小摩：臺(tái)積電Q2~Q3營(yíng)運(yùn)都將出奇的強(qiáng)勁

臺(tái)積電(2330)法說(shuō)將于本周四(16日)登場(chǎng)，而外資也紛紛出具最新報(bào)告，對(duì)臺(tái)積電提出正向看法。外資小摩(JP Morgan)出具的最新報(bào)告，指出盡管臺(tái)積電近期股價(jià)面臨逆風(fēng)，不過(guò)仍看好其股價(jià)將在今年上半年有強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)。尤其小摩點(diǎn)名，長(zhǎng)線(xiàn)來(lái)看，除外界對(duì)來(lái)自英特爾的競(jìng)爭(zhēng)過(guò)慮了以外，短線(xiàn)而言，隨著今年Q1半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存調(diào)節(jié)結(jié)束，加上中國(guó)智慧型手機(jī)訂單重啟拉貨動(dòng)能，以及20奈米蘋(píng)果單開(kāi)始產(chǎn)生營(yíng)收貢獻(xiàn)等利多發(fā)酵，即使臺(tái)積Q1營(yíng)收將因季節(jié)性因素影響而下滑，惟Q2、Q3連兩季營(yíng)運(yùn)都將“出奇的強(qiáng)勁”(exceptionally strong)。
小摩觀(guān)察，持續(xù)好一段時(shí)間的中國(guó)智慧型手機(jī)庫(kù)存調(diào)整總算告終，包括展訊(Spreadtrum)、海思(HiSilicon)等客戶(hù)都將回復(fù)拉貨動(dòng)能。此外，聯(lián)發(fā)科(2454)的八核晶片，今年Q1的需求也相當(dāng)強(qiáng)勁，而高通(Qualcomm)也開(kāi)始針對(duì)一些28奈米制程的新單進(jìn)行拉貨，均可望為臺(tái)積Q1的淡季提供部分支撐。
至于20奈米制程的進(jìn)度，小摩指出，臺(tái)積雖在Q1展開(kāi)量產(chǎn)，不過(guò)較明顯的營(yíng)收貢獻(xiàn)則會(huì)發(fā)生在Q2。小摩估，臺(tái)積20奈米制程現(xiàn)階段的良率算是不錯(cuò)(約在45~50%之間)，這個(gè)數(shù)字已較28奈米量產(chǎn)初期來(lái)得好上許多。小摩也樂(lè)觀(guān)看好，20奈米制程放量的速度將相當(dāng)快，并推升臺(tái)積今年Q2、Q3連兩季，營(yíng)收都可望挑戰(zhàn)13~17%(mid-teen)的季增率。

小摩也點(diǎn)名，除了蘋(píng)果外，包括高通、賽靈思(Xilinx)、Altera、nVidia等客戶(hù)，都可望成為臺(tái)積20奈米制程第一波的采用者。
至于前一世代的28奈米制程，小摩則觀(guān)察，28奈米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)制程目前需求仍相當(dāng)強(qiáng)勁，主要是聯(lián)發(fā)科八核晶片的轉(zhuǎn)進(jìn)，以及游戲機(jī)相關(guān)晶片的拉貨力道持穩(wěn)。不過(guò)，反觀(guān)28奈米Poly-SiON制程的需求就不太理想，臺(tái)積于高通的部分訂單也流向格羅方德(GlobalFoundries)。惟小摩重申，臺(tái)積于HKMG制程仍占有絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并在良率上遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開(kāi)對(duì)手。
小摩并指出，臺(tái)積的16奈米FinFET制程可望于本季就開(kāi)始初步的設(shè)計(jì)定案(early tape-outs)，至于10奈米的時(shí)程則將接在16奈米約兩季之后。
小摩仍對(duì)臺(tái)積維持正向看法，重申其優(yōu)于大盤(pán)(Overweight)評(píng)等，并維持130元的目標(biāo)價(jià)。