三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3D NAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。

矽穿孔技術(shù)是將晶圓和晶圓、晶片和晶片堆疊穿孔貫通的技術(shù)。以TSV技術(shù)制造晶片，可將耗電量減少至傳統(tǒng)技術(shù)的一半以上，晶片體積也能縮小約35%。

據(jù)南韓經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷進(jìn)化，蝕刻、晶圓表面研磨(CMP)等前段制程也變得更為重要。南韓證券市場(chǎng)上指出，相關(guān)業(yè)者GigaLane、KC Tech、Wonik IPS等將可受惠。

半導(dǎo)體后段制程領(lǐng)域中，較傳統(tǒng)技術(shù)難易度高的薄膜晶圓切割技術(shù)、微細(xì)封裝、雷射切割等，也將成為核心技術(shù)。EO Technics、Hanmi Semiconductor、PSK Inc等相關(guān)股也將浮上臺(tái)面。

TSV追求的是產(chǎn)品的整合，半導(dǎo)體市場(chǎng)的價(jià)值鏈也將產(chǎn)生變化。2013年12月才上市的GigaLane，是南韓唯一的半導(dǎo)體TSV用離子蝕刻設(shè)備業(yè)者。2014年?duì)I收預(yù)估年增38%，達(dá)1,313億韓元(約1.2億美元)、營(yíng)業(yè)利益預(yù)估年增46%至186億韓元。

報(bào)導(dǎo)稱，持有可實(shí)現(xiàn)TSV技術(shù)的干式蝕刻技術(shù)的GigaLane，在因應(yīng)半導(dǎo)體制程變化時(shí)，站在最有優(yōu)勢(shì)的位置上。此外，在LED市場(chǎng)上，因具備電漿蝕刻設(shè)備生產(chǎn)能力，也可望受惠。

未來(lái)受到TSV技術(shù)帶動(dòng)，晶圓厚度變薄，雷射雕刻、切割設(shè)備等也將受到注目。持有雷射光源技術(shù)的雷射設(shè)備廠EO Technics最具代表性。2014年EO Technics營(yíng)收將年增36%至3,055億韓元、營(yíng)業(yè)利益將年增44%至619億韓元。

南韓KB投資證券研究員表示，EO Technics可望擺脫因半導(dǎo)體資本支出規(guī)模縮減而出現(xiàn)的負(fù)成長(zhǎng)，營(yíng)收將反彈回升。EO Technics已完成從雷射光源原創(chuàng)技術(shù)向上垂直整合，將能迅速因應(yīng)產(chǎn)品研發(fā)及市場(chǎng)擴(kuò)大所產(chǎn)生的需求。

KC Tech在TSV技術(shù)商用化，及3D NAND正式生產(chǎn)后，CMP設(shè)備訂單大幅增加。2014年?duì)I收預(yù)估3,000億韓元、營(yíng)業(yè)利益為390億韓元。

三星證券研究員表示，核心制程設(shè)備CMP設(shè)備原本全數(shù)依賴進(jìn)口，KC Tech成功國(guó)產(chǎn)化后，也為自己帶來(lái)營(yíng)收動(dòng)力，是受到注目的半導(dǎo)體股。TOP▲