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[導(dǎo)讀]國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)資料顯示,隨著國際半導(dǎo)體大廠積極跨入下一世代,今年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將出現(xiàn)23.2%成長,加上臺(tái)積電今年資本支出突破百億美元,在臺(tái)積電擴(kuò)大采購下,包括漢微科(3658-TW)、閎康(358

國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)資料顯示,隨著國際半導(dǎo)體大廠積極跨入下一世代,今年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將出現(xiàn)23.2%成長,加上臺(tái)積電今年資本支出突破百億美元,在臺(tái)積電擴(kuò)大采購下,包括漢微科(3658-TW)、閎康(3587-TW)、家登(3680-TW)、弘塑(3131-TW)、翔名(8091-TW)、中砂(1560-TW)、辛耘(3583-TW)、世禾(3551-TW)等臺(tái)積概念等半導(dǎo)體設(shè)備股金馬年?duì)I運(yùn)啵亮。
另外SEMI也公布,2013年12月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接單出貨比B/B值為1.02,連續(xù)3個(gè)月大于1,反映出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在今年的展望依舊相當(dāng)樂觀。
在全球半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電、三星、英特爾等全球三大半導(dǎo)體廠積極擴(kuò)充20奈米以下產(chǎn)能,且包括三星、SK海力士、東芝、美光等記憶體廠也大動(dòng)作提高NAND Flash產(chǎn)能,因此SEMI估計(jì)今年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出市場規(guī)模將達(dá)394.6億美元,年成長率高達(dá)23.2%,其中臺(tái)積電今年資本支出將沖破百億美元,臺(tái)灣今年將連續(xù)4年蟬聯(lián)全球半導(dǎo)體設(shè)備支出最大國。
近年來臺(tái)積電在「在地采購」策略的推動(dòng)之下,資本設(shè)備供應(yīng)鏈已有相當(dāng)比重在地化,包括前端檢測設(shè)備、再生晶圓與耗材,乃至濕制程與設(shè)備清洗委外等,都加大對臺(tái)系業(yè)者的下單力道,包括制程檢測與分析漢微科、閎康、晶圓傳載盒的家登、后段濕制程設(shè)備商的弘塑、離子植入機(jī)耗材廠的翔名、再生晶圓供應(yīng)商的中砂、辛耘、設(shè)備清洗廠世禾等供應(yīng)鏈族群,均被市場點(diǎn)名,將成為臺(tái)積電資本支出擴(kuò)張的核心受惠族群。



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