著高達(dá)195A的封裝電流額定值，產(chǎn)品的TO-220、D2PAK和TO-262封裝較典型封裝能夠改善超過60%的額定值；與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK相比，7引腳D2PAK也進(jìn)一步減低多達(dá)16%的RDS（on），提供更多完善的選擇。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，新推出的邏輯電平閘極驅(qū)動(dòng)溝道MOSFET備有基準(zhǔn)RDS（on），能夠由微型控制器或弱電池驅(qū)動(dòng)，提升在輕負(fù)載狀態(tài)下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉(zhuǎn)換和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

新邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓範(fàn)圍由40V至100V。它們已得到工業(yè)級和MSL1濕氣敏感度認(rèn)可，更具備所有標(biāo)準(zhǔn)功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262，以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛並符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定（RoHS）。